Übersetzung für "Biased for" in Deutsch

The compression spring 75 is biased for any effective pivoting angle of the holding and guiding unit 64 .
Die Druckfeder 75 ist für sämtliche Schwenkwinkel der Halte- und Führungseinheit 64 vorgespannt.
EuroPat v2

The component is preferably biased, for example by means of a spring.
Vorzugsweise ist das Bauteil vorgespannt, beispielsweise mittels einer Feder.
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The spring drives or compressed-air drives can be biased or “charged”, for example, by means of electrical drives.
Die Feder- oder Druckluftantriebe können beispielsweise mit elektrischen Antrieben vorgespannt oder "aufgeladen" werden.
EuroPat v2

The deployment rod is biased, for example bent in relation to the longitudinal axis thereof, in particular prior to assembly.
Insbesondere vor der Montage wird die Ausstellstange vorgespannt, beispielsweise bezüglich ihrer Längsachse verbogen.
EuroPat v2

When the device is biased, say for example, with eight volts between terminals 20 and 21, a depletion region is created around the junction 15 which, as indicated by dotted line 25, extends a distance of about 1 micron into the N- type material 11a.
Wenn die Anordnung beispielsweise mit 8 V zwischen den Anschlüssen 20 und 21 vorgespannt wird, bildet sich um den Übergang 15 eine Verarmungszone aus, die sich, wie durch die gestrichelte Linie 25 angedeutet, bis zu einem Abstand von ungefähr 1,um in das N-leitende Material 11 a a erstreckt.
EuroPat v2

This is accomplished due to the phenomenon that the biased carcass for tubed tires, due to its subcritical thread angle (40° to 45°), has its inner diameter reduced as the pressure is increase.
Dabei wird ausgenutzt, daß die Diagonalkarkasse für Schlauchreifen infolge ihres unterkritischen Fadenwinkels (40 bis 45°) bei Druckerhöhung ihren Innendurchmesser verkleinert.
EuroPat v2

The diode is oriented so as to offer a high impedance to current flowing from the gate node when the gate is intentionally biased for FET conduction.
Die Diode ist dabei so gepolt, daß sie einen hohen Widerstand für einen vom Gateknotenpunkt abfließenden Strom darstellt, wenn die Gateelektrode absichtlich für den Leitzustand des FET vorgespannt ist.
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