Übersetzung für "Back surface field" in Deutsch
The
layer
forming
the
back-surface
field
is
the
second
intermediate
layer.
Die
das
Back-Surface-Field
bildende
Schicht
ist
die
zweite
Zwischenschicht.
EuroPat v2
The
passivation
mechanisms
of
such
doping
regions
of
the
base
doping
type
are
known
as
so-called
“back
surface
field”.
Die
Passivierungsmechanismen
solcher
Dotierbereiche
des
Basisdotierungstyps
sind
als
so
genanntes
"back
surface
field"
bekannt.
EuroPat v2
If
light
only
reaches
the
cell
from
the
front,
the
result
of
collection
of
the
minority
charge
carriers
on
both
surfaces,
with
the
same
thickness
and
quality
(diffusion
length)
of
the
semiconductor
material,
is
a
higher
collection
efficiency
than
with
the
normal
BSF
(back
surface
field)
solar
cell.
Fällt
Licht
nur
von
vorne
auf
die
Zelle,
so
resultiert
infolge
der
Sammlung
der
Minoritätsladungsträger
auf
beiden
Seiten
bei
gleicher
Dicke
und
Qualität
(Diffusionslänge)
des
Halbleitermaterials
ein
höherer
Sammlungswirkungsgrad
als
bei
der
normalen
BSF
(Back
Surface
Field)
Solarzelle.
EuroPat v2
The
p+
p
high-low
junction
acts
as
a
Back
Surface
Field
which
provides
the
known
advantages
of
a
BSF
cell
such
as
increased
open
circuit
voltage
and
increased
short
circuit
currernt
owing
to
decreased
recombination
on
the
rear
side.
Der
p
+
p-Übergang
wirkt
als
rückseitiges
Feld
(Back
Surface
Feld),
wodurch
sich
die
bekannten
Vorteile
einer
BSF-Zelle
wie
erhöhte
Leerlaufspannung
und
erhöhter
Kurzschlußstrom
durch
verringerte
Rekombination
an
der
Rückseite
ergeben.
EuroPat v2
However,
the
aluminum
that
is
printed
on
the
entire
rear
side
of
the
solar
cells
reacts
with
the
silicon
wafer
during
contact
firing,
resulting
in
the
formation
of
an
aluminum
back
surface
field
(BSF),
which
limits
solar
cell
efficiency
to
18%
to
20%.
Dabei
wird
der
Aluminium
Kontakt
vollflächig
auf
den
Si
Wafer
gedruckt
und
beim
Feuern
ein
Aluminium
Back-Surface-Field
(Al-BSF)
ausgebildet,
welches
die
Zell-Wirkungsgrade
auf
18%
–
20%
limitiert.
ParaCrawl v7.1
In
spite
of
the
field
passivation
by
heavy
doping,
a
metallic
surface,
both
that
of
an
emitter
and
that
of
a
back
surface
field
(BSF),
has
a
large
charge-carrier
recombination
rate.
Eine
metallische
Oberfläche,
sowohl
die
eines
Emitters
als
auch
die
eines
Back-Surface-Fields
(BSF),
hat
trotz
der
Feldpassivierung
durch
Hochdotierung
eine
große
Ladungsträger-Rekombinationsgeschwindigkeit.
EuroPat v2
Existing
production
lines
currently
operate
only
with
an
extensive
back
surface
field,
which
is
obtained
by
an
Al
metal
layer.
Bestehende
Produktionslinien
arbeiten
derzeit
nur
mit
einem
ganz-
flächigen
Back
Surface
Field,
welches
entweder
durch
eine
AI-
Metallschicht
oder
eine
flüssige
Borquelle
erhalten
wird.
EuroPat v2
In
order
to
support
the
formation
of
a
better
local
back
surface
field,
the
use
of
a
first
paste
enriched
with
phosphorus
or
other
elements
corresponding
to
the
base
doping
type
is
advantageous.
Um
die
Ausbildung
eines
besseren
lokalen
Back-Surface-Fields
zu
unterstützen,
ist
die
Verwendung
einer
ersten
Paste
vorteilhaft,
die
mit
Phosphor
oder
anderen
Elementen,
die
dem
Basisdotierungstyp
entsprechen,
angereichert
ist.
EuroPat v2
The
A300
cell
is
a
so-called
interdigitated
back
contact
cell
(IBC),
which
means
that
both
the
emitter
and
the
BSF
(back
surface
field)
or
base
contact
strips
are
situated
on
the
rear
side
of
the
cell
and
are
developed
in
the
form
of
two
meshing
fork
structures.
Es
handelt
sich
bei
der
A300-Zelle
um
eine
sogenannte
Interdigitated
Back
Contact
Zelle
(IBC),
was
bedeutet,
dass
sich
sowohl
die
Emitter-
als
auch
die
BSF-
(Back
Surface
Field)
bzw.
Basiskontaktstreifen
auf
der
Zellenrückseite
befinden
und
wie
zwei
ineinander
greifende
Gabelstrukturen
ausgebildet
sind.
EuroPat v2
Preferably
the
method
according
to
the
invention
is
here
embodied
such
that
in
the
processing
step
B
in
addition
to
the
generation
of
a
selective
emitter
doping
structure
further
a
selective
doping
structure
of
a
base
doping
type
is
embodied
at
the
rear
of
the
semiconductor
substrate,
in
which
at
least
a
plurality
of
high-doped
sections
of
the
base
doping
type
are
generated
at
the
rear,
also
called
“local
back
surface
field”.
Vorzugsweise
ist
das
erfindungsgemäße
Verfahren
daher
derart
ausgebildet,
dass
zusätzlich
zu
dem
Erzeugen
einer
selektiven
Emitterdotierstruktur
in
Verfahrensschritt
B
weiterhin,
an
der
Rückseite
des
Halbleitersubstrates
eine
selektive
Dotierstruktur
eines
Basisdotierungstyps
ausgebildet
wird,
in
dem
zumindest
eine
Mehrzahl
von
Hochdotierbereichen
des
Basisdotierungstyps
an
der
Rückseite
erzeugt
werden,
auch
"lokal
back
surface
field"
genannt.
EuroPat v2
As
a
result
of
the
high
Al
doping,
a
surplus
of
negatively
charged,
immovable
Al
acceptors
is
created,
which
produce
an
electric
field
that
repels
the
minority
carriers,
the
so-called
back-surface
field.
Durch
die
hohe
A1-Dotierung
wird
im
Halbleitermaterial
der
Schicht
ein
Überschuss
an
negativ
geladenen,
ortsfesten
Al-Akzeptoren
gebildet,
von
denen
ein
die
Minoritätsträger
zurücktreibendes
elektrisches
Feld
erzeugt
wird,
das
so
genannte
Back-Surface-Field.
EuroPat v2
The
object
of
the
present
invention
is
to
further
develop
a
semiconductor
component
and/or
a
method
for
producing
a
metal-semiconductor
contact
of
the
type
described
above
such
that
a
mechanically
durable,
electrically
flawless
contact
that
may
be
soldered
in
the
area
of
the
material
of
the
second
layer,
which
in
particular
consists
of
aluminum
or
contains
aluminum,
is
produced,
and
where
the
back-surface
field
relevant
to
passivation
is
not
interrupted
or
damaged.
Der
vorliegenden
Erfindung
liegt
die
Aufgabe
zugrunde,
eine
Solarzelle
bzw.
ein
Verfahren
zur
Herstellung
eines
Metall-Halbleiter-Kontakts
der
eingangs
genannten
Art
so
weiterzubilden,
dass
ein
mechanisch
haltbarer,
elektrisch
einwandfrei
lötbarer
Kontakt
im
Bereich
des
Materials
der
zweiten
Schicht,
die
insbesondere
aus
Aluminium
besteht
oder
dieses
enthält,
erzeugt
wird,
ohne
dass
das
für
die
Passivierung
wesentliche
Back-Surface-Field
unterbrochen
oder
geschädigt
wird.
EuroPat v2
This
so-called
field-effect
passivation
is
the
basic
principle
for
example
in
the
case
of
the
so-called
back
surface
field
(BSF)
composed
of
aluminum
and
in
the
case
of
applying
dielectric
layers,
for
example
composed
of
silicon
nitride
(SiN
x)
or
aluminum
oxide
(Al
2
O
3),
which
form
stationary
surface
charges
at
their
interfaces
with
the
semiconductor
surface.
Diese
sogenannte
Feldeffektpassivierung
ist
Grundprinzip
beispielsweise
beim
sogenannten
Back-Surface-Field
(BSF)
aus
Aluminium
und
beim
Aufbringen
dielektrischer
Schichten,
beispielsweise
aus
Siliziumnitrid
(SiN
x)
oder
Aluminiumoxid
(Al
2
O
3),
die
an
ihren
Grenzflächen
zur
Halbleiteroberfläche
ortsfeste
Oberflächenladungen
ausbilden.
EuroPat v2
This
results
in
gallium
enrichment
at
the
body
interface
10
to
the
back
electrode
4
and,
thus,
in
a
back
surface
field
in
the
solar
cell.
Dies
führt
zu
einer
Gallium-Anreicherung
an
der
Körpergrenzfläche
10
zur
Rückelektrode
4
und
damit
zu
einem
Back-Surface-Field
in
der
Solarzelle.
EuroPat v2
Usually
on
the
rear
side
of
a
silicon
solar
cell
there
is
a
large-area
aluminum
layer,
which,
during
the
manufacture
of
the
solar
cell,
through
heat
treatment,
is
subject
to
a
sintering
process,
by
which
simultaneously
the
rear
side
of
the
solar
cell
is
passivated
by
a
so-called
back
surface
field
(BSF).
Üblicherweise
befindet
sich
auf
der
Rückseite
einer
Silizium-Solarzelle
eine
großflächige
Aluminiumschicht,
die
durch
Wärmebehandlung
während
der
Herstellung
der
Solarzelle
einem
Sinterprozess
ausgesetzt
wird,
wodurch
gleichzeitig
eine
Passivierung
der
Solarzellenrückseite
durch
ein
so
genanntes
Back-Surface-Field
(BSF)
geschaffen
wird.
EuroPat v2
Due
to
high
Al
doping,
in
the
semiconductor
material
of
the
layer,
an
excess
of
negatively
charged,
fixed
location
Al
acceptors
is
formed,
from
which
an
electric
field
repulsing
the
minority
carriers
is
generated,
the
so-called
back
surface
field.
Durch
die
hohe
Al-Dotierung
wird
im
Halbleitermaterial
der
Schicht
ein
Überschuss
an
negativ
geladenen,
ortsfesten
Al-Akzeptoren
gebildet,
von
denen
ein
die
Minoritätsträger
zurücktreibendes
elektrisches
Feld
erzeugt
wird,
das
so
genannte
Back-Surface-Field.
EuroPat v2
Consequently,
in
the
area
of
the
soldered
contact,
a
recess
is
provided
in
the
aluminum
layer
with
the
result
that
in
this
area,
no
back
surface
field
can
form,
so
that
the
solar
cell
rear
surface
is
not
completely
electrically
passivated,
and
small
local
photostreams
can
result.
Folglich
ist
im
Bereich
der
Lötkontakte
eine
Aussparung
der
Aluminiumschicht
vorgesehen
mit
der
Folge,
dass
sich
in
diesem
Bereich
kein
Back-Surface-Field
ausbilden
kann,
so
dass
die
Solarzellenrückseitenfläche
nicht
vollständig
elektrisch
passiviert
ist
und
hierdurch
lokal
geringere
Fotoströme
auftreten.
EuroPat v2
Consequently,
it
is
not
required
to
form
a
soldered
contact
made
of
a
material
other
than
aluminum,
for
example
in
a
masking
technique,
so
that
as
a
consequence
the
inherent
disadvantage
with
a
solar
cell
as
a
component,
that
the
back
surface
field
is
interrupted
in
the
area
of
the
contact,
is
avoided.
Folglich
ist
es
nicht
erforderlich,
z.
B.
in
Maskentechnik
unmittelbar
auf
dem
Substrat
einen
Lötkontakt
aus
einem
anderen
Material
als
Aluminium
auszubilden,
so
dass
infolgedessen
der
bei
einer
Solarzelle
als
Bauteil
der
immanente
Nachteil
vermieden
wird,
dass
im
Bereich
des
Kontaktes
das
Back-Surface-Field
unterbrochen
wird.
EuroPat v2
Between
sintered
aluminum
layer
12
and
silicon
substrate
10,
during
manufacture,
a
silicon
layer
14
doped
with
aluminum
forming
the
back
field
surface
and
an
aluminum
layer
16
doped
with
silicon
with
an
Al—Si
eutectic
18
are
formed.
Zwischen
der
Aluminiumsinterschicht
12
und
dem
Siliziumsubstrat
10
werden
bei
der
Herstellung
eine
das
Back-Surface-Field
bildende
mit
Aluminium
dotierte
Siliziumschicht
14
und
eine
mit
Silizium
dotierte
Aluminiumschicht
16
mit
Al-Si-Eutektikum
18
ausgebildet.
EuroPat v2
Consequently,
a
recess
in
the
aluminum
layer
is
provided
in
the
area
of
the
soldering
contacts
resulting
in
that
no
back-surface
field
may
form
in
this
area
so
that
the
back
surface
of
the
solar
cell
is
not
completely
passivated
electrically
and
therefore
less
local
photo
currents
appear.
Folglich
ist
im
Bereich
der
Lötkontakte
eine
Aussparung
der
Aluminiumschicht
vorgesehen
mit
der
Folge,
dass
sich
in
diesem
Bereich
kein
Back-Surface-Field
ausbilden
kann,
so
dass
die
Solarzellenrückseitenfläche
nicht
vollständig
elektrisch
passiviert
ist
und
hierdurch
lokal
geringere
Fotoströme
auftreten.
EuroPat v2