Translation of "Stacking fault" in German
In
an
alloy
according
to
the
invention,
nickel
increases
the
stacking
fault
energy.
In
einer
erfindungsgemäßen
Legierung
erhöht
Nickel
die
Stapelfehlerenergie.
EuroPat v2
So
as
to
form
a
twin,
the
so-called
stacking
fault
energy
(SFE)
must
be
applied.
Um
einen
Zwilling
zu
bilden,
muss
die
so
genannte
Stapelfehlerenergie
(SFE)
aufgebracht
werden.
EuroPat v2
Carbon
has
an
austenite-stabilizing
effect
and
moreover
is
extremely
effective
at
raising
the
stacking
fault
energy.
Kohlenstoff
besitzt
eine
den
Austenit
stabilisierende
Wirkung
und
erhöht
weiterhin
die
Stapelfehlerenergie
äußerst
effektiv.
EuroPat v2
Magnesium
alloys
having
a
low
stacking
fault
energy
are
optimal
for
processing,
allowing
good
dynamic
recrystallization.
Optimal
zur
Verarbeitung
sind
Magnesiumlegierungen
mit
einer
niedrigen
Stapelfehlerenergie,
damit
sie
gut
dynamisch
rekristallisieren
kann.
EuroPat v2
BACKGROUND
OF
THE
INVENTION
Field
of
the
Invention
The
present
invention
relates
to
a
method
for
the
generation
of
stacking-fault-induced
damage
on
the
back
of
semiconductor
wafers
by
treating
the
back
with
loose
hard-material
particles
which
are
suspended
in
a
liquid.
Die
Erfindung
betrifft
ein
Verfahren
zur
Erzeugung
einer
stapelfehlerinduzierenden
Beschädigung
auf
der
Rückseite
von
Halbleiterscheiben
durch
Behandlung
der
Rückseite
mit
losen
Hartstoffteilchen,
die
in
einer
Flüssigkeit
suspendiert
sind.
EuroPat v2
The
above
object
is
achieved
according
to
the
invention
by
providing
a
method
for
the
generation
of
stacking-fault-induced
damage
on
the
back
of
semiconductor
wafers
by
treating
the
back
with
loose
hard-material
particles
which
are
suspended
in
a
liquid,
which
method
comprises
bringing
the
back
of
a
semiconductor
wafer
into
contact
with
the
suspended
hard-material
particles
and
propelling
the
hard-material
particles
tangentially
to
the
back,
under
which
circumstances
they
exert
on
the
back
of
the
semiconductor
wafer
forces
which
have
essentially
only
tangentially
directed
components.
Gelöst
wird
die
Aufgabe
durch
ein
Verfahren
zur
Erzeugung
einer
stapelfehlerinduzierenden
Beschädigung
auf
der
Rückseite
von
Halbleiterscheiben
durch
Behandlung
der
Rückseite
mit
losen
Hartstoffteilchen,
die
in
einer
Flüssigkeit
suspendiert
sind,
dadurch
gekennzeichnet,
daß
die
Rückseite
einer
Halbleiterscheibe
mit
den
suspendierten
Hartstoffteilchen
in
Kontakt
gebracht
wird
und
die
Hartstoffteilchen
tangential
zur
Rückseite
bewegt
werden,
wobei
sie
auf
die
Rückseite
der
Halbleiterscheibe
Kräfte
ausüben,
die
im
wesentlichen
nur
tangential
gerichtete
Komponenten
aufweisen.
EuroPat v2
Because
of
its
elastic
surface,
the
roll
is
not
able
to
cause
stacking-fault-induced
damage
on
the
back
of
the
semiconductor
wafer
without
the
supply
of
suspended
hard-material
particles.
Wegen
ihrer
elastischen
Oberfläche
ist
die
Walze
ohne
die
Zuführung
der
suspendierten
Hartstoffteilchen
nicht
in
der
Lage,
eine
stapelfehlerinduzierende
Beschädigung
auf
der
Rückseite
der
Halbleiterscheibe
hervorzurufen.
EuroPat v2
The
hard-material
particles
to
which
the
shearing
forces
are
transmitted
ultimately
generate
the
intended
stacking-fault-induced
damage
on
the
back
of
the
semiconductor
wafer.
Die
Hartstoffteilchen,
auf
die
diese
Kräfte
übertragen
werden,
erzeugen
schließlich
die
beabsichtigte,
stapelfehlerinduzierende
Beschädigung
auf
der
Rückseite
der
Halbleiterscheibe.
EuroPat v2
It
has
been
found
that
the
stacking-fault
density
per
unit
area
which
can
be
achieved
by
the
method
is
dependent
on
a
number
of
parameters
and
can
be
adjusted
by
varying
one
or
more
parameters
systematically.
Es
hat
sich
gezeigt,
daß
die
flächenbezogene
Stapelfehlerdichte,
die
mit
dem
Verfahren
erzielt
werden
kann,
von
einer
Reihe
von
Parametern
abhängig
ist
und
durch
Variation
eines
oder
mehrerer
Parameter
gezielt
eingestellt
werden
kann.
EuroPat v2
In
the
case
of
this
base
material,
it
could
be
determined
that
crystallites
with
a
high
stacking
fault
density
occur
in
the
form
of
crystallographic
twin
planes
in
the
crystallite.
Bei
diesem
Grundwerkstoff
konnte
festgestellt
werden,
daß
Kristallite
mit
hoher
Stapelfehlerdichte
in
Form
von
kristallographischen
Zwillingsebenen
im
Kristallit
auftreten.
EuroPat v2
A
crystal
structure
can
fold
at
a
stacking
fault,
causing
the
crystal
layers
to
stack
up
in
exactly
the
opposite
order
starting
at
the
shift.
An
einem
solchen
Stapelfehler
kann
eine
Kristallstruktur
umklappen,
sodass
sich
die
Kristallebenen
ab
der
Verschiebung
genau
in
umgekehrter
Reihenfolge
stapeln.
ParaCrawl v7.1
The
alloy
according
to
the
invention
solves
many
of
these
problems
by
alloying
the
cobalt
base
with
matching
contents
of
corresponding
suitable
alloying
elements,
which
stabilize
the
austenite,
have
high
solubility
and
lower
the
stacking
fault
energy
(for
example
W,
Mo)
or
raise
it
(for
example
C,
N,
Ni).
Die
erfindungsgemäße
Legierung
erreicht
beides
durch
Legieren
der
Kobaltsbasis
mit
abgestimmten
Gehalten
entsprechend
geeigneter
Legierungselemente,
die
den
Austenit
stabilisieren
eine
hohe
Löslichkeit
besitzen
und
die
Stapelfehlerenergie
senken
(z.B.
W,
Mo)
bzw.
abheben
(z.B.
C,
N,
Ni).
EuroPat v2
Both
elements
increase
the
strength
and
improve
the
corrosion
protection,
but
also
counteract
the
stabilization
of
the
austenite
and
additionally
lower
the
stacking
fault
energy.
Beide
Elemente
erhöhen
die
Festigkeit
und
verbessern
den
Korrosionsschutz,
wirken
jedoch
auch
der
Stabilisierung
des
Austenit
entgegen
und
senken
zudem
die
Stapelfehlerenergie.
EuroPat v2
A
crystal
structure
can
shear
at
such
a
stacking
fault,
whereby
the
crystal
planes
are
stacked
in
exactly
the
reverse
order
starting
at
the
dislocation.
An
einem
solchen
Stapelfehler
kann
eine
Kristallstruktur
umklappen,
so
dass
sich
die
Kristallebenen
ab
der
Verschiebung
genau
in
umgekehrter
Reihenfolge
stapeln.
EuroPat v2
Similarly,
nitrogen
also
stabilizes
the
austenite,
raises
the
stacking
fault
energy
and
increases
the
strength
as
well
as
hardness
by
forming
nitride.
In
ähnlicher
Weise
bewirkt
auch
Stickstoff
eine
Stabilisierung
des
Austenit,
eine
Erhöhung
der
Stapelfehlerenergie
und
eine
Steigerung
der
Festigkeit
beziehungsweise
auch
der
Härte
durch
Nitridbildung.
EuroPat v2
The
addition
of
cobalt
can
bring
about
a
further
increase
in
the
creep
resistance
since
the
alloying
element
cobalt
can
reduce
the
stacking
fault
energy,
so
that
splitting
of
dislocations
occurs
and
makes
climbing
of
the
dislocations
more
difficult
and
thus
increases
the
creep
resistance.
Die
Zugabe
von
Kobalt
kann
die
Kriechbeständigkeit
weiter
erhöhen,
da
das
Legierungselement
Kobalt
die
Stapelfehlerenergie
absenken
kann,
sodass
es
zu
einem
Aufspalten
von
Versetzungen
kommt,
wodurch
das
Klettern
der
Versetzungen
erschwert
und
somit
die
Kriechbeständigkeit
erhöht
wird.
EuroPat v2
Occurs
when
the
order
of
the
crystal
layers
is
reversed
at
a
stacking
fault
–
for
example
from
ABC
to
CBA.
Tritt
auf,
wenn
sich
die
Abfolge
der
Kristall-ebenen
an
einem
Stapelfehler
umkehrt
–
etwa
von
ABC
in
CBA.
ParaCrawl v7.1
Twinning-induced
plasticity:
Under
stress,
the
crystal
structure
folds
at
a
stacking
fault,
and
a
twin
is
formed.
Durch
Zwillingsbildung
induzierte
Plastizität:
Unter
Belastung
klappt
die
Kristallstruktur
an
einem
Stapelfehler
um,
und
es
bildet
sich
ein
Zwilling.
ParaCrawl v7.1
The
arrows
indicate
stacking
faults
and
twin
boundaries.
Die
Pfeile
markieren
Stapelfehler
und
Zwillingsgrenzen.
ParaCrawl v7.1
The
latter
allow
to
conclude
on
defects,
in
particular
stacking-faults
in
the
basal
plane.
Letztere
lassen
Rückschlüsse
auf
Defekte,
insbesondere
Stapelfehler
in
der
Basalebene
zu.
EuroPat v2
The
single-grain
data
indicated
that
stacking
faults
appear
as
precursors
to
the
martensite.
Die
Einzelkorn-Daten
zeigen,
daß
Stapelfehler
als
Vorläufer
des
Martensits
auftauchen.
ParaCrawl v7.1
Stacking
faults
can
be
visualized
as
a
shift
in
the
neatly
arranged
layers
of
atoms.
Stapelfehler
kann
man
sich
als
Verschiebung
in
regelmäßig
aufeinandergestapelten
Atomlagen
vorstellen.
ParaCrawl v7.1
The
number
of
stacking
faults
in
the
thick
n?-layers
can
also
be
reduced
by
means
of
the
bonding.
Auch
lassen
sich
mittels
des
Bondens
die
Anzahl
der
Stapelfehler
bei
den
dicken
n<->-Schichten
verringern.
EuroPat v2
As
a
result,
crystal
faults
form
in
the
epitaxy
layer
(for
instance
due
to
stacking
faults).
Es
bilden
sich
daher
Kristallfehler
in
der
Epitaxieschicht
aus
(z.B.
durch
Stapelfehler).
EuroPat v2
The
rough
interface
zone
with
its
islands
represents
nuclei
for
the
formation
of
lattice
defects,
particularly
stacking
faults
and
dislocation
loops,
during
subsequent
recrystallization.
Die
rauhe
Übergangszone
mit
ihren
Inseln
stellt
Keime
für
die
Bildung
von
Gitterdefekten,
insbesondere
Stapelfehler
und
Versetzungen,
bei
der
späteren
Rekristallisation
dar.
EuroPat v2
Stacking
faults
may
be
made
visible
after
the
oxidation
of
the
discs
by
secco-etching
(2
parts
by
vol.
of
40%
aqueous
hydrofluoric
acid
and
1
vol.
part
of
0.15
molar,
aqueous
potassium
bichromate
solution)
and
they
can
then
be
counted
under
the
microscope.
Die
Stapelfehler
lassen
sich
nach
der
Oxydation
der
Scheiben
durch
Secco-Ätzen
(2
Volumenteile
40gewichtsprozentiger,
wässriger
Flusssäure
und
1
Volumenteil
0,15
molarer,
wässriger
Kaliumbichromatlösung)
sichtbar
machen
und
unter
dem
Mikroskop
auszählen.
EuroPat v2
The
stacking
faults
on
the
rear
side
of
the
discs
are
very
stable
and
do
not
lose
their
effectiveness
even
after
numerous
oxidation
steps
within
the
indicated
temperature
range.
Die
Stapelfehler
in
der
Scheibenrückseite
sind
dabei
sehr
beständig
und
verlieren
ihre
Wirksamkeit
auch
nach
zahlreichen
Oxydationsschritten
innerhalb
der
angegebenen
Temperaturgranzen
nicht.
EuroPat v2
These
defects
are
primarily
stacking
faults
and
dislocation
loops
that
greatly
impair
the
electrical
properties
of
the
junction.
Bei
diesen
Fehlern
handelt
es
sich
in
erster
Linie
um
Stapel-
und
Versetzungsfehler,
die
die
elektrischen
Eigenschaften
des
Übergangs
stark
beeinträchtigen.
EuroPat v2
Since
the
rough
interface
zone
has
been
smoothed
before
recrystallization
proper,
no
stacking
faults
or
dislocation
loops
can
be
found
in
the
previously
amorphous
layer
after
the
epitaxial
growth.
Da
die
rauhe
Übergangszone
vor
der
eigentlichen
Rekristallisation
geglättet
wurde,
sind
nach
dem
epitaktischen
Wachstum
keine
Stapel-
und
Versetzungsfehler
in
der
zuvor
amorphen
Schicht
nachzuweisen.
EuroPat v2
In
addition,
when
the
back
of
the
semiconductor
wafer
is
damaged
by
the
action
of
force
which
is
virtually
undefined
in
relation
to
its
magnitude
and
its
direction,
it
is
unavoidable
that
the
induced
stacking
faults
are
inhomogeneously
distributed
and
electronic
components
fail
because
the
action
of
the
getter
effect
in
their
environment
is
inadequate.
Darüber
hinaus
ist
bei
der
Beschädigung
der
Rückseite
der
Halbleiterscheibe
durch
in
bezug
auf
Größe
und
Richtung
nahezu
undefinierte
Krafteinwirkung
nicht
zu
vermeiden,
daß
die
induzierten
Stapelfehler
inhomogen
verteilt
sind
und
elektronische
Bauelemente
ausfallen,
weil
die
Wirkung
des
Getter-Effekts
in
ihrer
Umgebung
mangelhaft
ist.
EuroPat v2
It
is
an
object
of
the
present
invention
to
provide
a
damage
method
in
which
the
induced
stacking
faults
are
homogeneously
distributed
and
in
which
a
roughening
of
the
back
of
the
semiconductor
wafer
results
in
preventing
the
generation
of
undesirable
particles.
Die
vorliegende
Erfindung
hat
zur
Aufgabe,
ein
Damage-Verfahren
anzugeben,
bei
dem
die
induzierten
Stapelfehler
homogen
verteilt
sind
und
eine
zur
Generierung
unerwünschter
Partikel
führende
Aufrauhung
der
Rückseite
der
Halbleiterscheibe
vermieden
wird.
EuroPat v2
The
induced
stacking
faults,
which
are
homogeneously
distributed,
only
become
visible
after
a
test
oxidation
and
the
incipient
etching
of
the
back.
Die
induzierten
Stapelfehler,
die
homogen
verteilt
sind,
werden
erst
nach
einer
Testoxidation
und
dem
Anätzen
der
Rückseite
sichtbar.
EuroPat v2