Translation of "Operation memory" in German
In
case
of
error,
a
memory
operation
is
repeated.
Im
Fehlerfall
wird
ein
Speichervorgang
wiederholt.
EuroPat v2
Finally,
the
operation
of
the
memory
should
suffer
no
loss
of
reliability.
Schließlich
soll
der
Betrieb
des
Speichers
keine
Einbuße
an
Verläßlichkeit
erleiden.
EuroPat v2
The
mode
of
operation
of
the
memory
element
will
be
described
below.
Die
Funktionsweise
des
Speicherelementes
wird
im
folgenden
erläutert.
EuroPat v2
Accordingly,
the
storing
operation
of
the
memory
unit
2
is
interrupted
by
the
output
31
.
Dementsprechend
wird
über
den
Ausgang
31
der
Speichervorgang
der
Speichereinheit
2
unterbrochen.
EuroPat v2
The
method
according
to
claim
1,
wherein
the
manipulation
function
overwrites
a
return
value
of
a
memory
operation.
Verfahren
nach
Anspruch
1,
wobei
die
Manipulationsfunktion
einen
Wiedergabewert
einer
Speicheroperation
überschreibt.
EuroPat v2
During
normal
operation
of
the
memory
chip,
it
allows
byte-by-byte
masking
of
the
data
in
the
writing
direction.
Er
ermöglicht
im
Normalbetrieb
des
Speicherchips
ein
byteweises
maskieren
der
Daten
in
Schreibrichtung.
EuroPat v2
The
exact
method
of
operation
of
a
memory
RAM
which
is
operated
in
the
single
buffer
mode
and
in
the
dual
buffer
mode
is
explained
in
more
detail
below.
Nachfolgend
wird
die
genaue
Funktionsweise
eines
im
Single-Buffer-Mode
und
im
Dual-Buffer-Mode
betriebenen
Speichers
RAM
genauer
erläutert.
EuroPat v2
The
switching
unit
can
be
switched,
for
example,
during
each
write
access
operation
to
the
memory
cells
in
the
memory.
Das
Schalten
der
Schalteinheit
kann
beispielsweise
bei
jedem
Schreibzugriff
auf
die
Speicherzellen
des
Speichers
erfolgen.
EuroPat v2
I
Ln,
I
Kn
may
be
stored
in
an
installation-dependent
manner
during
initial
operation
of
memory
unit
79
.
I
Ln,
I
Kn
bei
der
Inbetriebnahme
in
der
Speichereinheit
79
installationsabhängig
gespeichert
werden.
EuroPat v2
According
to
another
embodiment
of
the
present
invention,
the
manipulation
function
can
overwrite
a
return
value
of
a
memory
operation.
Gemäß
einer
weiteren
bevorzugten
Ausführungsform
der
vorliegenden
Erfindung
überschreibt
die
Manipulationsfunktion
einen
Wiedergabewert
einer
Speicheroperation.
EuroPat v2
An
important
advantage
of
this
invention
may
consist
of
the
compatibility
with
operation
of
memory
devices.
Ein
wichtiger
Vorteil
der
Erfindung
kann
in
der
Kompatibilität
mit
dem
Betrieb
von
Speichereinrichtungen
bestehen.
EuroPat v2
Once
in
operation,
the
configuration
memory
can
be
deleted
again
by
carrying
out
a
configuration
reset.
Im
späteren
Betrieb
kann
der
Konfigurationsspeicher
bei
Bedarf
durch
einen
Konfigurations-Reset
wieder
gelöscht
werden.
ParaCrawl v7.1
Within
each
memory
storage
unit,
the
interface
logic
circuit,
array
timing
and
refresh
control
circuits
determine
how
data
is
stored
among
the
various
memory
array
units
and
control
its
readout
as
well
as
controlling
the
refresh
operation
of
the
memory
array
units,
independent
of
the
read-in
and
readout
of
data
from
the
controller.
Innerhalb
jedes
Speichers
bestimmen
die
Schnittstellenlogik,
die
Taktschaltung
und
die
Wiederauffrischsteuerung,
wie
die
Daten
auf
die
verschiedenen
Speichereinheiten
zur
Speicherung
verteilt
werden,
und
steuert
das
Auslesen
der
'
Daten
sowie
die
Wiederauffrischung
der
einzelnen
Speichereinheiten
unabhängig
vom
Einlesen
oder
Auslesen
von
Daten
durch
die
Steuerung.
EuroPat v2
In
accordance
with
a
concomitant
mode
of
the
invention,
there
is
provided
a
method
which
comprises
performing
a
diffusion
treatment
following
the
implantation
with
a
doping
material
producing
the
same
conductivity
type
as
the
implantation
at
surface
points
of
the
silicon
crystal
not
covered
during
the
implantation,
and
restricting
the
diffusion
treatment
to
those
points
alone.
Generally,
a
multiplicity
of
memory
cells
combined
into
a
matrix
are
produced
on
the
silicon
crystal
surface
in
common
production
operations,
furthermore
there
is
an
interest
in
producing
as
dense
a
memory
cell
configuration
as
possible,
and
on
the
other
hand,
as
good
an
insulation
as
possible
between
adjacent
memory
cells
is
required
for
the
operation
of
the
memory
cells.
Da
man
im
allgemeinen
an
der
Oberfläche
des
Siliciumkristalls
eine
Vielzahl
von
zu
einer
Matrix
vereinigten
Sp
e
i-cherzellen
in
gemeinsamen
Fertigungsprozessen
erzeugt
und
man
an
einer
möglichst
dichten
Anordnung
der
Speicherzellen
interessiert
ist
und
weil
andererseits
für
den
Betrieb
der
Speicherzellen
eine
möglichst
gute
Isolation
zwischen
benachbarten
Speicherzellen
notwendig
ist,
pflegt
man
vor
der
Herstellung
der
Speicherzellen
das
für
die
Gesamtheit
dieser
Speicherzellen
vorgesehene
Areal
an
der
Oberfläche
des
scheibenförmigen
und
insbesondere
p-dotierten
Siliciumeinkristalls
durch
entsprechend
lokalisierte
Oxydation-
in
einander
gleiche
Bereiche
zu
unterteilen
und
in
jedem
der
auf
diese
Weise
erhaltenen
und
von
einer
rahmenförmigen
dickeren-Oxydschicht
Dox
umgebenen
Bereiche
je
eine
Zwei-Transistor-Speicherzelle
herzustellen.
EuroPat v2
The
mode
of
operation
of
the
memory
cell
according
to
the
invention
is
based
on
the
fact
that,
upon
the
application
of
a
positive
programming
pulse
to
the
gate
electrode,
by
simultaneously
applying
the
programming
voltage
to
the
pn-junction,
the
maximum
field
intensity
will
appear
on
the
p+
-side
of
the
junction
below
the
thin
oxide
within
the
extension
of
the
gate
oxide
area,
and
effects
the
injection
of
hot
electrons,
whereas
upon
application
of
a
negative
pulse,
the
maximum
field
intensity
appears
on
the
n+
-side
of
the
junction
below
the
thin
oxide,
and
leads
to
the
injection
of
hot
holes.
Die
Funktionsweise
der
Speicherzelle
nach
der
Erfindung
beruht
darauf,
daß
bei
Anlegen
eines
positiven
Programmierimpulses
an
die
Gateelektrode
bei
gleichzeitigem
Anliegen
der
Programmierspannung
am
PN-Übergang
die
maximale
Feldstärke
auf
der
P
+-
Seite
des
Übergangs
unter
dem
Dünnoxid
innerhalb
des
Fortsatzes
des
Gateoxidgebietes
auftritt
und
die
Injektion
heißer
Elektronen
bewirkt,
während
bei
Anlegen
eines
negativen
Impulses
die
maximale
Feldstärke
auf
der
N
+-
Seite
des
Übergangs
unter
dem
Dünnoxid
auftritt
und
zur
Injektion
heißer
Löcher
führt.
EuroPat v2
During
the
retouch
operation,
the
mask
memory
122
is
addressed
by
the
address
control
unit
8
via
the
address
bus
54,
whereby
the
image
repetition
memory
7,
the
retouch
memory
49
and
the
mask
memory
122
are
read
out
synchronously
and
true
to
the
image
point.
Während
des
Retuschevorgangs
wird
der
Masken-Speicher
122
von
Adreß-Steuerwerk
8
über
den
Adreß-Bus
54
adressiert,
wodurch
Bildwiederholspeicher
7,
Retusche-Speicher
49
und
Masken-Speicher
122
synchron
und
bildpunktgenau
ausgelesen
werden.
EuroPat v2
As
is
well
known,
the
memory
cells
Zrs
as
well
as
the
read
signal
in
dynamic
MOS
RAM
memories
belong
to
the
critical
points
which
enter
into
the
function
for
the
operation
of
the
memory
in
a
decisive
manner.
Bekanntlich
gehören
bei
dynamischen
MOS-RAM-Speichern
sowohl
die
Speicherzellen
Z
rs
als
auch
das
Lesesignal
zu
den
kritischen
Punkten,
die
entscheidend
in
die
Funktion
für
den
Betrieb
des
Speichers
eingehen.
EuroPat v2
A
cell
testing
circuit
which
can
respond
for
the
test
decoder
TDE
can
be
formed
of
a
word
line
or
a
bit
line.
The
corresponding
cells
of
the
line
have
a
deviation
as
compared
to
the
memory
cells
Zrs
provided
for
the
normal
operation
of
the
memory
device.
Eine
für
den
Testdekoder
TDE
ansprechbare
Zellentestschaltung
kann
nun
aus
einer
Wortleitung
oder
einer
Bitleitung
bestehen,
deren
zugehörige
Zellen
eine
Abweichung
im
Vergleich
zu
den
für
den
Normalbetrieb
der
Speicheranordnung
vorgesehenen
Speicherzellen
Z
rs
aufweisen.
EuroPat v2
If
the
values
are
lower,
the
last
shift
operation
is
retained,
otherwise
the
last
shift
operation
in
memory
49
is
revoked.
Ergeben
sich
dabei
geringere
Werte,
wird
die
letzte
Verschiebeoperation
beibehalten,
ansonsten
wird
die
letzte
Verschiebeoperation
im
Speicher
49
rückgängig
gemacht.
EuroPat v2
If
the
stored
data
is
not
changed
during
operation,
the
memory
device
can
be
a
read-only
memory.
Werden
die
gespeicherten
Daten
im
Betrieb
nicht
verändert,
dann
vereinfacht
sich
die
Speichereinrichtung
zu
einem
Nur-Lese-Speicher.
EuroPat v2