Translation of "Insulated gate bipolar transistor" in German
The
semiconductor
switching
element
then
functions
as
an
IGBT
(Insulated
Gate
Bipolar
Transistor).
Das
Halbleiterschaltelement
funktioniert
dann
als
IGBT
(Insulated
Gate
Bipolartransistor).
EuroPat v2
The
emitter
E
2
of
the
second
insulated
gate
npn
bipolar
transistor
2
is
led
to
the
node
11
.
Der
Emitter
E2
des
zweiten
Insulated
Gate
npn-Bipolartransistors
2
ist
auf
den
Knoten
11
geführt.
EuroPat v2
The
emitter
E
1
of
the
first
insulated
gate
bipolar
transistor
1
is
led
to
the
node
8
.
Der
Emitter
E1
des
ersten
Insulated
Gate
Bipolartransistors
1
ist
auf
den
Knoten
8
geführt.
EuroPat v2
The
emitter
E
2
of
the
second
insulated
gate
bipolar
transistor
2
is
led
to
the
node
11
.
Der
Emitter
E2
des
zweiten
Insulated
Gate
Bipolartransistors
2
ist
auf
den
Knoten
11
geführt.
EuroPat v2
The
emitter
E
1
of
the
first
insulated
gate
npn
bipolar
transistor
1
is
led
to
the
node
8
.
Der
Emitter
E1
des
ersten
Insulated
Gate
npn-Bipolartransistors
1
ist
auf
den
Knoten
8
geführt.
EuroPat v2
Because
of
the
lower
losses,
a
field
effect
transistor
or
an
insulated
gate
bipolar
transistor
(IGBT)
is
preferably
used
for
this
purpose.
Der
geringeren
Verluste
wegen
wird
dabei
bevorzugt
ein
Feldeffekttransistor
oder
ein
sog.
IGBT
(insulated
gate
bipolar
transistor)
eingesetzt.
EuroPat v2
An
example
of
the
medium
power
range,
where
these
structures
are
already
established,
is
the
IGBT
(Insulated
Gate
Bipolar
Transistor).
Ein
Beispiel
für
den
mittleren
Leistungsbereich,
wo
sich
diese
Strukturen
bereits
durchgesetzt
haben,
ist
der
IGBT
(I
nsulated
G
ate
B
ipolar
T
ransistor).
EuroPat v2
It
goes
without
saying
that
instead
of
an
intermediate
circuit
capacitor
bank
(C3),
a
plurality
of
individual
capacitors
can
also
each
be
connected
in
series
with
such
an
insulated
gate
bipolar
transistor
(8).
Es
versteht
sich,
daß
anstelle
einer
Zwischenkreis-Kondensatorbank
(C3)
auch
mehrere
einzelne
Kondensatoren
je
mit
einem
derartigen
Bipolartransistor
mit
isoliertem
Gate
(8)
in
Reihe
geschaltet
sein
können.
EuroPat v2
A
curve
(20)
shows
the
time
characteristic
of
the
current
through
a
defective
insulated
gate
bipolar
transistor,
for
example
(T1),
when
the
fuses
(Si1,
Si2;
Eine
Kurve
(20)
zeigt
den
zeitlichen
Verlauf
des
Stromes
durch
einen
defekten
Bipolartransistor
mit
isoliertem
Gate,
z.
B.
(T1),
bei
Vorhandensein
der
Schmelzsicherungen
(Si1,
Si2;
EuroPat v2
Suitable
switch
elements
are,
for
example,
a
GTO
(Gate
Turn
Off-Thyristor),
IGCT
(Integrated
Gate
Commutated
Thyristor),
IGBT
(Insulated
Gate
Bipolar
Transistor)
or
elements
having
switching
times
which
are
comparable
to
or
shorter
than
said
elements.
Geeignete
Schalterelemente
sind
beispielsweise
GTO
(Gate
Turn
Off-Thyristor),
IGCT
(Integrated
Gate
Commutated
Thyristor),
IGBT
(Insulated
Gate
Bipolar
Transistor)
oder
Elemente
mit
Schaltzeiten,
welche
mit
den
genannten
Elementen
vergleichbar
oder
kürzer
sind.
EuroPat v2
To
achieve
the
best
possible
electrical
characteristics
for
semiconductor
power
switches,
such
as
an
IGBT
(Insulated
Gate
Bipolar
Transistor),
the
thickness
of
the
active
zone
of
a
semiconductor
element
must
be
selected
to
be
as
close
as
possible
to
the
physical
material
boundaries.
Um
bestmögliche
elektrische
Charakteristiken
von
Halbleiter-Leistungsschaltern,
wie
zum
Beispiel
eines
IGBT
(Insulated
Gate
Bipolar
Transistor)
zu
erzielen,
muss
die
Dicke
der
aktiven
Zone
eines
Halbleiterelementes
so
nahe
wie
möglich
an
den
physikalischen
Materialgrenzen
gewählt
werden.
EuroPat v2
The
method
according
to
the
invention
can
be
used
to
manufacture
the
widest
variety
of
semiconductor
elements,
particularly
for
IGBTs
(Insulated
Gate
Bipolar
Transistor),
GTOs
(Gate
turn-off
Thyristor)
or
conventional
thyristors.
Das
erfindungsgemässe
Verfahren
lässt
sich
zur
Herstellung
der
verschiedenartigsten
Halbleiterelemente,
insbesondere
für
IGBTs
(Insulated
Gate
Bipolar
Transistor),
GTOs
(Gate
turn-off
Thyristor)
oder
konventionelle
Thyristoren
verwenden.
EuroPat v2
The
motor
speed
can
be
regulated
with
an
electronic
regulating
device
which
operates
a
power
switch,
for
example
an
IGBT
(Insulated
Gate
Bipolar
Transistor)
for
regulation
of
the
motor
voltage,
in
which
case
a
tachogenerator
of
the
regulating
device,
which
is
carried
on
the
armature
shaft
of
the
motor,
indicates
the
actual
value.
Mit
einer
elektronischen
Regeleinrichtung,
die
einen
Leistungsschalter,
beispielsweise
ein
IGBT
(Insolated
Gate
Bipolar
Transistor)
zur
Regelung
der
Motorspannung
ansteuert,
kann
die
Motordrehzahl
reguliert
werden,
wobei
ein
an
der
Ankerwelle
des
Motors
sitzender
Tachogenerator
der
Regeleinrichtung
den
Istwert
anzeigt.
EuroPat v2
An
intermediate
circuit
capacitor
bank
(C3)
is
connected
in
series
with
an
insulated
gate
bipolar
transistor
(IGBT)
(8),
which
is
normally
on
and
is
switched
off
in
the
event
of
a
fault.
Eine
Zwischenkreis-Kondensatorbank
(C3)
ist
mit
einem
Bipolartransistor
mit
isoliertem
Gate
(IGBT)
(8)
in
Reihe
geschaltet,
der
normalerweise
eingeschaltet
ist
und
in
einem
Fehlerfall
abgeschaltet
wird.
EuroPat v2
A
diode
for
charging
the
intermediate
circuit
capacitor
bank
(C3)
is
reverse-connected
in
parallel
with
the
insulated
gate
bipolar
transistor
(8).
Antiparallel
zu
dem
Bipolartransistor
mit
isoliertem
Gate
(8)
ist
eine
Diode
zum
Aufladen
der
Zwischenkreis-Kondensatorbank
(C3)
geschaltet.
EuroPat v2
D1',
D2')
is,
on
the
cathode
side
with
regard
to
the
insulated
gate
bipolar
transistor,
a
respective
short-circuit
current
limiter
or
a
fuse
(Si1,
Si2;
D1',
D2')
ist
jeweils,
kathodenseitig
bezüglich
des
Bipolartransistors
mit
isoliertem
Gate,
ein
Kurzschlußstrombegrenzer
bzw.
eine
Schmelzsicherung
(Si1,
Si2;
EuroPat v2
It
is
important
that
the
anode-side
current
terminal
of
the
insulated
gate
bipolar
transistor
(T1)
has
a
smaller,
preferably
at
least
10%
smaller,
electrical
resistance
than
the
cathode-side
terminal
of
said
transistor.
Wichtig
ist,
daß
der
anodenseitige
Stromanschluß
des
Bipolartransistors
mit
isoliertem
Gate
(T1)
einen
kleineren,
vorzugsweise
mindestens
10
%
kleineren
elektrischen
Widerstand
als
dessen
kathodenseitiger
Anschluß
aufweist.
EuroPat v2
This
is
achieved
in
accordance
with
the
invention
in
that,
the
switching
component
is
composed
of
a
transistor,
namely
a
FET
(field
effect
transistor)
or
an
IGBT
(insulated
gate
bipolar
transistor),
whose
gate
or
base
is
preconnected
to
a
special
control
circuit
in
such
a
way
that
an
increased
trigger
current
briefly
flows
in
the
trigger
circuit
for
gating
the
switching
component,
and
a
substantially
smaller
holding
current
subsequently
flows
in
the
gated
state,
respectively.
Erfindungsgemäß
wird
dies
dadurch
erreicht,
daß
das
Schaltelement
von
einem
Transistor,
und
zwar
einem
Feldeffekttransistor
(FET)
oder
einem
IGBT
(Insulated
Gate
Bipolar
Transistor),
gebildet
ist,
dessen
Basis
bzw.
Gate
eine
spezielle
Ansteuerschaltung
derart
vorgeschaltet
ist,
daß
im
Ansteuerstromkreis
jeweils
zum
Durchschalten
des
Schaltelementes
kurzzeitig
ein
erhöhter
Ansteuerstrom
und
nachfolgend
im
durchgeschalteten
Zustand
ein
deutlich
geringerer
Haltestrom
fließt.
EuroPat v2
Preferred
examples
of
voltage-controlled
switching
elements
are,
in
particular,
field-effect
transistors,
especially
MOSFETs
or
else
IGBT
(“Insulated
Gate
Bipolar
Transistor”).
Bevorzugte
Beispiele
für
spannungsgesteuerte
Schaltelemente
sind
insbesondere
Feldeffekttransistoren,
vor
allem
MOSFETs,
oder
auch
IGBT
(Insulated
Gate
Bipolar
Transistor").
EuroPat v2
It
is
based
on
an
insulated-gate
bipolar
transistor
(IGBT)
as
claimed
in
the
preamble
of
the
first
claim.
Sie
geht
aus
von
einem
Bipolartransistor
mit
isoliertem
Gate
(IGBT)
nach
dem
Oberbegriff
des
ersten
Anspruchs.
EuroPat v2
Accordingly,
one
object
of
the
invention
is
to
provide
a
novel
insulated-gate
bipolar
transistor
in
which
a
homogeneous
turn-off
current
distribution
is
obtained
by
a
pattern
which
can
be
produced
to
be
completely
self-aligning.
Aufgabe
der
vorliegenden
Erfindung
ist
es
nun,
einen
Bipolartransistor
mit
isoliertem
Gate
anzugeben,
bei
welchem
eine
homogene
Abschaltstromverteilung
durch
eine
Struktur
erreicht
wird,
welche
vollständig
selbstjustierend
hergestellt
werden
kann.
EuroPat v2
Control
signals
for
the
power
semiconductors,
for
example
gate
control
signals
for
an
insulated
gate
bipolar
transistor
(IGBT)
are
passed
from
the
housing
via
a
busbar
and
a
control
terminal
conductor
6
.
Steuersignale
für
die
Leistungshalbleiter,
beispielsweise
Gate-Steuersignale
für
Insulated
Gate
Bipolar
Transistor
(IGBT),
werden
über
eine
Sammelschiene
und
einen
Steuer-Anschlussleiter
6
aus
dem
Gehäuse
geführt.
EuroPat v2
This
publication
describes
a
semiconductor
module
with
a
module
housing,
a
metallic
base
plate
and
a
plurality
of
semiconductor
elements,
in
this
case
IGBT
(Insulated
Gate
Bipolar
Transistor)
chips
and
diodes,
arranged
on
said
base
plate
and
covered
by
said
module
housing.
Diese
Publikation
beschreibt
ein
Halbleitermodul
mit
einem
Modulgehäuse,
einer
metallenen
Basisplatte
und
mehreren
darauf
angeordneten,
vom
Modulgehäuse
überdeckten
Halbleiterelementen,
in
diesem
Fall
IGBT-Chips
(Insulated
Gate
Bipolar
Transistor)
und
Dioden.
EuroPat v2