Translation of "Emission barrier" in German
In
FIG.
3
it
can
furthermore
be
discerned
that
the
charge
carriers
situated
within
the
potential
well
200
formed
by
the
semiconductor
heterostructure
80
cannot
leave
said
potential
well
since
they
cannot
surmount
the
emission
barrier.
In
der
Figur
3
ist
darüber
hinaus
erkennbar,
dass
die
Ladungsträger,
die
sich
innerhalb
des
durch
die
Halbleiterheterostruktur
80
gebildeten
Potentialtopfes
200
befinden,
diesen
nicht
verlassen
können,
weil
sie
die
Emissionsbarriere
nicht
überwinden
können.
EuroPat v2
The
resulting
energetic
height
of
the
emission
barrier
between
the
semiconductor
heterostructure
80
(e.g.
composed
of
GaSb
or
InSb)
and
the
AlAs
barrier
50
a
would
in
this
case
be
for
example
approximately
1
eV
or
1.2
eV,
resulting
in
a
storage
time
of
days
or
years
at
room
temperature.
Die
resultierende
energetische
Höhe
der
Emissionsbarriere
zwischen
der
Halbleiterheterostruktur
80
(z.B.
aus
GaSb
oder
InSb)
und
der
AlAs-Barriere
50a
würde
in
diesem
Fall
beispielsweise
bei
ungefähr
1
eV
oder
1,2
eV
liegen,
wodurch
sich
eine
Speicherzeit
von
Tagen
bzw.
Jahren
bei
Raumtemperatur
ergibt.
EuroPat v2
For
an
AlAs
carrier
layer
90,
a
p-doped
lead
layer
50,
a
p-doped
spacer
layer
110
and
InAs
as
material
for
the
nanostructures
100,
this
results
in
an
emission
barrier
height
of
at
least
0.75
eV
and
thus
storage
times
of
several
milliseconds
at
room
temperature.
Für
eine
AlAs
Trägerschichtschicht
90,eine
p-dotierte
Zuleitungsschicht
50,
eine
p-dotierte
Abstandsschicht
110
und
InAs
als
Material
für
die
Nanostrukturen
100
ergeben
sich
eine
Emissionsbarrierenhöhe
von
mindestens
0,75
eV
und
damit
Speicherzeiten
von
mehreren
Millisekunden
bei
Raumtemperatur.
EuroPat v2
For
an
AlAs
carrier
layer
90,
a
p-doped
lead
layer
50,
a
p-doped
spacer
layer
110
and
GaSb
as
material
for
the
nanostructures
100,
this
results
in
an
emission
barrier
height
of
at
least
1
eV
and
thus
storage
times
of
several
days
at
room
temperature.
Für
eine
AlAs
Trägerschicht
90,
eine
p-dotierte
Zuleitungsschicht
50,
eine
p-dotierte
Abstandsschicht
110
und
GaSb
als
Material
für
die
Nanostrukturen
100
ergeben
sich
eine
Emissionsbarrierenhöhe
von
mindestens
1
eV
und
damit
Speicherzeiten
von
mehreren
Tagen
bei
Raumtemperatur.
EuroPat v2
For
an
AlAs
carrier
layer
90,
a
p-doped
lead
layer
50,
a
p-doped
spacer
layer
110
and
InSb
as
material
for
the
nanostructures
100,
this
results
in
an
emission
barrier
height
of
at
least
1.2
eV
and
thus
storage
times
of
several
years
at
room
temperature.
Für
eine
AlAs
Trägerschicht
90,
eine
p-dotierte
Zuleitungsschicht
50,
eine
p-dotierte
Abstandsschicht
110
und
InSb
als
Material
für
die
Nanostrukturen
100
ergeben
sich
eine
Emissionsbarrierenhöhe
von
mindestens
1,2
eV
und
damit
Speicherzeiten
von
mehreren
Jahren
bei
Raumtemperatur.
EuroPat v2
The
strategic
approach
involves
supporting
six
key
partner
countries
in
formulating
their
individual
reduction
contributions,
introducing
policies
for
transformation
to
lower
emissions,
and
reducing
barriers
to
the
use
of
natural
refrigerants
and
propellants.
These
efforts
will
serve
to
boost
coordination
of
international
initiatives.
Strategisch
werden
mindestens
sechs
wichtige
Partnerländer
darin
unterstützt,
eigene
Minderungsbeiträge
zu
formulieren,
Politiken
zur
Transformation
einzuleiten,
Barrieren
zum
Einsatz
natürlicher
Kälte-
und
Treibmittel
abzubauen
und
dabei
ein
koordiniertes
Vorgehen
internationaler
Initiativen
zu
stärken.
ParaCrawl v7.1
The
strategic
approach
involves
supporting
six
key
partner
countries
in
formulating
their
individual
reduction
contributions,
introducing
policies
for
transformation
to
lower
emissions,
and
reducing
barriers
to
the
use
of
natural
refrigerants
and
propellants.
Strategisch
werden
mindestens
sechs
wichtige
Partnerländer
darin
unterstützt,
eigene
Minderungsbeiträge
zu
formulieren,
Politiken
zur
Transformation
einzuleiten,
Barrieren
zum
Einsatz
natürlicher
Kälte-
und
Treibmittel
abzubauen
und
dabei
ein
koordiniertes
Vorgehen
internationaler
Initiativen
zu
stärken.
ParaCrawl v7.1