Translation of "Anode gate" in German

In the blocking state, a certain reverse current then flows between anode and gate of such an element.
Im blockierenden Zustand fliesst dann ein gewisser Sperrstrom zwischen Anode und Gate eines solchen Elementes.
EuroPat v2
1A which now has a second, anode-side gate structure in a first configuration;
1A, der nunmehr eine zweite, anodenseitige Gatestruktur in einer ersten Konfiguration aufweist;
EuroPat v2
1A which now has a second anode-side gate structure in a second, field controlled configuration,
1A, der nunmehr eine zweite, anodenseitige Gatestruktur in einer zweiten, feldgesteuerten Konfiguration aufweist,
EuroPat v2
This therefore reveals the clear improvement in the turn-off characteristic due to the second anode-side gate.
Hier wird also die deutliche Verbesserung im Abschaltverhalten durch das zweite anodenseitige Gate erkennbar.
EuroPat v2
The core of the invention consists of providing, in addition to the cathode-side first gate structure, present in known manner in a gate-turn-off semiconductor component, a comparable second anode-side gate structure which, when suitably driven, accelerates the drawing-off of the charge carriers during turn-off, reduces the total power loss and, in particular, offers the possibility of a dual cascode circuit in combination with two field effect transistors.
Der Kern der Erfindung besteht darin, neben der bei einem über ein Gate abschaltbaren Halbleiterbauelement in bekannter Weise vorhandenen, kathodenseitigen ersten Gatestruktur eine vergleichbare zweite, anodenseitige Gatestruktur vorzusehen, die bei geeigneter Ansteuerung das Absaugen der Ladungsträger beim Abschalten beschleunigt, die Gesamtverlustleistung verringert und insbesondere die Möglichkeit einer Doppelkaskodenschaltung in Kombination mit zwei Feldeffekttransistoren bietet.
EuroPat v2
The series arrangement 26 with the voltage limiting element 28 and the coupling element 32 is connected in parallel with the anode-gate path of the ignition thyristor 56.
Elektrisch parallel zur Anoden-Gate-Strecke des Zünd­thyristors 56 ist die Reihenschaltung 26 mit dem spannungsbe­grenzenden Element 28 und dem Kopplungselement 32 geschaltet.
EuroPat v2
An equivalent circuit is depicted in FIG. 4 and describes the thyristor of FIG. 3, shows a main thyristor T between a cathode K and an anode A. A gate G is connected via a resistor R to the cathode of a pilot-thyristor auxiliary thyristor HT, whose anode is connected with the anode A of the main thyristor.
Das Ersatzschaltbild von Figur 4 beschreibt den Thyristor mit Amplifying-Gate-Struktur aus Figur 3 und zeigt einen Hauptthyristor T zwischen einer Kathode K und einer Anode A, dessen Gate über einen Widerstand R mit der Kathode eines Hilfsthyristors HT verbunden ist, dessen Anode mit der Anode A des Hauptthyristors verbunden ist.
EuroPat v2
Naturally, the arrangement of a second anode-side gate structure is not restricted to the layer structures of the four illustrative embodiments explained but can be implemented in a simple manner within the scope of the invention in an gate-turn-off semiconductor device.
Es versteht sich, dass die Anordnung einer zweiten anodenseitigen Gatestruktur nicht auf die Schichtstrukturen der vier erläuterten Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern in einfacher Weise bei jedem über ein Gate abschaltbaren Halbleiterbauelement im Rahmen der Erfindung realisiert werden kann.
EuroPat v2
In addition, a series arrangement 66 is connected in parallel with the anode-gate path of the GTO thyristor 2. This series arrangement consists of a voltage limiting element 28 and a resistor 36.
Außerdem ist elektrisch parallel zur Anoden-Gate-Strecke des GTO-Thyristors 2 die Reihenschaltung 66 geschaltet, die aus einem spannungsbegrenzenden Element 28 und einem Widerstand 36 besteht.
EuroPat v2
To implement another method of the present invention for a gate fully controlled thyristor that is controlled by a driving circuit including a turn-on circuit, a turn-off circuit and a blocking circuit, a system connects a series arrangement in parallel with the anode-gate path of the gate fully controlled thyristor. The series arrangement includes a voltage-limiting element and a resistor.
Bei einer weiteren erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens mit einem abschaltbaren Thyristor, der mit einer Ansteuerschaltung, die aus einem Einschaltkreis, einem Ausschaltkreis und einem Sperrkreis besteht, versehen ist, ist elektrisch parallel zur Anoden-Gate-Strecke des abschalt­baren Thyristors eine Reihenschaltung, bestehend aus einem spannungsbegrenzenden Element und einem Widerstand, geschaltet.
EuroPat v2
In order to protect the power thyristor in the event that the zero breakover voltage is exceeded, a breakover diode is connected between the anode and the gate of the power thyristor.
Um den Leistungsthyristor vor Überkopfzünden beim Überschreiten der Nullkippspannung zu schützen, ist zwischen Anode und Gate des Leistungsthyristors eine Breakover-Diode geschaltet.
EuroPat v2
This protection is provided by a minimum of two break over diodes, BOD, elements connected in series, whose combined threshold voltages are smaller than the thyristor's off-state break over voltage and which, having the same polarity as the thyristor, are connected between the thyristor's anode and its gate.
Die Erfindung betrifft eine Schutzbeschaltung für einen Thyristor, mit wenigstens zwei in Serie geschalteten BOD-Elementen, deren Schwellwertspannungen kleiner als die Nullkippspannung des Thyristors ist und die mit gleicher Polung wie der Thyristor zwischen dessen Anode und dessen Gate geschaltet sind.
EuroPat v2
In said circuit the protection against break over ignition of the thyristors when exceeding the off-state break over voltage is provided using high-voltage sweep diodes, also called BOD elements, which are connected to the anode and gate of the thyristor to be protected.
Bei dieser Schaltung wird der Schutz gegen das Überkopfzünden der Thyristoren beim Überschreiten ihrer Nullkippspannung mit Hilfe von Hochspannungskippdioden, auch BOD-Elemente (break over diode) genannt, erhalten, die zwischen Anode und Gate des zu schützenden Thyristors geschaltet sind.
EuroPat v2
In addition to the voltage ratio at the anode and the gate, the current ratio depends in a complex way on the geometric arrangement. SUMMARY OF THE INVENTION
Das Stromverhältnis hängt neben dem Verhältnis der Spannungen an der Anode und am Gate auf komplexe Weise von der geometrischen Anordnung ab.
EuroPat v2
The internal gate voltage then drops back to the holding value (phase d) and the cathode current (=anode current less gate current) falls to zero.
Danach fällt die innere Gatespannung auf den Haltewert zurück (Phase d), und der Kathodenstrom (= Anodenstrom minus Gatestrom) sinkt auf Null.
EuroPat v2
Compared with the anode short circuits used in the prior art, the device according to the invention has the advantage that the additional anode-side gate circuit can be used for influencing the switching behavior by circuit means and that, as described in the text which follows, the device can be used in a novel dual cascode circuit.
Gegenüber den im dem Stand der Technik eingesetzten Anodenkurzschlüssen weist das erfindungsgemässe Bauelement den Vorzug auf, dass mit dem zusätzlichen anodenseitigen Gatekreis schaltungstechnisch auf das Schaltverhalten eingewirkt werden kann, und dass, wie nachfolgend beschrieben, das Bauelement in einer neuartigen Doppelkaskodeschaltung Verwendung finden kann.
EuroPat v2
The anode-side trenches then form a second anode-side gate structure via which the device can be controlled from the outside analogously to the first gate structure.
Die anodenseitigen Gräben bilden nun eine zweite anodenseitige Gatestruktur, über die, analog wie bei der ersten Gatestruktur, das Bauelement von aussen gesteuert werden kann.
EuroPat v2
The effects of the second anode-side gate structure on the switching behavior of the semiconductor device have been investigated by means of a computer simulation which is very close to reality.
Die Auswirkungen der zweiten anodenseitigen Gatestruktur auf das Schaltverhalten des Halbleiterbauelements sind mittels einer sehr realitätsnahen Rechnersimulation untersucht worden.
EuroPat v2
During the turning off, the charge carriers can be more rapidly drawn away from the base area of the component via the second anode-side gate and the turn-off behavior can thus be improved.
Ueber das zweite, anodenseitige Gate können beim Abschalten die Ladungsträger aus dem Basisbereich des Bauelement schneller abgesaugt und damit das Abschaltverhalten verbessert werden.
EuroPat v2
As in the case of V-IGBT, the terminal connected to the reverse side emitter is denoted as the anode, the gate terminal as the gate, and the connection to the source and body diffusions as the cathode.
Wie beim V-IGBT wird der Anschluss, der mit dem rückseitigen Emitter verbunden ist, als Anode bezeichnet, der Steueranschluss als Gate und der Anschluss an die Source- und Body-Diffusionen als Kathode.
EuroPat v2
In the ignition application, a switching element 900 having a typical blocking capability of 400–600 V and connections cathode 901, anode 902 and gate 903 is connected to battery voltage 911 via an ignition coil 912 .
In der Zündapplikation wird ein Schaltelement 900 mit einer typischen Sperrfähigkeit von 400-600V und den Anschlüssen Kathode 901, Anode 902 und Gate 903 über eine Zündspule 912 mit der Batteriespannung 911 verbunden.
EuroPat v2
At time 0 ?s the second gate G 2 is switched off while the first gate G 1 continues to be driven by 10 A. On the anode side, the gate voltage U AG rises within 10 ?s to its maximum value (approximately 800-900 V), while the anode current I A falls to a load-independent value (500 A).
Zum Zeitpunkt 0µs wird das zweite Gate G 2 ausgeschaltet während das erste Gate G 1 weiter mit 10A angesteuert wird. Anodenseitig steigt die Gatespannung U AG innert 10µs auf ihren Maximalwert (ca. 800-900V) an, während der Anodenstrom I A auf einen Lastunabhängigen Wert (500A) abfällt.
EuroPat v2
In summary, the effect of the second anode-side gate can be described as follows: firstly, a further injection of charge carriers from the anode during the turn-off process is suppressed by the controlling action via the second gate Secondly, the charge carriers stored in the base layer are also removed at the anode side.
Zusammenfassend kann die Wirkung des zweiten, anodenseitigen Gates wie folgt beschrieben werden: Erstens wird während dem Abschaltprozess durch die Steuerung über das zweite Gate eine weitere Injektion von Ladungsträgern aus der Anode unterdrückt. Zweitens werden die in der Basisschicht gespeicherten Ladungsträger auch anodenseitig abgeführt.
EuroPat v2
The reverse current is increased by application of a small positive gate current I G2 to the anodal gate.
Durch Anlegen eines geringen positiven Gatestroms I G2 am anodenseitigen Gate wird der Sperrstrom vergrössert.
EuroPat v2
By driving only the anodal gate with a greatly rising gate current I G2 .
Indem nur das anodenseitige Gate mit einem stark ansteigenden Gatestrom I G2 angesteuert wird.
EuroPat v2
In particular in the case of the turn-off operation of the IGDT, the hard driving of the anodal gate leads to a considerable reduction of the turn-off losses in comparison with the conventional IGCT, it being possible to use, in particular, other settings of the lifetime of the charge carriers (lifetime control techniques).
Insbesondere beim Abschaltvorgang des IGDT führt das harte Ansteuern des anodenseitigen Gates zu einer erheblichen Reduktion der Abschalt-Verluste im Vergleich zum herkömmlichen IGCT, wobei insbesondere andere Einstellungen der der Lebensdauer der Ladungsträger (lifetime control techniques) benutzt werden können.
EuroPat v2
Reverse currents can be reduced by the anodal gate of the IGDT by up to 50% compared with conventional IGCTs.
Sperrströme können durch das anodenseitige Gate des IGTDs gegenüber herkömmlichen IGCTs um bis zu 50% reduziert werden.
EuroPat v2
By bringing the cathode current to zero with a greatly rising and sufficiently large gate current I G1, and then reducing the anodal gate current I G2 uniformly back to zero from its maximum value.
Indem mit einem stark ansteigenden und ausreichend grossen Gatestrom I G1 der Kathodenstrom auf Null gebracht wird, und anschliessend der anodenseitige Gatestrom I G2 von seinem Maximalwert gleichmässig auf Null zurückgefahren wird.
EuroPat v2
For this purpose, the anodal second gate G 2 is switched off (the anode current I A is “diverted” with a sufficiently large negative gate current I G2), so that a load current controlled by the cathodal first gate current I G1 is established on the cathode side.
Hierzu wird das anodenseitige zweite Gate G 2 ausgeschaltet (mit einem ausreichend grossen negativen Gatestrom I G2 wird der Anodenstrom I A 'umgeleitet'), so dass sich kathodenseitig ein vom kathodenseitigen ersten Gatestrom I G1 geführter Laststrom einstellt.
EuroPat v2

Related phrases

anodic gate out gate-to-gate anodes
nor gate Gate not gate gating
and-gate