Übersetzung für "Spin state" in Deutsch
Iron
(II)
compounds,
for
instance,
may
exist
in
a
high
and
a
low
spin
state.
So
können
Eisen(II)-Verbindungen
in
einem
hohen
und
einem
niedrigen
Spinzustand
vorliegen.
ParaCrawl v7.1
The
light
pulses
only
removed
the
marked
atoms,
since
they
were
set
to
their
spin
state.
Die
Lichtpulse
entfernten
dabei
nur
die
markierten
Atome,
weil
sie
auf
deren
Spinzustand
abgestimmt
waren.
ParaCrawl v7.1
These
semiconducting
compounds
are
characterized
by
a
spin-polarized
ferromagnetic
state
at
low
temperatures.
Diese
halbleitende
Verbindung
zeichnet
sich
bei
niedrigen
Temperaturen
durch
einen
spinpolarisierten,
ferromagnetischen
Zustand
aus.
EuroPat v2
Gerald
Celente
puts
an
interesting,
truthful
spin
on
the
state
of
the
American
and
world
economy.
Gerald
Celente
versetzt
dem
Zustand
der
amerikanischen
und
der
Weltwirtschaft
eine
wahrhaft
interessante
Drehung.
ParaCrawl v7.1
Such
a
spin
polarized
semiconductor,
in
which
the
spin-polarized
(magnetic)
state
exists
at
temperatures
of
250
Kelvin
and
above,
is
in
turn
suitable
for
injecting
spin
polarization
into
a
first
semiconducting
layer,
which
is
formed
by
a
traditional
semiconductor
(not
magnetic)
which
is
especially
suitable
for
rapid
switching
operations,
e.g.,
GaAs,
Si
or
by
some
other
elemental
semiconductor
and/or
conventional
III-V
or
II-VI
semiconductors.
Der
hierdurch
gebildete
ferromagnetische
Halbleiter,
in
dem
der
spinpolarisierte
(magnetische)
Zustand
bei
Temperaturen
von
250
Kelvin
und
darüber
besteht,
eignet
sich
wiederum
zum
Injizieren
einer
Spinpolarisation
in
der
ersten
halbleitenden
Schicht,
die
durch
einen
klassischen
(nicht
magnetischen)
und
für
schnelle
Schaltvorgänge
besonders
geeigneten
Halbleiter,
wie
z.B.
GaAs,
Si
oder
einen
anderen
Elementhalbleiter
bzw.
konventionellen
III-V
oder
II-VI
Halbleiter
gebildet
wird.
EuroPat v2
Free
Spin
terms
state
that
you
have
to
make
a
qualifying
deposit
between
multiple
no
deposit
casino
bonuses
to
be
able
to
make
a
cash
out.
Freispiel
Bedingungen,
die
Sie
haben,
um
eine
qualifizierende
Einzahlung
zwischen
mehrere
casino
Bonusse
ohne
Einzahlung
in
der
Lage
sein,
um
eine
cash-out.
ParaCrawl v7.1
Free
Spin
terms
state
that
you
must
make
a
deposit
between
no
deposit
bonuses
to
be
able
to
process
a
withdraw.
Freispiel
Bedingungen,
müssen
Sie
eine
Einzahlung
machen
zwischen
No
Deposit
Bonusse
um
verarbeiten
zu
können,
werden
eine
Auszahlung.
ParaCrawl v7.1
Finally,
spin
polarization
of
the
ejected
electron
is
firmly
linked
to
the
creation
of
the
parent
ion
in
an
initially
spin-polarized
state.
Abschließend,
die
Spinpolarisation
des
herausgelösten
Elektrons
ist
fest
verbunden
mit
der
Erzeugung
des
Mutter-Ions
in
einem
anfänglich
spinpolarisierten
Zustand.
ParaCrawl v7.1
The
goal
of
creating
such
an
arrangement
is
to
produce
in
a
semiconducting
material,
e.g.,
GaAs
or
Si,
which
can
be
used
to
produce
semiconductor
components
a
spin
state
having
the
highest
possible
polarization,
so
that
not
only
the
charge
carriers
as
such
but
also
the
spin
of
the
charge
carriers
in
the
semiconductor
component
serve
as
an
information
medium.
Ziel
der
Schaffung
einer
derartigen
Anordnung
ist
es,
in
einem
zur
Herstellung
von
Halbleiterbauelementen
verwendbaren
halbleitenden
Material,
wie
z.B.
GaAs
oder
Si,
einen
möglichst
hochpolarisierten
Spinzustand
zu
erzeugen,
so
dass
in
dem
Halbleiterbauelement
nicht
nur
die
Ladungsträger
als
solche
sondern
zusätzlich
auch
der
Spin
der
Ladungsträger
als
Informationsträger
dient.
EuroPat v2
For
the
purposes
of
this
invention,
phosphorescence
is
taken
to
mean
luminescence
from
an
excited
state
with
relatively
high
spin
multiplicity,
i.e.
a
spin
state
>1,
in
particular
from
an
excited
triplet
state.
Unter
Phosphoreszenz
im
Sinne
dieser
Erfindung
wird
die
Lumineszenz
aus
einem
angeregten
Zustand
mit
höherer
Spinmultiplizität
verstanden,
also
einem
Spinzustand
>
1,
insbesondere
aus
einem
angeregten
Triplettzustand.
EuroPat v2
This
invention
relates
to
a
semiconductor
array
having
a
semiconductor
layer
and
a
layer
of
a
ferromagnetic
material
coupled
to
it,
wherein
the
layer
of
ferromagnic
material
injects
a
spin-polarized
state
of
semiconducting
charge
carriers
into
the
semiconductor
layer.
Die
Erfindung
betrifft
eine
Halbleiteranordnung
mit
einer
halbleitenden
Schicht
und
einer
hiermit
gekoppelten
Schicht
aus
einem
ferromagnetischen
Material,
die
in
der
halbleitenden
Schicht
einen
spinpolarisierten
Zustand
der
halbleitenden
Ladungsträger
injiziert.
EuroPat v2
Accordingly,
a
first
semiconductor
layer
(preferably
formed
from
GaAs
or
Si)
is
coupled
to
a
second
semiconducting
layer
of
a
ferromagnetic
material
(e.g.,
EuS),
so
that
a
spin-polarized
state
of
the
semiconducting
charge
carriers
is
injected
into
the
first
semiconducting
layer,
and
the
second
semiconducting
layer
interacts
with
charge
carriers
outside
of
the
second
semiconducting
layer
(which
are,
e.g.,
made
available
through
an
additional
metal
layer),
to
create
a
highly
spinpolarized
state
of
the
second
semiconducting
layer
at
a
temperature
of
at
least
250
Kelvin,
preferably
at
at
least
270
Kelvin
and
especially
preferably
at
at
least
300
Kelvin.
Danach
ist
die
(vorzugsweise
durch
GaAs
oder
Si
gebildete)
halbleitende
Schicht
mit
einer
zweiten
halbleitenden
Schicht
aus
einem
ferromagnetischen
Material
(EuS)
gekoppelt,
so
dass
in
der
ersten
halbleitenden
Schicht
ein
spinpolarisierter
Zustand
der
halbleitenden
Ladungsträger
injiziert
wird,
wobei
die
zweite
halbleitende
Schicht
derart
mit
Ladungsträgern
außerhalb
der
zweiten
halbleitenden
Schicht,
die
durch
eine
zusätzliche
Metallschicht
zur
Verfügung
gestellt
werden,
wechselwirkt,
dass
die
Curie-Temperatur
der
zweiten
halbleitenden
Schicht
mindestens
250
Kelvin,
vorzugsweise
mindestens
270
Kelvin
und
besonders
bevorzugt
mindestens
300
Kelvin,
beträgt.
EuroPat v2
The
rare
earths,
e.g.,
Eu
and
Gd,
are
particularly
well
suited
because
they
include
elements
having
a
half-filled
f
shell
which
therefore
have,
at
low
temperatures,
a
completely
spin-polarized
ground
state.
Die
seltenen
Erden
sind
hierfür
deshalb
besonders
gut
geeignet,
weil
es
hierunter
Elemente
mit
einer
halbgefüllten
f-Schale,
wie
z.B.
Eu
und
Gd
gibt,
die
dementsprechend
bei
niedrigen
Temperaturen
einen
vollständig
spinpolarisierten
Grundzustand
aufweisen.
EuroPat v2
Accordingly,
a
ferromagnetic
semiconductor
having
a
resistance
similar
to
that
of
GaAs
or
Si
and
also
having
a
spin-polarized
(ferromagnetic)
state
at
low
temperatures
can
be
created
by
combining
a
rare
earth
element
with
the
respective
crystal-forming
substance.
Im
Ergebnis
kann
also
beispielsweise
durch
die
Kombination
eines
Elementes
der
seltenen
Erden
mit
einem
zugeordneten
Kristallbildner
ein
ferromagnetischer
Halbleiter
geschaffen
werden,
der
einen
ähnlichen
Widerstand
aufweist
wie
GaAs
oder
Si
und
zudem
bei
niedrigen
Temperaturen
einen
spinpolarisierten
(ferromagnetischen)
Zustand
aufweist.
EuroPat v2