Übersetzung für "Spin state" in Deutsch

Iron (II) compounds, for instance, may exist in a high and a low spin state.
So können Eisen(II)-Verbindungen in einem hohen und einem niedrigen Spinzustand vorliegen.
ParaCrawl v7.1

The light pulses only removed the marked atoms, since they were set to their spin state.
Die Lichtpulse entfernten dabei nur die markierten Atome, weil sie auf deren Spinzustand abgestimmt waren.
ParaCrawl v7.1

These semiconducting compounds are characterized by a spin-polarized ferromagnetic state at low temperatures.
Diese halbleitende Verbindung zeichnet sich bei niedrigen Temperaturen durch einen spinpolarisierten, ferromagnetischen Zustand aus.
EuroPat v2

Gerald Celente puts an interesting, truthful spin on the state of the American and world economy.
Gerald Celente versetzt dem Zustand der amerikanischen und der Weltwirtschaft eine wahrhaft interessante Drehung.
ParaCrawl v7.1

Such a spin polarized semiconductor, in which the spin-polarized (magnetic) state exists at temperatures of 250 Kelvin and above, is in turn suitable for injecting spin polarization into a first semiconducting layer, which is formed by a traditional semiconductor (not magnetic) which is especially suitable for rapid switching operations, e.g., GaAs, Si or by some other elemental semiconductor and/or conventional III-V or II-VI semiconductors.
Der hierdurch gebildete ferromagnetische Halbleiter, in dem der spinpolarisierte (magnetische) Zustand bei Temperaturen von 250 Kelvin und darüber besteht, eignet sich wiederum zum Injizieren einer Spinpolarisation in der ersten halbleitenden Schicht, die durch einen klassischen (nicht magnetischen) und für schnelle Schaltvorgänge besonders geeigneten Halbleiter, wie z.B. GaAs, Si oder einen anderen Elementhalbleiter bzw. konventionellen III-V oder II-VI Halbleiter gebildet wird.
EuroPat v2

Free Spin terms state that you have to make a qualifying deposit between multiple no deposit casino bonuses to be able to make a cash out.
Freispiel Bedingungen, die Sie haben, um eine qualifizierende Einzahlung zwischen mehrere casino Bonusse ohne Einzahlung in der Lage sein, um eine cash-out.
ParaCrawl v7.1

Free Spin terms state that you must make a deposit between no deposit bonuses to be able to process a withdraw.
Freispiel Bedingungen, müssen Sie eine Einzahlung machen zwischen No Deposit Bonusse um verarbeiten zu können, werden eine Auszahlung.
ParaCrawl v7.1

Finally, spin polarization of the ejected electron is firmly linked to the creation of the parent ion in an initially spin-polarized state.
Abschließend, die Spinpolarisation des herausgelösten Elektrons ist fest verbunden mit der Erzeugung des Mutter-Ions in einem anfänglich spinpolarisierten Zustand.
ParaCrawl v7.1

The goal of creating such an arrangement is to produce in a semiconducting material, e.g., GaAs or Si, which can be used to produce semiconductor components a spin state having the highest possible polarization, so that not only the charge carriers as such but also the spin of the charge carriers in the semiconductor component serve as an information medium.
Ziel der Schaffung einer derartigen Anordnung ist es, in einem zur Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendbaren halbleitenden Material, wie z.B. GaAs oder Si, einen möglichst hochpolarisierten Spinzustand zu erzeugen, so dass in dem Halbleiterbauelement nicht nur die Ladungsträger als solche sondern zusätzlich auch der Spin der Ladungsträger als Informationsträger dient.
EuroPat v2

For the purposes of this invention, phosphorescence is taken to mean luminescence from an excited state with relatively high spin multiplicity, i.e. a spin state >1, in particular from an excited triplet state.
Unter Phosphoreszenz im Sinne dieser Erfindung wird die Lumineszenz aus einem angeregten Zustand mit höherer Spinmultiplizität verstanden, also einem Spinzustand > 1, insbesondere aus einem angeregten Triplettzustand.
EuroPat v2

This invention relates to a semiconductor array having a semiconductor layer and a layer of a ferromagnetic material coupled to it, wherein the layer of ferromagnic material injects a spin-polarized state of semiconducting charge carriers into the semiconductor layer.
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einer halbleitenden Schicht und einer hiermit gekoppelten Schicht aus einem ferromagnetischen Material, die in der halbleitenden Schicht einen spinpolarisierten Zustand der halbleitenden Ladungsträger injiziert.
EuroPat v2

Accordingly, a first semiconductor layer (preferably formed from GaAs or Si) is coupled to a second semiconducting layer of a ferromagnetic material (e.g., EuS), so that a spin-polarized state of the semiconducting charge carriers is injected into the first semiconducting layer, and the second semiconducting layer interacts with charge carriers outside of the second semiconducting layer (which are, e.g., made available through an additional metal layer), to create a highly spinpolarized state of the second semiconducting layer at a temperature of at least 250 Kelvin, preferably at at least 270 Kelvin and especially preferably at at least 300 Kelvin.
Danach ist die (vorzugsweise durch GaAs oder Si gebildete) halbleitende Schicht mit einer zweiten halbleitenden Schicht aus einem ferromagnetischen Material (EuS) gekoppelt, so dass in der ersten halbleitenden Schicht ein spinpolarisierter Zustand der halbleitenden Ladungsträger injiziert wird, wobei die zweite halbleitende Schicht derart mit Ladungsträgern außerhalb der zweiten halbleitenden Schicht, die durch eine zusätzliche Metallschicht zur Verfügung gestellt werden, wechselwirkt, dass die Curie-Temperatur der zweiten halbleitenden Schicht mindestens 250 Kelvin, vorzugsweise mindestens 270 Kelvin und besonders bevorzugt mindestens 300 Kelvin, beträgt.
EuroPat v2

The rare earths, e.g., Eu and Gd, are particularly well suited because they include elements having a half-filled f shell which therefore have, at low temperatures, a completely spin-polarized ground state.
Die seltenen Erden sind hierfür deshalb besonders gut geeignet, weil es hierunter Elemente mit einer halbgefüllten f-Schale, wie z.B. Eu und Gd gibt, die dementsprechend bei niedrigen Temperaturen einen vollständig spinpolarisierten Grundzustand aufweisen.
EuroPat v2

Accordingly, a ferromagnetic semiconductor having a resistance similar to that of GaAs or Si and also having a spin-polarized (ferromagnetic) state at low temperatures can be created by combining a rare earth element with the respective crystal-forming substance.
Im Ergebnis kann also beispielsweise durch die Kombination eines Elementes der seltenen Erden mit einem zugeordneten Kristallbildner ein ferromagnetischer Halbleiter geschaffen werden, der einen ähnlichen Widerstand aufweist wie GaAs oder Si und zudem bei niedrigen Temperaturen einen spinpolarisierten (ferromagnetischen) Zustand aufweist.
EuroPat v2