Übersetzung für "Floating electrode" in Deutsch

In one embodiment, the third internal electrode is embodied as a floating internal electrode.
Die dritte Innenelektrode ist in einer Ausführungsform als schwebende Innenelektrode ausgeführt.
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The component could therefore have a single floating electrode.
So könnte das Bauelement eine einzige floatende Elektrode aufweisen.
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Therefore, this shielding structure is also called a “floating” electrode.
So wird die Abschirmstruktur auch als "schwebende" Elektrode bezeichnet.
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The first gate electrode is preferably configured as a floating gate electrode.
Dabei ist die erste Gateelektrode als floatende Gateelektrode ausgebildet.
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A different charge of the floating gate electrode results in different threshold voltages of the transistor.
Eine unterschiedliche Ladung der Floating-Gateelektrode führt zu unterschiedlichen Einsatzspannungen des Transistors.
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The floating gate electrode overlaps the surface of the substrate outside the depression.
Die Floating-Gateelektrode überlappt außerhalb der Vertiefung die Oberfläche des Substrats.
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The floating gate electrode is disposed on four sidewalls and a bottom of a depression.
Die Floating-Gateelektrode ist an vier Flanken und einem Boden einer Vertiefung angeordnet.
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The floating gate electrode is electrically insulated from the MOS-FET by a first dielectric.
Die Floating-Gateelektrode wird durch ein erstes Dielektrikum von dem MOS-FET elektrisch isoliert.
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The depression is constricted but not filled by the floating gate electrode.
Die Vertiefung wird durch die Floating-Gateelektrode verengt, aber nicht ausgefüllt.
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It is advantageous if the floating gate electrode does not project appreciably from the depression.
Es ist vorteilhaft, wenn die Floating-Gateelektrode nicht nennenswert aus der Vertiefung herausragt.
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The control gate electrode is isolated from the floating gate electrode by a second dielectric layer.
Die Kontroll-Gateelektrode ist durch ein zweites Dielektrikum von der Floating-Gateelektrode getrennt.
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A dielectric layer made of an oxide-nitride-oxide layer sequence is situated between the floating gate electrode and the control gate electrode.
Zwischen der Floating-gate-Elektrode und der Kontroll-gate-Elektrode befindet sich eine Dielektrikumschicht aus einer Oxid-Nitrid-Oxid-Schichtfolge.
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The goal is the tracking of the potential of the reference electrode to the potential of the noncontacting floating gate electrode.
Ziel ist die Nachführung des Potentials der Referenzelektrode auf das Potential der nicht kontaktierten Floating-Gate-Elektrode.
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The capacitance well is used to shield the floating gate electrode and is accordingly connected to ground.
Das Capacitance well wird zur Abschirmung der floatenden Gate-Elektrode verwendet und ist entsprechend auf Masse gelegt.
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This decoupling of potential U FG can be effected capacitively directly from the floating gate electrode 2 .
Diese Auskoppelung der Spannung U FG kann kapazitiv direkt aus der Floating-Gate-Elektrode 2 erfolgen.
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Disposed in the chamber is a grounded or floating counter-electrode with a substrate disposed thereon.
In der Kammer ist eine geerdete oder schwebende Gegenelektrode mit einem darauf angeordneten Substrat angeordnet.
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In the lastmentioned example, the amplifier 52 would be connected to the lower part of the electrode 43, which then represents a floating-gate electrode, and the charge devices 44 to 47 are omitted.
In dem letztgenannten Fall ist der Verstärker 52 an den untersten Teil der Elektrode 43, der dann eine "Floating Gate"-Elektrode darstellt, angeschlossen, wobei die Ladungsverschiebeeinrichtungen 44 bis 47 entfallen.
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The floating gate electrode which represents a part of the output of such stage then lies beneath one of the four electrodes belonging to such a stage.
Unter jeweils einer der vier zu einer solchen Stufe gehörenden Elektroden befindet sich dann die einen Teil des Ausgangs dieser Stufe darstellende Floating-Gate-Elektrode.
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A dash line 18 indicates that, subsequently to the production of the (floating) gate electrode Fg, the entire arrangement has been covered with a protective layer deposited thereon.
Die gestrichelte Linie 18 deutet an, dass nach dem Herstellen der Gate-Elektrode Fg die gesamte Anordnung mit einer darüber abgelagerten Schutzschicht bedeckt worden ist.
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In the latter case, the output 40A is then connected to the lowest part of the electrode 43, which then represents a "floating gate" electrode, whereby the charge transfer device 44-47 can be omitted.
In dem letztgenannten Fall ist der Ausgang 40A.an den untersten Teil der Elektrode 43, der dann eine "Floating-Gate"-Elektrode darstellt, angeschlossen, wobei die Ladungsverechiebeanordnungen 44 bis 47 entfallen.
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In the interest of a favorable and defined erase function when the information content stored in the respective memory cell changes, it would be advantageous if the oxide supporting the floating gate electrode of the first MOS field effect transistor were made thinner in a defined manner in the erase area, than in the channel area of the first MOS field effect transistor.
Im Interesse einer günstigen und definierten Löschfunktion bei Abänderung des in der betreffenden Speicherzelle gespeicherten Informationsgehaltes wäre es vorteilhaft, wenn das die schwebende Gateelektrode des ersten MOS-Feldeffekttransistors der Speicherzelle tragende Oxyd im Löschbereich in definierter Weise dünner als im Kanalbereich des ersten MOS-Feldeffekttransistors eingestellt wird.
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Between the floating-gate electrode and the channel area there is used an extremely thin thermal nitride (9.5 nm) which, for its manufacture, requires a thermal nitration process requiring high temperatures ranging between 1,200° and 1,300° C. which are not compatible with modern standard technologies.
Zwischen der Floating-Gateelektrode und dem Kanalbereich wird ein extrem dünnes thermisches Nitrid (9,5 nm) verwendet, zu dessen Herstellung ein thermischer Nitridierungsprczess erforderlich ist, der hohe Temperaturen zwischen 1200 und 1300°C benötigt, die mit modernen Standard- Technologien nicht kompatibel sind.
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Non-volatile, readable semiconductor storage elements, such as MNOS field-effect transistors or alternately field-effect transistors with a gate electrode floating with respect to a potential, are known to have the property that the storage capability thereof decreases as the number of programming operations increases, with this being referred to as a degradation.
Die nichtflüchtig lesbaren Halbleiterspeicherelemente, wie MNOS-Feldeffekttransistoren als auch Feldeffekttransistoren mit potentialmäßig schwebender Gateelektrode, haben nämlich die Eigenschaft, daß ihre Speicherfähigkeit mit der Zahl der Umprogrammierungen abnimmt, was als Degradation bezeichnet wird.
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Each of the storage cells comprises a tunnel injector which is capable of tunnelling electrons through a sufficiently thin oxide layer, in both directions towards an electrically floating gate electrode.
Jede der Speicherzellen enthält einen Tunnelinjektor, der in der Lage ist, in beiden Richtungen zu einer elektrisch schwebenden Elektrode Elektronen durch eine ausreichend dünne Oxidschicht tunneln zu lassen.
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This storage cell comprises a memory transistor Ts with a potentially floating gate electrode Fg on which, by means of a tunnel oxide area in a thickness of less than 200 Å, and injector I is realized on the drain region of the memory transistor Ts.
Diese weist einen Speichertransistor Ts mit einer potentialmäßig schwebenden Elektrode Fg auf, an der mittels eines Tunneloxidbereichs in einer Dicke von weniger als 200 X ein Injektor I an der Drainzone des Speichertransistors Ts realisiert wird.
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Through the tunnel oxide area, electrons can be injected in both directions either into or out of the potentially floating gate electrode Fg.
Durch den Tunneloxidbereich können in beiden Richtungen Elektronen in die oder aus der potentialmäßig schwebenden Gateelektrode Fg injiziert werden.
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Ähnliche Begriffe

float over float float down float off
to float float above floating electrode floating
floats to be floated