Übersetzung für "Depletion mode" in Deutsch
This
negative
potential
turns
off
only
the
desired
depletion-mode
field-effect
transistors.
Durch
dieses
negative
Potential
werden
lediglich
die
gewünschten
Feldeffekttransistoren
vom
Verarmungstyp
abgeschaltet.
EuroPat v2
Both
current
supplies
are
preferably
depletion
mode
MOSFETS
that
respectively
have
their
gate
terminals
connected
to
their
source
terminals.
Beide
Stromquellen
sind
vorzugsweise
Depletion-MOSFET,
deren
Gateanschlüsse
jeweils
mit
den
Sourceanschlüssen
verbunden
sind.
EuroPat v2
The
first
impedance
device
1
may
be
a
depletion
mode
FET
device
having
a
gate
connected
to
a
third
periodic
voltage
pulse
A3
whose
voltage
rises
to
an
on-state
voltage
after
the
second
periodic
voltage
pulse
A2
rises
to
an
on-state
voltage.
Das
erste
Impedanzelement
1
kann
ein
FET
vom
Verarmungstyp
sein,
dessen
Gateelektrode
an
einem
dritten
periodischen
Spannungsimpuls
A3
angeschlossen
ist,
dessen
Spannung
auf
eine
dem
Einzustand
entsprechende
Spannung
ansteigt,
nachdem
der
zweite
periodische
Spannungsimpuls
A2
auf
eine
dem
Einzustand
entsprechende
Spannung
ansteigt.
EuroPat v2
The
latter
consists
of
the
transistor
et3,
whose
gate
is
connected
to
the
gate
of
the
output-stage
transistor
et2
and
whose
source
is
grounded,
and
the
depletion-mode
transistor
dt,
used
as
a
load
device
and
having
its
drain
connected
to
the
supply
voltage
+u.
Dieser
besteht
aus
dem
Transistor
et3,
der
mit
seinem
Gate
am
Gate
des
Endstufen-Transistors
et2
und
mit
der
Source
am
Schaltungsnullpunkt
liegt,
und
aus
dem
Depletion-Transistor
dt
als
Lastejement,
dessen
Drain
mit
der
Versorgungsspannung
+u
verbunden
ist.
EuroPat v2
To
produce
the
short
circuit
between
the
electrodes
and
the
selected
memory
cells
again,
the
word
line
connected
to
the
corresponding
depletion-mode
field-effect
transistor,
that
is
to
say
the
word
line
WL
3
in
the
present
example,
is
brought
back
to
0
V.
Um
den
Kurzschluß
der
Elektroden
mit
den
selektierten
Speicherzellen
wiederherzustellen,
wird
die
Wortleitung,
die
mit
dem
entsprechenden
Feldeffekttransistor
vom
Verarmungstyp
verbunden
ist,
also
im
vorliegenden
Beispiel
die
Wortleitung
WL3,
wieder
auf
0
V
zurückgebracht.
EuroPat v2
Since
the
threshold
voltage
of
the
depletion-mode
field-effect
transistors
is
chosen
to
be
correspondingly
acutely
negative,
these
field-effect
transistors
are
then
still
turned
on
after
the
common
electrode
PL
has
been
charged
to
VDD/2.
Da
nun
die
Einsatzspannung
der
Feldeffekttransistoren
vom
Verarmungstyp
entsprechend
stark
negativ
gewählt
ist,
leiten
diese
Feldeffekttransistoren
auch
dann
noch,
nachdem
die
gemeinsame
Elektrode
PL
auf
VDD/2
aufgeladen
wurde.
EuroPat v2
In
the
above
example
of
a
DRAM
having
n-channel
MOS
field-effect
transistors
for
the
selection
transistors,
depletion-mode
field-effect
transistors
can
thus
advantageously
be
used
for
the
short-circuit
transistors.
In
dem
obigen
Beispiel
eines
DRAMs
mit
n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistoren
für
die
Auswahltransistoren
können
so
in
vorteilhafter
Weise
für
die
Kurzschlußtransistoren
Feldeffekttransistoren
vom
Verarmungstyp
eingesetzt
werden.
EuroPat v2
Depletion
mode
MOSFET
T2
is
dimensioned
so
that
at
UGS
=0
V
it
draws
less
current
than
electronic
switch
1
supplies
at
its
output
terminal
6.
Der
Depletion-Transistor
T
2
ist
so
dimensioniert,
daß
er
bei
U
GS
=
0
V
weniger
Strom
zieht
als
der
elektronische
Schalter
an
seiner
Ausgangsklemme
6
liefert.
EuroPat v2
To
establish
the
reversal
point,
depletion
mode
MOSFET
T
2
is
dimensioned
so
that
at
the
temperature
at
which
reversal
is
to
take
place,
i.e.
at
which
signal
H
is
to
be
indicated,
it
demands
a
current
which
is
as
great
as
the
current
which
transistor
T
1
carries
at
this
temperature.
Zur
Festlegung
des
Umschaltpunktes
wird
der
Depletion-MOSFET
T
2
derart
dimensioniert,
daß
er
bei
derjenigen
Temperatur,
bei
der
umgeschaltet,
d.
h.
Signal
H
angezeigt
werden
soll,
einen
eingeprägten
Strom
führt,
der
so
groß
ist
wie
derjenige
Strom,
den
T
1
bei
dieser
Temperatur
führt.
EuroPat v2
Depletion
MODE
MOSFET
T
2
can
also
be
integrated
on
chip
1
and
is
appropriately
seated
at
a
point
away
from
the
center
of
active
surface
2,
for
example
at
the
edge
of
chip
1.
Der
Depletion-MOSFET
T
2
kann
auch
auf
das
Chip
integriert
werden
und
sitzt
zweckmäßigerweise
an
einer
von
der
Mitte
der
aktiven
Fläche
2
entfernten
Stelle,
beispielsweise
am
Rand
des
Chips.
EuroPat v2
Since
depletion-made
transistors
are
used
as
load
resistors
of
the
amplifier
transistors,
the
distortions
of
this
amplifier
are
mainly
determined
by
these
depletion-mode
transistors,
i.e.
in
two
different
ways,
namely
on
one
hand
by
the
chiefly
square
current-voltage
characteristic
of
the
load
transistor
and,
on
the
other
hand,
by
the
dependence
of
the
gate-threshold
voltage
upon
the
source-drain
voltage.
Da
als
Arbeitswiderstand
der
Verstärkertransistoren
Depletiontransistoren
dienen,
werden
die
Verzerrungen
dieses
Verstärkers
von
diesen
Depletiontransistoren
im
wesentlichen
bestimmt,
und
zwar
auf
zweifache
Weise,
nämlich
zum
einen
durch
die
im
wesentlichen
quadratische
Strom-Spannungskennlinie
des
Lasttransistors
und
andererseits
durch
die
Abhängigkeit
der
Gate-Schwellspannung
von
der
Source-Drain-Spannung.
EuroPat v2
The
cross-coupling
path
connecting
the
drain
of
field
effect
transistor
T3
to
the
gate
of
field
effect
transistor
T7
includes
capacitor
C1
and
a
level
shifting
circuit
comprising
depletion
mode
field
effect
transistors
T6
and
T4.
Der
Kreuzkopplungspfad
zwischen
der
Drain
des
Transistors
T3
und
dem
Gate
des
Transistors
T7
enthält
eine
Kapazität
C1
und
eine
Pegelverschiebungsstufe,
die
sich
aus
den
dem
Verarmungstyp
angehörenden
Feldeffekt-Transistoren
T6
und
T4
zusammensetzt.
EuroPat v2