Übersetzung für "Dangling bonds" in Deutsch

Hydrogen can cover dangling bonds and can heal defects.
Wasserstoff kann freie Bindungen absättigen und Defekte ausheilen.
ParaCrawl v7.1
Hydrogen serves to saturate the so called dangling bonds and reduces the number of traps in the mobility gap.
Dieser dient zur Absättigung von »dangling bonds« und führt so zu einer Verringerung der lokalisierten Zustände in der Beweglichkeitslücke.
EuroPat v2
Prior to depositing an approximately 1 micron thick a-Si layer 12, 112, it has proved advantageous to expose the polycrystalline Si layer, at a medium temperature of about between 150° C. and 450° C., to a hydrogen plasma, to saturate remaining dangling bonds.
Bevor weiter die a-Si-Schicht 12, 112 der Dicke von etwa 1 11m aufgebracht wird, erweist es sich im allgemeinen als vorteilhaft, die polykristalline Silizium-Schicht bei einer mittlerem Temperatur von ca, 150°C Bindungen abzusättigen.
EuroPat v2
These favorable characteristics are due to the hydrogen present in the insulator layers, which saturates the dangling bonds of the silicon.
Dieses günstige Verhalten ist auf den in den Isolatorschichten vorhandenen Wasserstoff zurückzuführen, der die freien Bindungen des Siliziums absättigt.
EuroPat v2
The effective charge carrier life of crystalline silicon is limited by crystal defects (offsets or flaws), by crystal impurities (including metal atoms), and by the quality of the crystal surface (e.g. dangling bonds).
Die effektive Ladungsträger-Lebensdauer von kristallinem Silicium wird durch Kristallfehler (Versetzungen oder Fehlstellen), durch Kristallverunreinigungen (u.a. Metallatome) und durch die Beschaffenheit der Kristalloberfläche (z.B. freie Bindungen) begrenzt.
EuroPat v2
Firstly, the hydrogen contained in the layer collects at the silicon surface and passivates dangling silicon bonds, such that these become electronically ineffective.
Erstens lagert sich der in der Schicht enthaltene Wasserstoff an die Siliciumoberfläche an und passiviert freie Siliciumbindungen, so dass diese elektronisch unwirksam werden.
EuroPat v2
In this hydrogen treatment of the silicon wafers, Si--Hx -bonds can occur which passivate the "dangling bonds" at grain boundaries and at internal grain defects.
Bei dieser Wasserstoff-Behandlung der Siliciumscheiben können Si-H x -Bindungen entstehen, welche die "dangling bonds" an Korngrenzen und an Innerkorndefekten passivieren.
EuroPat v2
While in the former mechanism recombination centres such as, for example, free bonds (so-called dangling bonds) are removed on account of the passivation layer, the recombination activity in the case of field effect passivation is reduced by free charge carriers being forced away from the semiconductor surface.
Während beim ersteren Mechanismus Rekombinationszentren, wie beispielsweise freie Bindungsstellen (sogenannten Dangling Bonds), aufgrund der Passivierschicht entfernt werden, wird die Rekombinationsaktivität bei der Feldeffektpassivierung dadurch vermindert, dass freie Ladungsträger von der Halbleiteroberfläche weggedrückt werden.
EuroPat v2
On the other hand, it is not possible to dispense with the hydrogen content in the forming gas, since free bonds (“dangling bonds”) in the semiconductor, in particular at the interfaces with the electrodes, and in the gate oxide are to be saturated by the hydrogen.
Auf den Wasserstoffanteil im Formiergas kann andererseits nicht verzichtet werden, da durch den Wasserstoff freie Bindungen ("dangling bonds") im Halbleiter, insbesondere an den Grenzflächen zu Elektroden, und im Gate-Oxid abgesättigt werden sollen.
EuroPat v2
As a result of longer conversion times, the layers which form lose more hydrogen, which saturates defects sites, called dangling bonds.
Durch längere Konvertierungszeiten verlieren die entstehenden Schichten mehr Wasserstoff, welcher Fehlstellen, sogenannte dangling bonds, absättigt.
EuroPat v2
On the contrary, edge disorder due to random saturation of the dangling bonds along the edges of the graphene sheet does not broaden the bound states of the quantum dot, making such systems well suited for experimental spectroscopic studies.
Im Gegensatz dazu verbreitert Randunordnung, z. B. infolge einer zufälligen Sättigung der offenen Bindungen entlang der Kanten der Graphenschicht, die gebundenen Zustände des Quantenpunkts nicht, sodass sich solche Systeme gut für experimentelle spektroskopische Studien eignen.
ParaCrawl v7.1
This makes the plasma silicon nitride structures particularly suitable for surface passivation (low surface recombination velocity) of solar cells thanks to their extremely low surface state densities at deposition/annealing temperatures between 400° C. and 500° C. These favorable characteristics are due to the hydrogen present in the insulator layers, which saturates the dangling bonds of the silicon.
Somit sind die Plasma-Siliziumnitridstrukturen wegen ihrer extrem niedrigen Oberflächenzustandsdichten bei Abscheide- bzw. Tempertemperaturen zwischen 400°C und 500°C für die Oberflächenpassivierung (niedrige Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit) von Solarzellen besonders gut geeignet. Dieses günstige Verhalten ist auf den in den Isolatorschichten vorhandenen Wasserstoff zurückzuführen, der die freien Bindungen des Siliziums absättigt.
EuroPat v2
The above mentioned condition can be selectively fulfilled through a specific chemical structure of the a-C:H layers, in particular through a specific ratio of sp2 --to sp3 --bond portions of the C-atoms with the saturation of free C-valencies ("dangling bonds") through H-atoms.
Die vorstehend genannte Bedingung kann durch eine bestimmte chemische Struktur der a-C:H-Schichten gezielt erfüllt werden, insbesondere durch ein bestimmtes Verhältnis von sp² - zu sp³-Bindungsanteilen der C-Atome unter Absättigung freier C-Valenzen ("dangling bonds") durch H-Atome.
EuroPat v2
Attempts are made in the following ways to reduce the level of dangling bonds (unsatisfied silicon bonds) or improve the surface properties: (1) (Atomic) hydrogen is introduced to satisfy these free bonds.
Auf folgenden Wegen versucht man dort, die Dangling Bonds (nicht abgesättigte Silizium-Bindungen) zu reduzieren bzw. die Oberflächeneigenschaften zu verbessern: (1) Es wird (atomarer) Wasserstoff eingetrieben, um diese freien Bindungen abzusättigen.
EuroPat v2

Ähnliche Begriffe

bonded dangl bond with bond over
dangling bonds bond we bonded bonded with
bond between in bonds