Übersetzung für "Spin valve" in Deutsch
This
laminated
structure
20
is
frequently
referred
to
a
spin
valve.
Der
beschriebene
Schichtaufbau
20
wird
häufig
auch
als
Spinventil
bezeichnet.
EuroPat v2
Preferred
solutions
in
accordance
with
the
invention
use
a
spin
valve
as
magnetic
structure
based
on
the
GMR
or
TMR
effect.
Bevorzugte
erfindungsgemäße
Lösungen
verwenden
als
magnetische
Struktur
ein
Spinventil
basierend
auf
dem
GMR-Effekt
oder
TMR-Effekt.
EuroPat v2
Depending
on
the
magnetic
configuration
of
the
spin
valve,
the
electrical
signal
is
transmitted
(bottom)
or
suppressed
(top).
Je
nach
Konfiguration
des
Spin-Ventils
wird
das
elektrische
Signal
unterdrÃ1?4ckt
(oben)
oder
weitergeleitet
(unten).
ParaCrawl v7.1
Things
are
made
more
difficult
in
that
the
spin
valve
layer
systems
the
anti-ferro
magnet
of
which
can
be
rotated
more
easily
simplifying
the
process
of
the
adjustment
of
the
direction
of
the
pinned
layer,
are
relatively
instable
against
thermal
and
magnetic
loads
or
disturbances
as
might
occur
during
the
course
of
mounting
and
soldering
works.
Es
kommt
noch
erschwerend
hinzu,
dass
die
Spin-Valve-Schichtsysteme,
deren
Antiferromagnet
leichter
drehbar
ist,
was
den
Einstellvorgang
der
Richtung
der
gepinnten
Schicht
vereinfacht,
gegenüber
thermischen
und
magnetischen
Belastungen
oder
Störungen,
wie
sie
bei
Montage-
und
Lötarbeiten
auftreten,
relativ
instabil
sind.
EuroPat v2
However,
if,
based
on
theses
sensors,
bridge
circuits
for
various
components
of
the
magnetic
fields
have
to
be
made,
it
is
necessary
to
adjust
the
magnetization
of
the
pinned
layers
of
the
spin
valve
layer
systems
for
each
bridge
in
two
different
directions.
Sollen
mit
diesen
Sensoren
jedoch
Brückenschaltungen
für
verschiedene
Komponenten
des
Magnetfeldes
hergestellt
werden,
ist
es
erforderlich,
die
Magnetisierung
der
gepinnten
Schichten
der
Spin-Valve-Schichtsysteme
für
jede
Brücke
in
zwei
unterschiedlichen
Richtungen
einzustellen.
EuroPat v2
Preferably,
spin
valve
layer
systems
are
used
which
include
a
pinned
layer
with
a
fixedly
adjustable
magnetization
direction
and
a
free
layer
with
a
magnetization
direction
to
be
adjusted
by
an
applied
magnetic
field.
Vorzugsweise
werden
Spin-Valve-Schichtsysteme
verwendet,
die
eine
gepinnte
Schicht
mit
fest
einstellbarer
Magnetisierungsrichtung
und
eine
freie
Schicht
mit
durch
ein
angelegtes
Magnetfeld
einzustellender
Magnetisierungsrichtung
enthalten.
EuroPat v2
For
spin
valve
sensors,
this
is
of
particular
significance
since
in
this
case
the
adjustment
of
the
oppositely
directed
sensitivity
would
require
the
magnetic
reversal
of
the
pinned
layer.
Für
Spin-Valve-Sensoren
ist
das
von
besonderer
Bedeutung,
da
hier
die
Einstellung
der
entgegengesetzt
gerichteten
Empfindlichkeit
die
Ummagnetisierung
der
gepinnten
Schicht
erfordern
würde.
EuroPat v2
When
using
spin
valve
sensors,
this
will
make
the
elaborate
alignment
of
the
magnetization
direction
of
the
pinned
layer
of
some
of
the
sensor
elements
in
opposed
directions
unnecessary.
Damit
erübrigt
sich
beim
Einsatz
von
Spin-Valve-Sensoren
das
aufwendige
Ausrichten
der
Magnetisierungsrichtung
der
gepinnten
Schicht
einiger
Sensorelemente
in
entgegen
gesetzte
Richtungen.
EuroPat v2
If
as
magneto-resistive
elements
of
the
first
and
second
sensor
line
there
are
used
GMR,
AMR,
TMR,
SdT
or
spin-valve
elements,
these
are
preferably
slightly
magnetically
biased,
the
magnetic
field
strength
of
the
slight
magnetic
bias
is
smaller
than
8
kA/m,
in
particular
smaller
than
5
kA/m.
Falls
als
magnetoresistive
Elemente
der
ersten
und
zweiten
Sensorzeile
GMR-,
AMR-,
TMR-,
SdT-
oder
Spinventil-Elemente,
verwendet
werden,
werden
diese
vorzugsweise
geringfügig
magnetisch
vorgespannt,
wobei
die
Magnetfeldstärke
der
geringfügigen
magnetischen
Vorspannung
kleiner
als
8
kA/m,
insbesondere
kleiner
als
5
kA/m
ist.
EuroPat v2
In
some
embodiment
examples,
as
magneto-sensitive
elements
of
the
third
sensor
line,
which
detects
the
document
of
value
under
the
influence
of
the
further
magnetic
field,
there
are
used
magneto-resistive
elements
which
are
configured
as
GMR,
AMR,
TMR,
SdT
or
spin-valve
elements.
In
einigen
Ausführungsbeispielen
werden
als
magnetosensitive
Elemente
der
dritten
Sensorzeile,
die
das
Wertdokument
unter
dem
Einfluss
des
weiteren
Magnetfelds
detektiert,
magnetoresistive
Elemente
verwendet,
die
als
GMR-,
AMR-,
TMR-,
SdT-
oder
Spinventil-Elemente
ausgebildet
sind.
EuroPat v2
In
particular,
this
first
or
second
sensor
line
has
magneto-resistive
elements
which
are
configured
as
GMR,
AMR,
TMR,
SdT
or
spin-valve
elements
and
whose
main
sensitivity
direction
is
oriented
perpendicular
to
the
second
magnetization
direction
of
the
second
magnetization
section.
Insbesondere
weist
diese
erste
bzw.
zweite
Sensorzeile
magnetoresistive
Elemente
auf,
die
als
GMR-,
AMR-,
TMR-,
SdT-
oder
Spinventil-Elemente
ausgebildet
sind
und
deren
Hauptempfindlichkeitsrichtung
senkrecht
zur
zweiten
Magnetisierungsrichtung
des
zweiten
Magnetisierungsabschnitts
orientiert
ist.
EuroPat v2
The
magnetization
direction
of
the
further
magnetization
section
C
in
this
example
is
oriented
perpendicular
to
the
transport
plane
and
thus
also
perpendicular
to
the
main
sensitivity
direction
H
2
of
the
magneto-resistive
elements
15,
which
in
this
example
are
configured
as
GMR,
AMR,
TMR,
SdT
or
spin-valve
elements.
Die
Magnetisierungsrichtung
des
weiteren
Magnetisierungsabschnitts
C
ist
in
diesem
Beispiel
senkrecht
zur
Transportebene,
und
damit
auch
senkrecht
zur
Hauptempfindlichkeitsrichtung
H2
der
magnetoresistiven
Elemente
15
orientiert,
die
in
diesem
Beispiel
als
GMR-,
AMR-,
TMR-,
SdT-
oder
Spinventil-Elemente
ausgebildet
sind.
EuroPat v2
The
magneto-sensitive
elements
of
the
magnetic
detectors
can
be
configured
as
magneto-resistive
elements,
e.g.
as
conventional
magneto-resistive
elements,
GMR,
AMR,
SdT
or
spin-valve
elements,
but
there
can
also
be
employed
inductive
elements,
Hall
elements,
etc.
Die
magnetosensitiven
Elemente
der
Magnetdetektoren
können
als
magnetoresistive
Elemente
ausgebildet
sein,
z.B.
als
konventionelle
magnetoresistive
Elemente,
GMR-,
AMR-,
SdT-
oder
Spinventil-Elemente,
es
können
aber
auch
induktive
Elemente,
Hallelemente
etc.
verwendet
werden.
EuroPat v2
Because
of
their
enlarged
measuring
range
of
360°
and
enlarged
signal
amplitudes
and
thus
lower
susceptibility
to
interference
compared
to
AMR
angle
sensors,
magnetoresistive
sensor
elements
based
on
the
GMR
(giant
magneto
resistance)
effect
according
to
the
so-called
spin
valve
principle
are
increasingly
being
utilized
for
angle
detection
in
motor
vehicles.
Wegen
ihres
gegenüber
AMR-Winkelsensoren
vergrößerten
Messbereiches
von
360°
und
vergrößerten
Signalamplituden
und
damit
geringerer
Störanfälligkeit
werden
zunehmend
magnetoresistive
Sensorelemente
auf
der
Grundlage
des
GMR-Effektes
("Giant
Magneto
Resistance")
nach
dem
sogenannten
Spin-Valve-Prinzip
zur
Winkelerfassung
in
Kraftfahrzeugen
herangezogen.
EuroPat v2
To
permit
implementation
of
an
angle
sensor
having
magnetoresistive
layer
systems
operating
on
the
basis
of
the
GMR
effect
and
constructed
according
to
the
spin
valve
principle,
it
is
beneficial
to
interconnect
a
plurality
of
such
magnetoresistive
layer
systems
in
two
Wheatstone
bridge
circuits,
one
bridge
being
rotated
by
90°,
for
example,
compared
to
the
other
with
respect
to
the
direction
of
the
magnetization
in
the
reference
layer.
Um
einen
Winkelsensor
mit
auf
der
Grundlage
des
GMR-Effektes
arbeitenden
und
nach
dem
Spin-Valve-Prinzip
aufgebauten
magnetoresistiven
Schichtsystemen
ausführen
zu
können,
ist
es
günstig,
eine
Mehrzahl
derartiger
magnetoresistiver
Schichtsysteme
in
zwei
Wheatstone'schen
Brückenschaltungen
miteinander
zu
verschalten,
wobei
eine
Brücke
gegenüber
der
anderen
hinsichtlich
der
Richtung
der
Magnetisierung
in
der
Referenzschicht
beispielsweise
um
90°
gedreht
ist.
EuroPat v2
The
angle
error
of
magnetoresistive
layer
systems
on
the
basis
of
the
GMR
effect
according
to
the
spin
valve
principle—this
angle
error
being
defined
as
the
difference
of
the
angle
between
the
outer-magnetic-field
component
lying
in
the
plane
of
the
layer
system
and
the
magnetization
direction
of
the
reference
layer
of
the
layer
system
given
a
negligibly
weak
outer
magnetic
field,
and
the
measurement
angle,
ascertained
from
the
measuring
signal,
between
the
outer-magnetic-field
component
lying
in
the
plane
of
the
layer
system
and
the
magnetization
direction
of
the
reference
layer—is
dominated
by
microscopic
energy
terms
of
the
individual
layers
of
layer
system
10
.
Der
Winkelfehler
von
magnetoresistiven
Schichtsystemen
auf
der
Grundlage
des
GMR-Effektes
nach
dem
Spin-Valve-Prinzip,
wobei
dieser
Winkelfehler
definiert
ist
als
Differenz
des
Winkels
zwischen
der
in
der
Ebene
des
Schichtsystems
liegenden
Komponente
des
äußeren
Magnetfeldes
und
der
Magnetisierungsrichtung
der
Referenzschicht
des
Schichtsystems
bei
einem
dvernachlässigbar
schwachen
äußeren
Magnetfeld
und
des
aus
dem
Messsignal
ermittelten
Messwinkels
zwischen
der
in
der
Ebene
des
Schichtsystems
liegenden
Komponente
des
äußeren
Magnetfeldes
und
der
Magnetisierungsrichtung
der
Referenzschicht,
wird
von
mikroskopischen
Energietermen
der
einzelnen
Schichten
des
Schichtsystems
10
dominiert.
EuroPat v2
Measuring
errors
due
to
two
intrinsic
effects
occur
when
working
with
magnetoresistive
layer
systems
that
operate
on
the
basis
of
the
GMR
effect
and
are
constructed
according
to
the
spin
valve
principle.
Bei
magnetoresistiven
Schichtsystemen,
die
auf
der
Grundlage
des
GMR-Effeketes
arbeiten
und
nach
dem
Spin-Valve-Prinzip
aufgebaut
sind,
treten
durch
zwei
intrinsische
Effekte
Messfehler
auf.
EuroPat v2
This
procedure
utilizes
the
fact
that,
by
skillful
utilization
of
microscopic
energy
terms,
it
is
possible
to
minimize
the
intrinsic
effects
that
occur
when
using
magnetoresistive
sensor
Elements
according
to
the
spin
valve
principle
and
that
lead
to
measuring
errors.
Dieses
Vorgehen
beruht
auf
der
Erkenntnis,
dass
durch
geschickte
Ausnutzung
von
mikroskopischen
Energietermen
die
bei
magnetoresistiven
Sensorelementen
nach
dem
Spin-Valve-Prinzip
auftretenden
intrinsischen
Effekte,
die
zu
Messfehlern
führen,
minimiert
werden
können.
EuroPat v2
The
magnetization
direction
of
the
third
magnetization
section
C
is
oriented
perpendicular
to
the
main
sensitivity
direction
of
the
magneto-resistive
elements
17,
which
are
configured
as
GMR,
AMR,
TMR,
SdT
or
spin-valve
elements.
Die
Magnetisierungsrichtung
des
dritten
Magnetisierungsabschnitts
C
ist
senkrecht
zur
Hauptempfindlichkeitsrichtung
der
magnetoresistiven
Elemente
17
orientiert,
die
als
GMR-,
AMR-,
TMR-,
SdT-
oder
Spinventil-Elemente
ausgebildet
sind.
EuroPat v2
The
experiment
demonstrated
that
the
amplitude
of
the
detected
signal
strongly
depends
on
the
magnetic
configuration
of
the
spin
valve.
In
dem
Experiment
konnte
erfolgreich
gezeigt
werden,
dass
die
Stärke
des
detektierten
Signals
stark
von
der
magnetischen
Konfiguration
des
Spin-Ventils
abhängt.
ParaCrawl v7.1