Übersetzung für "Semiconductor region" in Deutsch

The p+ -doped semiconductor region P2 thus fulfills a double function.
Das p?-dotierte Halbleitergebiet P2 erfüllt somit eine Doppelfunktion.
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The guard rings surround the semiconductor region at respectively increasing distances from the edge of the pn-junction.
Die Feldringe umgeben das Halbleitergebiet in jeweils ansteigender Entfernung vom Rand des pn-Übergangs.
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Arranged on this p-type semiconductor region 26 is an ohmic contact 27.
Auf diesem p-leitenden Halbleitergebiet 26 ist ein ohmscher Kontakt 27 angeordnet.
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For this purpose, the optoelectronic sensor has a semiconductor region, which is preferably p-doped.
Hierzu weist der optoelektronische Sensor einen Halbleiterbereich auf, welcher vorzugsweise p-dotiert ist.
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The original growth substrate can be detached, in particular, from the n-type semiconductor region of the semiconductor layer sequence.
Das ursprüngliche Aufwachssubstrat kann insbesondere vom n-Typ Halbleiterbereich der Halbleiterschichtenfolge abgelöst sein.
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Here the lower semiconductor region preferably has a thickness of at least 1.7 ?m.
Das untere Halbleitergebiet weist hierbei vorzugsweise eine Dicke von mindestens 1,7 µm auf.
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In an advantageous configuration the upper semiconductor region is created by means of ion implantation.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung wird das obere Halbleitergebiet mittels Ionenimplantation erzeugt.
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The side face can optionally bound the semiconductor function region laterally.
Die Seitenfläche kann gegebenenfalls den Halbleiterfunktionsbereich lateral begrenzen.
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The side face can in particular partially bound the semiconductor function region in the lateral direction.
Die Seitenfläche kann den Halbleiterfunktionsbereich insbesondere teilweise in lateraler Richtung begrenzen.
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The carrier preferably supports and stabilizes the semiconductor function region mechanically.
Der Träger trägt und stabilisiert mit Vorzug den Halbleiterfunktionsbereich mechanisch.
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In particular, the semiconductor function region can be disposed on one side of the carrier.
Insbesondere kann der Halbleiterfunktionsbereich auf einer Seite des Trägers angeordnet sein.
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To this end, the mirror layer is usefully connected electrically conductively to the semiconductor function region.
Hierzu ist die Spiegelschicht zweckmäßigerweise mit dem Halbleiterfunktionsbereich elektrisch leitend verbunden.
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The semiconductor function region can therefore completely surround the opening in the lateral direction.
Der Halbleiterfunktionsbereich kann den Durchbruch somit in lateraler Richtung vollständig umschließen.
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The side face preferably bounds the particular semiconductor function region in the lateral direction.
Bevorzugt begrenzt die Seitenfläche den jeweiligen Halbleiterfunktionsbereich seitens der Seitenfläche in lateraler Richtung.
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Particularly the entire semiconductor function region can be bounded by such side faces.
Insbesondere kann der gesamte Halbleiterfunktionsbereich durch derartige Seitenflächen begrenzt sein.
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The second connection layer 52 electrically conductively connects to the second semiconductor region 22 .
Die zweite Anschlussschicht 52 ist elektrisch leitend mit dem zweiten Halbleiterbereich 22 verbunden.
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The semiconductor function region can in particular be embedded in the envelope.
Der Halbleiterfunktionsbereich kann insbesondere in die Umhüllung eingebettet sein.
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Side face 26 preferably borders the semiconductor function region over its entire vertical extent.
Die Seitenfläche 26 begrenzt mit Vorzug den Halbleiterfunktionsbereich über seine gesamte vertikale Ausdehnung.
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The mirror layer can be disposed, particularly directly, on the semiconductor function region.
Die Spiegelschicht kann, insbesondere direkt, auf dem Halbleiterfunktionsbereich angeordnet sein.
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The optoelectronic component shown is provided with a substantially hermetic encapsulation of the semiconductor function region.
Das dargestellte optoelektronische Bauelement weist eine im wesentlichen hermetische Verkapselung des Halbleiterfunktionsbereichs auf.
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More than one gap can also be provided in a given semiconductor function region.
Auch können in einem Halbleiterfunktionsbereich mehrere Aussparungen vorgesehen sein.
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The opening is preferably configured as a gap 9 in the semiconductor function region 2 concerned.
Bevorzugt ist der Durchbruch als Aussparung 9 im jeweiligen Halbleiterfunktionsbereich 2 ausgebildet.
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Preferably, the nominally undoped semiconductor region is formed from the semiconductor material of the p-conducting region.
Vorzugsweise ist der nominell undotierte Halbleiterbereich aus dem Halbleitermaterial des p-leitenden Bereichs gebildet.
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The n-conducting semiconductor region that is to be contact-connected can comprise different SiC polytypes.
Das zu kontaktierende n-leitende Halbleitergebiet kann aus SiC verschiedenen Polytyps bestehen.
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The contact layer is formed by depositing the two material components on the n-conductor semiconductor region.
Die Kontaktschicht wird durch Abscheiden der beiden Materialkomponenten auf dem n-leitenden Halbleitergebiet gebildet.
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