Übersetzung für "Multilayer wiring" in Deutsch
In
multilayer
wiring,
the
capacitor
plates
can
be
formed
of
the
wiring
layers.
Bei
einer
Mehrlagenverdrahtung
können
die
Kondensatorplatten
aus
den
Verdrahtungsebenen
gebildet
werden.
EuroPat v2
In
a
first
mode
of
the
invention,
the
step
of
applying
the
multilayer
wiring
includes
the
following
steps:
In
einer
ersten
Variante
umfasst
der
Schritt
des
Aufbringens
der
Mehrlagenverdrahtung
folgende
Schritte:
EuroPat v2
The
multilayer
wiring
is
applied
to
the
film.
Auf
die
Folie
wird
die
Mehrlagenverdrahtung
aufgebracht.
EuroPat v2
The
contact
holes
can
also
be
provided
for
a
planned
multilayer
wiring
for
the
configuration.
Die
Kontaktlöcher
können
auch
für
eine
für
die
Anordnung
geplante
Mehrlagenverdrahtung
vorgesehen
sein.
EuroPat v2
The
insulating
layer
is
applied
prior
to
the
application
of
the
multilayer
wiring
to
the
structured
silicon
carrier
substrate.
Die
isolierende
Schicht
wird
dabei
vor
dem
Aufbringen
der
Mehrlagenverdrahtung
auf
das
strukturierte
Silizium-Trägersubstrat
aufgebracht.
EuroPat v2
The
film
or
foil
is
applied
to
that
side
of
the
carrier
substrate
on
which
the
multilayer
wiring
is
provided.
Die
Folie
wird
auf
der
Seite
der
Trägerschicht
aufgebracht,
auf
der
die
Mehrlagenverdrahtung
vorgesehen
ist.
EuroPat v2
In
the
manufacture
of
the
known
semiconductor
component,
the
insulating
layers
3,
5,
and
7
and
the
final
passivation
layer
9
are
first
applied
surface-wide
and
are
then
in
turn
etched
off
in
a
sub-region
of
the
area
G
of
the
lead
contacts
K
to
be
applied
later,
so
that
cylindrical
or
cuboid
contact
holes
arise,
the
contact
holes
being
partially
filled
with
the
tracks
4,
6,
and
8
of
the
multilayer
wiring
formed,
for
example,
of
aluminum,
aluminum
with
up
to
a
4%
silicon
or
a
copper
constituent,
or
metal
sequences
such
as
titanium,
platinum,
gold,
and/or
electrically
conductive
silicides.
Bei
der
Herstellung
des
bekannten
Halbleiterbauelementes
werden
die
Isolierschichten
3,
5,
7
und
die
Endpassivierung
9
zunächst
ganzflächig
aufgebracht
und
dann
in
einem
Teilbereich
der
Grundfläche
G
der
später
aufzubringenden
Anschlußkontakte
K
wieder
abgeätzt,
so
daß
an
diesen
Stellen
zylindrische
bzw.
quaderförmige
Kontaktlöcher
entstehen,
die
teilweise
mit
den
Leitbahnen
4,
6,
8
der
Mehrlagenverdrahtung,
beispielsweise
bestehend
aus
Aluminium,
Aluminium
mit
bis
zu
4
%
Silizium-
bzw.
Kupferanteil,
Metallfolgen
wie
Titan,
Platin,
Gold
und/oder
elektrisch
leitenden
Siliziden,
angefüllt
sind.
EuroPat v2
The
use
of
the
polymer
system
of
the
present
invention
in
the
manufacture
of
a
multilayer
wiring
structure
is
described
below
with
reference
to
an
exemplary
embodiment.
Im
folgenden
soll
anhand
eines
Ausführungsbeispiels
die
Anwendung
des
erfindungsgemäßen
Polymersystems
zur
Herstellung
einer
Mehrlagenverdrahtung
beschrieben
werden.
EuroPat v2
For
the
securing
device,
in
the
case
of
multilayer
wiring,
for
instance,
a
higher-lying
metallizing
layer
or
a
silicon
nitride
layer
conventionally
used
as
part
of
the
passivation
can
be
employed.
Für
die
Sicherung
kann
bspw.
bei
einer
Mehrlagenverdrahtung
eine
höherliegende
Metallisierungsebene
oder
eine
üblicherweise
als
Teil
der
Passivierung
verwendete
Siliziumnitridschicht
eingesetzt
werden.
EuroPat v2
The
integrated
circuit
may
have
a
single-layer
or
multilayer
wiring
(that
is,
one
or
more
metallizing
layers),
of
which
one,
several
or
all
can
be
used
for
the
micromechanical
component.
Die
integrierte
Schaltung
kann
eine
Ein-
oder
Mehrlagenverdrahtung
(d.h.
eine
oder
mehrere
Metallisierungsebenen)
aufweisen,
von
denen
eine,
mehrere
oder
alle
für
das
mikromechanische
Bauteil
verwendet
werden
können.
EuroPat v2
The
method
according
to
claim
1,
wherein
the
step
of
applying
the
multilayer
wiring
includes:
Verfahren
nach
einem
der
Ansprüche
1
bis
7,
dadurch
gekennzeichnet,
daß
der
Schritt
des
Aufbringens
der
Mehrlagenverdrahtung
(5)
umfasst:
EuroPat v2
Only
by
dissolving
the
auxiliary
layer
can
the
auxiliary
substrate
then
be
detached
from
the
multilayer
wiring
of
the
semiconductor
component.
Allein
durch
das
Auflösen
der
Hilfsschicht
kann
dann
das
Hilfssubstrat
von
der
Mehrlagenverdrahtung
des
Halbleiterbauelementes
abgelöst
werden.
EuroPat v2
In
the
next
method
step,
a
film
or
foil
14
is
applied
to
that
side
of
the
carrier
layer
4
which
is
remote
from
the
subsequent
solder
balls.
The
multilayer
wiring
5
is
provided
on
this
film.
Im
nächsten
Verfahrensschritt
wird
auf
der
von
den
späteren
Lötballungen
abgewandten
Seite
der
Trägerschicht
4
eine
Folie
14
aufgebracht,
auf
die
dann
eine
Mehrlagenverdrahtung
5
aufgebaut
wird.
EuroPat v2
The
first
sequence
of
the
multilayer
wiring
contains
a
metallization
which
is
directly
connected
to
the
film
14
.
Die
erste
Sequenz
der
Mehrlagenverdrahtung
beinhaltet
dabei
eine
Metallisierung,
die
in
unmittelbarer
Verbindung
mit
der
Folie
14
steht.
EuroPat v2
Before
or
after
the
application
of
the
solder
balls
8,
at
least
one
semiconductor
chip
IC
can
be
applied
to
the
multilayer
wiring
5
.
Vor
oder
nach
dem
Aufbringen
der
Lötballungen
8
kann
auf
der
Mehrlagenverdrahtung
5
zumindest
ein
Halbleiterchip
(nicht
gezeigt)
aufgebracht
werden.
EuroPat v2
This
chip
may,
for
example,
as
shown
in
FIG.
10,
be
electrically
connected
to
a
metallization
of
the
multilayer
wiring
through
the
use
of
flip-chip
contacting
or
through
the
use
of
conventional
bond
wiring.
Dieser
kann
beispielsweise,
wie
in
Figur
10
gezeigt,
über
eine
Flip-Chip-Kontaktierung
oder
über
eine
gewöhnliche
Bond-Verdrahtung
mit
einer
Metallisierung
der
Mehrlagenverdrahtung
elektrisch
verbunden
sein.
EuroPat v2
The
separate
production
of
the
carrier
substrate
and
of
the
multilayer
wiring
and
the
subsequent
connection
of
these
two
components
allows
a
particularly
simple
and
time-saving
production
method
for
a
semiconductor
component
with
a
multilayer
thin-film
structure.
Die
getrennte
Herstellung
des
Trägersubstrates
und
der
Mehrlagenverdrahtung
und
die
anschließende
Verbindung
dieser
beiden
Bauelemente
ermöglicht
ein
besonders
einfaches
und
zeitsparendes
Herstellungsverfahren
für
ein
Halbleiterbauelement
mit
einer
mehrlagigen
Dünnfilmstruktur.
EuroPat v2
What
is
increasingly
common,
therefore,
is
a
system
configuration
in
the
form
of
multichip
modules,
in
which
a
substrate
with
high-density
multilayer
wiring,
on
which
the
chips
are
fitted,
serves
as
an
intermediate
carrier
substrate
for
a
joint
integration
of
a
plurality
of
semiconductor
chips
in
a
next
higher
architectural
level
of
the
system
configuration.
Zunehmend
üblich
ist
deshalb
der
Systemaufbau
in
Form
von
Multichipmodulen,
bei
denen
ein
Substrat
mit
einer
hochdichten
Mehrlagenverdrahtung,
auf
dem
die
Chips
angebracht
sind,
als
Zwischenträgersubstrat
für
eine
gemeinsame
Integration
mehrerer
Halbleiterchips
in
eine
nächsthöhere
Architekturebene
des
Systemaufbaus
dient.
EuroPat v2
Silicon
and
ceramic
are
problematic,
however,
when
combined
with
the
space-saving
connection
technology
BGA
(ball
grid
array),
since
the
holes
required
for
the
through-contacting
from
the
multilayer
wiring
on
the
mounting
side
to
the
already
provided
solder
balls
on
the
underside
can
be
produced
only
with
difficulty
for
a
ceramic
substrate,
for
example.
Silizium
und
Keramik
sind
jedoch
problematisch
hinsichtlich
der
Kombination
mit
der
platzsparenden
Verbindungstechnik
BGA
(Ball
Grid
Array),
da
die
erforderlichen
Bohrungen
für
die
Durchkontaktierung
von
der
Mehrlagenverdrahtung
auf
der
Bestückungsseite
zu
den
flächig
angeordneten
Lotballungen
auf
der
Unterseite
beispielsweise
für
ein
Keramiksubstrat
nur
schwer
herstellbar
sind.
EuroPat v2
It
is
accordingly
an
object
of
the
invention
to
provide
a
method
for
producing
a
semiconductor
component
having
a
multichip
module,
which
overcomes
the
above-mentioned
disadvantages
of
the
heretofore-known
methods
of
this
general
type
and
which
provides
a
reliable
electrical
connection
between
the
multilayer
wiring
and
the
solder
balls.
Die
Aufgabe
der
vorliegenden
Erfindung
besteht
deshalb
darin,
ein
Herstellungsverfahren
für
das
vorstehend
beschriebene
Halbleiterbauelement
anzugeben,
bei
dem
auf
einfache
Weise
eine
sichere
elektrische
Verbindung
zwischen
der
Mehrlagenverdrahtung
und
den
Lotballungen
hergestellt
werden
kann.
EuroPat v2
The
fact
that
the
structured
silicon
carrier
substrate,
which
has
already
been
provided
with
cavities,
is
provided
with
the
insulation
layer
before
it
is
connected
to
the
multilayer
wiring
allows
significantly
simpler
methods
to
be
used
for
applying
the
insulation
layer.
Dadurch,
dass
das
strukturierte
Silizium-Trägersubstrat,
das
bereits
mit
Mulden
versehen
ist,
vor
dem
Verbinden
mit
der
Mehrlagenverdrahtung
mit
der
Isolierschicht
versehen
wird,
sind
wesentlich
einfachere
Verfahren
möglich,
um
die
Isolierschicht
aufzubringen.
EuroPat v2
The
film
can
be
removed
at
the
locations
of
the
soldering
contacts,
for
example
by
etching
or
using
an
organic
solution
from
that
side
of
the
silicon
carrier
material
which
is
remote
from
the
multilayer
wiring.
Die
Folie
kann
an
den
Stellen
der
Lötkontakte
beispielsweise
durch
Ätzung
oder
eine
organische
Lösung
von
der
Seite
des
Silizium-Trägermaterials
her,
die
von
der
Mehrlagenverdrahtung
abgewandt
ist,
entfernt
werden.
EuroPat v2