Übersetzung für "Hole mobility" in Deutsch
This
also
results
in
a
significant
improvement
in
the
hole
and
electron
mobility.
Das
führt
auch
zu
einer
bedeutenden
Verbesserung
der
Loch-
und
Elektronenbeweglichkeit.
EuroPat v2
The
hole
mobility
is
approximately
10
?4
cm
2
/Vs.
Die
Lochmobilität
beträgt
etwa
10
-4
cm
2
/Vs.
EuroPat v2
Furthermore,
the
material
has
a
low
electron
mobility
and
a
high
hole
mobility.
Weiterhin
verfügt
das
Material
über
eine
geringe
Elektronenmobilität
und
eine
hohe
Löchermobilität.
EuroPat v2
Furthermore,
these
compounds
have
higher
hole
mobility.
Weiterhin
weisen
diese
Verbindungen
eine
höhere
Lochmobilität
auf.
EuroPat v2
Silicon
germanium
with
such
a
high
germanium
content
is
distinguished
by
a
significantly
higher
hole
mobility
compared
to
silicon.
Siliziumgermanium
mit
einem
derart
hohen
Germaniumanteil
zeichnet
sich
durch
eine
gegenüber
Silizium
deutlich
höhere
Löcherbeweglichkeit
aus.
EuroPat v2
A
carrier
transport
layer
disposed
between
the
active
layer
3
and
the
cathode
6
and
having
a
high
electron
mobility,
but
only
a
limited
hole
mobility,
is
called
an
electron
injection
layer
13.
Eine
Ladungstransportschicht,
die
zwischen
der
aktiven
Schicht
3
und
der
Kathode
6
angeordnet
ist
und
hohe
Elektronen-
und
nur
eingeschränkte
Löcherbeweglichkeit
besitzt,
wird
als
Elektroneninjektionsschicht
13
bezeichnet.
EuroPat v2
A
charge
transport
layer
disposed
between
the
active
layer
and
the
anode
and
having
a
high
hole
mobility,
but
only
a
limited
electron
mobility,
is
called
a
hole
transport
layer
(HTL).
Eine
Ladungstransportschicht,
die
zwischen
der
aktiven
Schicht
und
der
Anode
angeordnet
ist
und
hohe
Löcher-
und
nur
eingeschränkte
Elektronenbeweglichkeit
besitzt,
wird
als
Löchertransportschicht
(HTL)
bezeichnet.
EuroPat v2
Sadek
et
al.,
Solid-State
Electronics,
Vol.
38,
No.
9,
(1995),
pages
1731
to
1734
and
K.
Ismael,
Lecture
at
the
International
School
of
materials
science
and
technology,
Erice,
Italy,
Jul.
13,
to
24,
1995,
pages
19
to
20
have
proposed
increasing
the
hole
mobility
in
the
channel
of
a
p-channel
MOS
transistor
by
providing
a
layer
of
stressed
Si1-x
Gex
in
the
region
of
the
channel.
In
A.
Sadek
et
al,
Solid-State
Electronics,
Vol.
38,
Nr.
9,
(1995),
Seiten
1731
bis
1734
und
K.
Ismael,
Lecture
at
the
international
School
of
materials
science
and
technology,
Erice,
Italy,
13.
bis
24.07.1995,
Seiten
19
bis
20,
ist
vorgeschlagen
worden,
zur
Erhöhung
der
Löcherbeweglichkeit
im
Kanal
eines
p-Kanal-MOS-Transistors
im
Bereich
des
Kanals
eine
Schicht
aus
verspannten
Si
1-x
Ge
x
vorzusehen.
EuroPat v2
It
is
also
possible
for
the
polymers
according
to
the
invention
to
contain
units
in
which
structures
which
increase
the
hole
mobility
and
the
electron
mobility
are
bonded
directly
to
one
another.
Es
ist
auch
möglich,
daß
die
erfindungsgemäßen
Polymeren
Einheiten
enthalten,
in
denen
Strukturen,
welche
die
Lochmobilität
und
welche
die
Elektronenmobilität
erhöhen,
direkt
aneinander
gebunden
sind.
EuroPat v2
The
compounds
according
to
the
invention
are
very
highly
suitable
for
use
in
a
hole-transport
layer
or
a
hole-injection
layer
of
an
organic
electroluminescent
devices,
in
particular
owing
to
their
high
hole
mobility.
Die
erfindungsgemäßen
Verbindungen
eignen
sich
sehr
gut
für
den
Einsatz
in
einer
Lochtransportschicht
oder
einer
Lochinjektionsschicht
einer
organischen
Elektrolumineszenzvorrichtung,
insbesondere
aufgrund
ihrer
hohen
Lochbeweglichkeit.
EuroPat v2
The
hole
mobility
is
approximately
10
?4
cm
2
/Vs
and
the
conductivity
of
a
doped
layer
given
2
to
10%
by
volume
of
the
dopant
is
approximately
10
?5
S/cm.
Die
Lochmobilität
beträgt
etwa
10
-4
cm
2
/VS
und
die
Leitfähigkeit
einer
dotierten
Schicht
bei
2
bis
10
Vol%
des
Dotierstoffs
beträgt
etwa
10
-5
S/cm.
EuroPat v2
The
electron
and
hole
mobility
in
oxidic
thin-film
layers
is
generally
much
lower
than
in
conventional
semiconductors
and
is
between
0.1
and
a
few
100
cm
2
/Vs.
Die
Elektronen-
und
Lochbeweglichkeit
in
oxidischen
Dünnschichten
ist
im
Allgemeinen
viel
geringer
als
in
konventionellen
Halbleitern
und
beträgt
zwischen
0,1
bis
wenige
100
cm
2
/Vs.
EuroPat v2
What
is
important
here
is
the
electron
mobility
of
more
than
10
?6
cm
2
/Vs,
preferably
more
than
10
?5
cm
2
/Vs,
given
a
very
low
to
even
no
hole
mobility.
Wichtig
ist
hier
die
Elektronenmobilität
von
mehr
als
10
-6
cm
2
/Vs,
vorzugsweise
mehr
als
10
-5
cm
2
/Vs,
bei
einer
sehr
geringen
bis
gar
keinen
Lochmobilität.
EuroPat v2
These
materials
have
a
HOMO
of
?6.0
to
?5.3
eV
and
a
LUMO
of
?2.3±0.1
eV,
a
T
1
of
above
2.5
eV
and
a
hole
mobility
of
approximately
10
?4
cm
2
/Vs.
Diese
Materialien
haben
ein
HOMO
von
-6,0
bis
-
5,3
eV
und
ein
LUMO
von
-2,3
±
0,1
eV,
ein
T1
von
über
2,5
eV
und
eine
Lochmobilität
von
etwa
10
-4
cm
2
/Vs.
EuroPat v2
If
the
electron
mobility
is
prevailing
in
relation
to
the
hole
mobility
in
a
concrete
emitting
layer,
the
recombination
takes
place
in
the
vicinity
of
the
electron
block
layer.
Überwiegt
die
Elektronenbeweglichkeit
gegenüber
der
Löcherbeweglichkeit
in
einer
konkreten
emittierenden
Schicht,
findet
die
Rekombination
in
der
Nähe
der
Elektronenblockschicht
statt.
EuroPat v2
For
examination
purposes,
OLEDs
were
manufactured
(see
below)
where
no
non-doped
intermediate
layer
is
inserted
between
the
hole
transport
layer
and
the
emission
layer
with
a
dominating
hole
mobility.
Zur
Überprüfung
wurden
OLEDs
hergestellt
(siehe
unten),
bei
denen
keine
undotierte
Zwischenschicht
zwischen
die
Löchertransportschicht
und
die
Emissionsschicht
mit
einer
dominierenden
Löcherbeweglichkeit
eingefügt
ist.
EuroPat v2
In
addition,
the
compounds
have
high
hole
mobility,
which
is
highly
desirable
especially
in
the
case
of
use
as
hole
transport
material
or
hole
injection
material.
Weiterhin
weisen
die
Verbindungen
eine
hohe
Lochbeweglichkeit
auf,
was
insbesondere
bei
der
Verwendung
als
Lochtransportmaterial
bzw.
Lochinjektionsmaterial
hoch
erwünscht
ist.
EuroPat v2
The
compound
of
the
formula
(1)
is
furthermore
preferably
characterised
in
that
the
hole
mobility
?
+
is
10
?6
cm
2
/(Vs)
or
more,
very
preferably
10
?5
cm
2
/(Vs)
or
more
and
very
particularly
preferably
10
?4
cm
2
/(Vs)
or
more.
Weiter
bevorzugt
ist
die
Verbindung
der
Formel
(1)
dadurch
charakterisiert,
dass
die
Lochmobilität
µ
+
10
-6
cm
2
/(Vs)
oder
mehr
beträgt,
ganz
bevorzugt
beträgt
sie
10
-5
cm
2
/(Vs)
oder
mehr
und
ganz
besonders
bevorzugt
beträgt
sie
10
-4
cm
2
/(Vs)
oder
mehr.
EuroPat v2
The
compounds
according
to
the
invention
are
very
highly
suitable
for
use
in
a
hole-transport
layer
or
a
hole-injection
layer
in
electronic
devices,
such
as,
for
example,
in
organic
electroluminescent
devices,
in
particular
owing
to
their
high
hole
mobility.
Die
erfindungsgemäßen
Verbindungen
eignen
sich
sehr
gut
für
den
Einsatz
in
einer
Lochtransportschicht
oder
einer
Lochinjektionsschicht
in
elektronischen
Vorrichtungen,
wie
beispielsweise
in
organischen
Elektrolumineszenzvorrichtungen,
insbesondere
aufgrund
ihrer
hohen
Lochbeweglichkeit.
EuroPat v2
The
compounds
according
to
the
invention
are
very
suitable
for
use
in
a
hole-transport
layer
or
a
hole-injection
layer
in
electronic
devices,
such
as,
for
example,
in
organic
electroluminescent
devices,
in
particular
owing
to
their
high
hole
mobility.
Die
erfindungsgemäßen
Verbindungen
eignen
sich
sehr
gut
für
den
Einsatz
in
einer
Lochtransportschicht
oder
einer
Lochinjektionsschicht
in
elektronischen
Vorrichtungen,
wie
beispielsweise
in
organischen
Elektrolumineszenzvorrichtungen,
insbesondere
aufgrund
ihrer
hohen
Lochbeweglichkeit.
EuroPat v2
Due
to
the
high
hole
mobility
of
this
layer,
the
holes
then
quickly
continue
to
migrate
in
the
direction
of
the
actual
cathode.
Aufgrund
der
hohen
Löchermobilität
dieser
Schicht
wandern
die
Löcher
dann
schnell
weiter
in
Richtung
der
echten
Kathode.
EuroPat v2
Hall
measurements
on
a
layer,
which
was
deposited
on
a
non-structured
monocrystalline
substrate
of
high
specific
resistance,
show
a
concentration
of
the
electrically
active
dopant
material
Ga
of
2×10
17
cm
?3
and
a
hole
mobility
of
186
cm
2
/Vs.
Hall-Messungen
an
einer
Schicht,
die
auf
einem
nicht-strukturierten
monokristallinem
Substrat
von
hohem
spezifischen
Widerstand
abgelagert
wurde,
ergeben
eine
Konzentration
des
elektrisch
aktiven
Dotierungsstoffes
Ga
von
2
x
10
17
cm
-3
und
eine
Lochbeweglichkeit
von
186
cm
2
/
Vs.
EuroPat v2