Übersetzung für "Fermi level" in Deutsch

In this case, the Fermi level falls within a band gap.
Das Fermi-Niveau liegt genau in der Bandlücke.
WikiMatrix v1
Moreover, the Fermi level of the component is not affected by oxides.
Darüber hinaus wird das Ferminiveau des Bauelementes nicht durch Oxide beeinflusst.
EuroPat v2
In the case of semi-conductors the situation is somewhat modified because the fermi level is not occupied.
Bei Halbleitern ist die Situation etwas modifiziert, da das Ferminiveau nicht besetzt ist.
EuroPat v2
These materials have a high tunneling barrier between the Fermi level of the material and the conduction band of the dielectric.
Diese Materialien weisen eine hohe Tunnelbarriere zwischen Fermi-Niveau des Materials und Leitungsband des Dielektrikums auf.
EuroPat v2
The hole injection into the active layer may be significantly improved by an HTL layer if the HOMO-VB of the HTL layer is positioned below the Fermi level of the anode, but above the valence band of the active layer.
Die Löcherinjektion in die aktive Schicht kann durch die HTL-Schicht entscheidend verbessert werden, wenn sich das HOMO-VB der HTL energetisch unterhalb der Fermikante der Anode aber oberhalb des Valenzbandes der aktiven Schicht befindet.
EuroPat v2
The electron injection into the active electroluminescence layer 3 can be improved significantly by way of an electron injection layer 13 if the LUMO-CB which is the lowest unoccupied molecular state of the electron injection layer 13, lies energetically below the conduction band of the active layer 3, but above the Fermi level of the cathode 6.
Die Elektroneninjektion in die aktive Elektrolumineszenzschicht 3 kann durch eine Elektroneninjektionsschicht 13 entscheidend verbessert werden, wenn sich das LUMO-CB, das ist der niedrigste unbesetzte Molekülzustand der Elektroneninjektionsschicht 13 energetisch unterhalb des Leitfähigkeitsbandes der aktiven Schicht 3 aber über der Fermikante der Kathode 6 befindet.
EuroPat v2
The hole injection into the active layer can be improved significantly if the HOMO-VB of the hole injection layer 12 lies energetically below Fermi level of the anode 2, but above the valence band of the active layer 3.
Die Löcherinjektion in die aktive Schicht kann durch diese Schicht entscheidend verbessert werden, wenn sich das HOMO-VB der Löcherinjektionsschicht energetisch unterhalb der Fermikante der Anode 2 aber oberhalb des Valenzbandes der aktiven Schicht 3 befindet.
EuroPat v2
The electron injection into the active layer may be significantly improved by an ETL layer if the LUMO-CB (lowest unoccupied molecular state) of the ETL layer is positioned below the conduction band of the active layer, but above the Fermi level of the cathode.
Die Elektroneneninjektion in die aktive Schicht kann durch eine ETL-Schicht entscheidend verbessert werden, wenn sich das LUMO-CB (niedrigster unbesetzter Molekülzustand) der ETL-Schicht energetisch unterhalb des Leitfähigkeitsbandes der aktiven Schicht aber über der Fermikante der Kathode befindet.
EuroPat v2
The tunnel barrier 300 has a thickness D and a potential height U relative to the Fermi level E F of the tunnel barrier 300 .
Die Tunnelbarriere 300 weist eine Dicke D und eine Potentialhöhe U gegenüber dem Fermi-Niveau E F der Tunnelbarriere 300 auf.
EuroPat v2
An elevation of the conductivity, which is rather low at first, as well as a change in the Fermi level of the semiconductor according to the type of dopant used is achieved here by producing charge carriers in the matrix material.
Hierbei wird durch Erzeugung von Ladungsträgern im Matrixmaterial eine Erhöhung der zunächst recht niedrigen Leitfähigkeit sowie je nach Art des verwendeten Dotanden eine Veränderung im Fermi-Niveau des Halbleiters erreicht.
EuroPat v2
In a further embodiment of the invention, a p-doped layer can also be present in the component between the first photoactive i-layer and the electrode situated on the substrate, with the result that a pip or pi structure is involved, wherein the additional p-doped layer has a Fermi level position situated at most 0.4 eV, but preferably less than 0.3 eV, below the electron transport level of the i-layer, with the result that low-loss electron extraction from the i-layer into this p-layer can occur.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann in dem Bauelement zwischen der ersten photoaktiven i-Schicht und der auf dem Substrat befindlichen Elektrode noch eine p-dotierte Schicht vorhanden sein, so dass es sich um eine pip oder pi-Struktur handelt, wobei die zusätzliche p-dotierte Schicht eine Ferminiveaulage hat, die höchstens 0,4eV, bevorzugt aber weniger als 0,3eV unterhalb des Elektronentransportniveaus der i-Schicht liegt, so dass es zu verlustarmer Elektronenextraktion aus der i-Schicht in diese p-Schicht kommen kann.
EuroPat v2
In a further embodiment, an n-layer system can also be present in the component between the intrinsic, photoactive layer and the counterelectrode, with the result that an nin or in structure is involved, wherein the additional n-doped layer has a Fermi level position situated at most 0.4 eV, but preferably less than 0.3 eV, above the hole transport level of the i-layer, with the result that low-loss hole extraction from the i-layer into this n-layer can occur.
In einer weiteren Ausführungsform kann in dem Bauelement noch ein n-Schichtsystem zwischen der intrinsischen, photoaktiven Schicht und der Gegenelektrode vorhanden sein, so dass es sich um eine nin- oder in-Struktur handelt, wobei die zusätzliche n-dotierte Schicht eine Ferminiveaulage hat, die höchstens 0,4eV, bevorzugt aber weniger als 0,3eV oberhalb des Löchertransportnivaus der i-Schicht liegt, so dass es zu verlustarmer Löcherextraktion aus der i-Schicht in diese n-Schicht kommen kann.
EuroPat v2
Here, the conductivity, which is initially quite low, is increased by generating charge carriers in the matrix material and a change in the Fermi level of the semiconductor is achieved, depending on the type of dopant used.
Hierbei wird durch Erzeugung von Ladungsträgern im Matrixmaterial eine Erhöhung der zunächst recht niedrigen Leitfähigkeit sowie je nach Art des verwendeten Dotanden eine Veränderung im Fermi-Niveau des Halbleiters erreicht.
EuroPat v2
The HOMO of the pure 10 nm NPD layer (1) has an energy difference of 1.3 eV to the Fermi level.
Das HOMO der reinen 10 nm NPD Schicht (1) hat eine Energiedifferenz von 1,3 eV zum Ferminiveau.
EuroPat v2
In a further embodiment of the invention, a p-doped layer may also be present in the component between the photoactive i layer and the electrode present on the substrate, such that the structure is a pip or pi structure, the additional p-doped layer having a Fermi level which is at most 0.4 eV, but preferably less than 0.3 eV, below the electron transport level of the i layer, such that there can be low-loss electron extraction from the i layer into this p layer.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann in dem Bauelement zwischen der photoaktiven i-Schicht und der auf dem Substrat befindlichen Elektrode noch eine p-dotierte Schicht vorhanden sein, so dass es sich um eine pip oder pi-Struktur handelt, wobei die zusätzliche p-dotierte Schicht eine Ferminiveaulage hat, die höchstens 0,4eV, bevorzugt aber weniger als 0,3eV unterhalb des Elektronentransportniveaus der i-Schicht liegt, so dass es zu verlustarmer Elektronenextraktion aus der i-Schicht in diese p-Schicht kommen kann.
EuroPat v2

Ähnliche Begriffe

at the same level on all levels level above the level
are level out of level at the level of at some level
fermi level fermi