Übersetzung für "Carrier diffusion" in Deutsch
On
the
carrier
body,
diffusion
and
alloy
formation
take
place
at
an
elevated
temperature.
Auf
dem
Trägerkörper
findet
eine
Diffusion
und
Legierungsbildung
bei
erhöhter
Temperatur
statt.
EuroPat v2
It
is
preferable
to
configure
the
flushing
chamber
from
a
housing
wherein
the
inlet
and
the
outlet
as
well
as
the
diffusion
section
all
open
into
the
flushing
chamber
with
the
ports
of
inlet
and
outlet
being
closeable
by
means
of
an
inlet
seal
and
an
outlet
seal
mounted
on
a
common
seal
carrier
which,
in
turn,
is
mounted
on
a
rod
projecting
into
the
flushing
chamber.
The
rod
is
displaceable
in
the
axial
direction
by
a
positioning
member.
The
seal
carrier
includes
a
diffusion-length
closure
means
mounted
thereon
so
that
the
diffusion
length
is
closed
when
the
inlet
and
outlet
ports
are
open
and
so
that
this
diffusion
length
is
open
when
the
inlet
and
outlet
ports
are
closed.
Die
Spülkammer
besteht
aus
einem
Gehäuse,
in
welches
sowohl
der
Einlaß
als
auch
der
Auslaß
sowie
die
Diffusionsstrecke
münden,
wobei
die
beiden
ersten
Mündungen
durch
eine
Einlaßdichtung
und
Auslaßdichtung
auf
einem
gemeinsamen
Dichtungsträger
verschließbar
sind,
welcher
von
einem
in
die
Spülkammer
hineinragenden,
von
einem
Stellglied
axial
verschiebbaren
Stößel
aufgenommen
ist
und
welcher
weiterhin
einen
Diffusionsstreckenverschluß
derart
angeordnet
aufweist,
daß
die
Diffusionsstrecke
bei
geöffnetem
Einlaß
und
Auslaß
geschlossen,
und
bei
geschlossenem
Einlaß
und
Auslaß
geöffnet
ist.
EuroPat v2
Iron
would
remain
at
the
surface
of
the
silicon,
or
at
an
interface
between
the
silicon
and
a
surface
layer,
where
it
would
not
significantly
reduce
the
minority
carrier
diffusion
length
of
the
silicon
bulk.
Das
Eisen
würde
an
der
Oberfläche
des
Siliciums
oder
an
einer
Grenzschicht
zwischen
dem
Silicium
und
einer
Oberflächenschicht
bleiben,
wo
es
die
Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge
des
Silicium-Inneren
nicht
erheblich
reduzieren
würde.
EuroPat v2
Furthermore,
significant
quantities
of
the
diffused
iron
would
not
be
expected
to
diffuse
back
to
regions
in
the
silicon
where
it
would
be
detrimental
to
minority
carrier
diffusion
length
because
the
cell
would
not
thereafter
be
subjected
to
temperatures
high
enough
to
cause
such
diffusion.
Des
weiteren
würde
nicht
erwartet
werden,
daß
erhebliche
Mengen
des
diffundierten
Eisens
in
Bereiche
im
Silicium
zurückdiffundieren,
in
denen
es
sich
für
die
Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge
nachteilig
auswirken
würde,
da
die
Zelle
danach
nicht
genügend
hohen
Temperaturen
ausgesetzt
werden
würde,
um
eine
solche
Diffusion
zu
bewirken.
EuroPat v2
Because
the
minority
carrier
diffusion
length
of
the
silicon
in
such
devices
is
a
major
factor
affecting
efficiency,
they
could
be
significantly
improved
by
this
process.
Da
die
Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge
des
Siliciums
in
solchen
Bauelementen
ein
Hauptfaktor
für
die
Beeinflussung
der
Effizienz
ist,
könnten
sie
durch
ein
derartiges
Verfahren
erheblich
verbessert
werden.
EuroPat v2
Various
techniques
may
be
used
to
measure
the
minority
carrier
recombination
lifetime
(or
minority
carrier
diffusion
length)
of
a
silicon
wafer
and
typically
involve
injecting
carriers
into
a
wafer
sample
by
means
of
a
flash
of
light
or
voltage
pulses
and
observing
their
decay.
Verschiedene
Verfahren
können
zur
Messung
der
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauer
(oder
der
Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge)
eines
Silicium-Wafers
angewendet
werden
und
schliefen
in
der
Regel
die
Injektion
von
Ladungsträgern
in
eine
Wafer-Probe
mittels
eines
Lichtblitzes
oder
durch
Spannungsimpulse
und
die
Beobachtung
ihres
Abfalls
ein.
EuroPat v2
In
particular,
through
the
application
of
the
storage
times
and
temperatures
described
above,
a
reduction
of
bulk
contamination
and
improvement
of
minority
carrier
diffusion
length
and
minority
carrier
recombination
lifetime
in
the
silicon
substrate
on
which
electronic
devices
are
manufactured
can
be
achieved.
Insbesondere
läßt
sich
durch
die
Anwendung
der
obengenannten
Lagerungszeiten
und
Temperaturen
eine
Reduzierung
der
Verunreinigungen
im
Inneren
und
eine
Verbesserung
der
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauer
sowie
eine
Verbesserung
der
Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge
und
der
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauer
im
Silicium-Substrat,
aus
dem
elektronische
Bauelemente
hergestellt
werden,
erzielen.
EuroPat v2
It
has
been
shown
that
this
operation,
namely
the
introduction
of
minority
charge
carriers
into
the
semiconductor
regions
from
the
floating
zones
during
switch-on
and
the
removal
of
the
minority
charge
carriers
from
the
semiconductor
regions
into
the
floating
zones
during
switch-off,
can
take
place
much
more
quickly
than
the
build
up
and
the
reduction
of
the
minority
charge
carrier
density
by
diffusion.
Es
hat
sich
gezeigt,
dass
dieser
Vorgang,
nämlich
das
Einbringen
von
Minoritätsladungsträgern
in
die
Halbleitergebiete
aus
den
floatenden
Zonen
beim
Einschalten
und
das
Abführen
der
Minoritätsladungsträger
aus
den
Halbleitergebieten
in
die
floatenden
Zonen
beim
Abschalten,
sehr
viel
rascher
als
der
Aufbau
bzw.
der
Abbau
der
Minoritätsladungsträger
durch
Diffusion
erfolgen
kann.
EuroPat v2
The
biocides
may
have
a
polar
interaction
with
the
carrier
material,
with
diffusion
from
the
carrier
material
being
possible.
Die
Biozide
können
mit
dem
Trägermaterial
polare
Wechselwirkung
haben,
wobei
eine
Diffusion
aus
dem
Trägermaterial
möglich
sein
muss.
EuroPat v2
According
to
the
invention,
a
change
in
the
ambient
conditions
is
an
increase
in
concentration
of
the
carrier
material
in
the
carrier
phase,
a
precipitation
of
the
carrier
material,
a
diffusion
of
the
solvent
out
of
the
carrier
phase,
a
contact
of
the
carrier
phase
with
ambient
components,
a
temperature
change,
a
change
in
pH-value,
a
change
in
ionic
strength,
the
placement
of
the
composition
at
the
site
of
administration
or
a
combination
of
2
or
more
of
the
mentioned
ambient
conditions.
Erfindungsgemäß
ist
es,
daß
die
Veränderung
der
Umgebungsbedingungen
eine
Konzentrierung
des
Trägermaterials
in
der
Trägerphase,
eine
Ausfällung
des
Trägermaterials,
eine
Wegdiffusion
des
Lösungsmittels
aus
der
Trägerphase,
ein
Kontakt
der
Trägerphase
mit
Umgebungsbestandteilen,
eine
Temperaturänderung,
eine
Änderung
des
pH-Wertes,
eine
Änderung
der
Ionenstärke,
das
Einbringen
der
Zubereitung
am
Applikationsort
oder
eine
Kombination
von
zwei
oder
mehrerer
der
genannten
Umgebungsbedingungen
ist.
EuroPat v2
With
this
charge
carrier
concentration,
a
zinc
oxide
having
good
insulating
properties
is
obtained
that
still
exhibits
sufficient
conductivity
to
enable
the
cited
charge
carrier
diffusion
in
the
zinc
oxide
layer.
Mit
dieser
Ladungsträgerkonzentration
wird
ein
gut
isolierendes
Zinkoxid
erhalten,
welches
jedoch
noch
ausreichend
Leitfähigkeit
zeigt,
um
die
genannte
Ladungsträgerdiffusion
in
der
Zinkoxidschicht
zu
ermöglichen.
EuroPat v2
Through
the
application
of
a
voltage
to
terminals
T
1
and
T
2,
diffusion
voltage
V
D
that
has
arisen
due
to
the
charge
carrier
diffusion
can
now
be
amplified
or
attenuated,
where
the
thickness
of
the
space
charge
regions
is
reduced
or
increased
according
to
the
polarity
of
the
applied
voltage.
Durch
Anlegen
einer
Spannung
an
die
Anschlüsse
T1
und
T2
kann
nun
die
aufgrund
der
Ladungsträgerdiffusion
entstandene
Diffusionsspannung
V
D
verstärkt
oder
abgeschwächt
werden,
wobei
sich
die
Dicke
der
Raumladungszonen
je
nach
Polarität
der
angelegten
Spannung
verringert
oder
erhöht.
EuroPat v2
The
coating
system
at
least
regionally
covers
the
surface
of
the
stent,
a
release
of
the
pharmacological
agent
into
the
human
or
animal
body
occurring
through
gradual
degradation
of
the
carrier
and/or
diffusion
into
the
surrounding
tissue.
Das
Beschichtungssystem
bedeckt
zumindest
bereichsweise
die
Oberfläche
des
Stents,
wobei
eine
Freisetzung
der
pharmakologischen
Wirkstoffe
im
menschlichen
bzw.
tierischen
Körper
durch
allmähliche
Degradation
des
Trägers
und/oder
Diffusion
in
das
umgebende
Gewebe
erfolgt.
EuroPat v2
However,
having
regard
to
the
measured
hole
mobility
?=186
cm
2
/Vs,
a
minority
charge
carrier
diffusion
length
L>11
?m
is
calculated
as
the
lower
limit
for
the
electron
mobility
and
this
is
greater
than
the
film
thickness
W
f
=5.8
?m.
Jedoch
wurde
in
Anbetracht
der
gemessenen
Lochbeweglichkeit
µ
=
186
cm
2
/Vs
als
untere
Grenze
für
die
Elektronen-Beweglichkeit
eine
Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge
L
>
11
µm
berechnet,
die
größer
ist
als
die
Filmdikke
W
f
=
5,8
µm.
EuroPat v2
Although
this
effect
occurs
mainly
in
semiconductor
materials
with
a
direct
band
junction
(radiating
recombination
of
the
charge
carriers),
it
could
also
be
determined
that,
in
materials
with
an
indirect
band
junction,
a
(significantly
weaker)
electroluminescence
occurs,
whose
intensity
is
proportional
to
the
minority
carrier
diffusion
length.
Dieser
Effekt
tritt
zwar
vor
allem
bei
der
Verwendung
von
Halbleitermaterialien
mit
direktem
Bandübergang
auf
(strahlende
Rekombination
der
Ladungsträger),
jedoch
konnte
auch
festgestellt
werden,
dass
in
Materialien
mit
indirektem
Bandübergang
eine
(wesentlich
schwächere)
Elektrolumineszenz
auftritt,
deren
Intensität
proportional
zur
Minoritätsträgerdiffusionslänge
ist.
EuroPat v2
The
materno-fetal
and
feto-maternal
exchange
processes,
such
as
diffusion,
carrier
transport,
active
and
vesicular
transport
are
influenced
by
the
thickness
of
the
separating
tissue
layers.
Die
materno-fetalen
bzw.
feto-maternalen
Austauschvorgänge
wie
Diffusion,
Carrier-Transport,
aktiver
und
vesikulärer
Transport
werden
durch
die
Dicke
der
trennenden
Gewebslagen
beeinflusst.
ParaCrawl v7.1
Lower
threshold
current
densities,
broader
gain
profiles,
reduced
filamentation
and
carrier
diffusion
to
mirrors
surface
together
with
a
reduced
temperature
sensitivity
of
emission
wavelength
make
semiconductor
quantum
dots
lasers
more
suitable
for
high
power
applications
compared
to
their
quantum
well
lasers
counterpart.
Niedrigere
Schwellenstromdichten,
breitere
Verstärkungskurven,
verringerte
Filamentierung
und
Ladungsträgerdiffusion
zu
den
Spiegelflächen
hin
zusammen
mit
einer
reduzierten
Temperaturabhängigkeit
der
Emissionswellenlänge
machen
Quantenpunkt-Laser
zu
überlegenen
Kandidaten
für
Hochleistungsanwendungen
im
Vergleich
zu
Quantenfilm-Lasern.
ParaCrawl v7.1
The
efficiency
of
the
cell
depends
on
the
minority
charge
carrier
diffusion
length
L
and
the
surface
recombination
velocity
(SRV)
S.
It
is
very
important
to
optimize
the
cell
thickness
W
f
in
order
to
correctly
estimate
the
possible
efficiency
for
fixed
L
and
S.
Accordingly,
the
simulation
varies
the
film
thickness
W
for
an
ideal
cell
efficiency.
Die
Effizienz
der
Zelle
hängt
von
der
Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge
L
und
der
Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit
(surface
recombination
velocity,
SRV)
S
ab.
Es
ist
sehr
wichtig,
die
Zelldicke
W
f
zu
optimieren,
um
die
mögliche
Effizienz
für
feste
L
und
S
richtig
einzuschätzen
[14].
Daher
variiert
die
Simulation
die
Filmdicke
W
für
eine
optimale
Zelleneffizienz.
EuroPat v2