Übersetzung für "Sättigungsstrom" in Englisch

Der Sättigungsstrom wird so bemessen, daß eine sichere Zündung des Thyristors stattfindet.
The saturation current is set at a value which permits reliable ignition of the thyristor TV.
EuroPat v2
Der Nennstrom ist im Gegensatz zum Sättigungsstrom vom Gleichstrom abhängig.
The rated current, unlike the saturation current, depends on the direct current.
ParaCrawl v7.1
Warum ist der Nennstrom bei manchen Induktivitäten kleiner als der Sättigungsstrom?
Why is the rated current smaller than the saturation current for some inductors?
ParaCrawl v7.1
Der Kammerstrom wächst bei kleinen Spannungen zunächst linear und geht schließlich in den Sättigungsstrom Is über.
At first the chamber current increases linearly for low voltages and then changes to the saturation current Is.
EuroPat v2
Der Schrittmotor wird im Bereich der Umkehr mit Sättigungsstrom und im übrigen Bereich mit Nennstrom beaufschlagt.
In the region of reversal, the stepping motor is supplied with a saturation current and in the remaining region with a rated current.
EuroPat v2
Gemäß Figur 3 ist der Sättigungsstrom I DS beim SPM geringer als beim SiC-JFET.
In accordance with FIG. 3 the saturation current I DS at the SPM is smaller than at the SiC-JFET.
EuroPat v2
Die erforderliche Zetispanne hängt ab von der Geschwindigkeit, mit der der laterale PNP-Transistor T3 den Sättigungsstrom herstellt, der durch ihn nach der Auswahl der Speicherzelle fliesst.
The required time interval depends upon the speed of the lateral PNP transistor T3 in reestablishing the saturation current flowing through it following cell selection.
EuroPat v2
Die Kurve b liegt unterhalb der Kurve a, der Kammestrom geht aber bei höherer Kammerspannung in denselben Sättigungsstrom Is wie bei unbeeinflußter Ionisationsmeßkammer über.
Curve "b" is below curve "a", but with higher chamber voltage, the chamber current changing to the same saturation current Is as with an unaffected ionization measurement chamber.
EuroPat v2
Damit steigt der durch die Zenerdiode 4, den MOSFET 3 und den Depletion-FET 5 getriebene Strom an, bis der Sättigungsstrom des Depletion-FET erreicht ist.
The current driven through the Zener diode 4, the MOSFET 3 and the depletion MOSFET 5 thus increases until the saturation current of the depletion MOSFET 5 is reached.
EuroPat v2
Aus dem Strom, der bei der erhöhten Betriebsspannung, die so hoch angesetzt wird, daß die Ionisati­onsmeßkammer (1) möglichst im Sättigungsbereich arbeitet, fließt, kann festgestellt werden, ob sich der Sättigungsstrom (Is) der Ionisationsmeß­kammer (1) gegenüber vorgegebenen Sollwerten erniedrigt hat.
From the current which flows at increased chamber voltage (UK2) it can be determined whether the saturation current (Is) of the ionization chamber (1) has fallen compared with given predetermined values.
EuroPat v2
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, den Sättigungsstrom eines HFET zu erhöhen, ohne die Hochfrequenzeigenschaften nachteilig zu beeinflussen.
It is therefore an object of the present invention to increase the saturation current of an HFET without adversely influencing its high frequency characteristics.
EuroPat v2
Der erfindungsgemäße HFET besitzt deshalb den Vorteil, daß zusätzliche Ladungsträger im Kanal zur Verfügung stehen und über die Gate-Spannung die Transporteigenschaften des Transistors derart moduliert werden, daß die Ladungsträger im dotierten Kanal Transporteigenschaften aufweisen wie im Fall des undotierten Kanals nur bei einem wesentlich höheren Sättigungsstrom.
The HFET according to the invention therefore has the advantage that additional charge carriers are available in the channel and the transporting characteristics of the transistor are modulated by way of the gate voltage in such a way that the charge carriers exhibit transporting characteristics in the doped channel as they are encountered in the case of the undoped channel, only with a substantially higher saturation current.
EuroPat v2
Es gilt dann für die Flußspannungen der Transistoren T 1 und T 2: EPMATHMARKEREP und EPMATHMARKEREP wobei U T = EPMATHMARKEREP T die Temperaturspannung, K die Boltzmannkonstante, q die Elementarladung, T die absolute Temperatur und I S der Sättigungsstrom ist.
The relationships of equations (1) and (2)--see table at the end of the specification--will obtain, in which UT =k/q T is the temperature voltage, k the Boltzmann constant, q the elementary charge, T the absolute temperature, and IS the saturation current.
EuroPat v2
Auf gleiche Weise wie bei einem konventionellen JFET-Transistor gibt es für den Kanalteil 113a hierdurch einen Sättigungsstrom, der nicht überschritten werden kann.
In the same way as happens with a conventional JFET transistor, the channel portion 113a therefore has a saturation current which cannot be exceeded.
EuroPat v2
Dieser Sättigungsstrom kann durch geeignete Wahl der Dotierung, Länge und Dicke des Kanalbereichs auf einen gewünschten Wert gebracht werden.
This saturation current may be set at the desired value by a suitable choice of the doping concentration in the length of and the thickness of the channel layer 113.
EuroPat v2
Bei den hohen Spannungswerten, die an einem Thyristor auftreten können, wenn dieser mit Hilfe eines Feldeffekt Transistor F v gelöscht wird, wird der JFET-Transistor wie eine Konstantstromquelle arbeiten und seinen Strom automatisch auf den Sättigungsstrom begrenzen.
At high values of the thyristor voltage which may occur when the thyristor has been extinguished by means of the field effect transistor FV, the JFET transistor will operate as a constant current source and automatically limit its current to a value equal to the saturation current.
EuroPat v2
Eine auf diese Weise ausgebildete JFET-Sektion hat einen Sättigungsstrom in einer Größenordnung von einigen Hundert µA, was ein angemessener Wert für einen Überstromschutz mit einem Nennstrom von einigen hundert Milliampere und einer Nennspannung von einigen hundert Volt sein kann.
A JFET section constructed in this manner receives a saturation current of the order of magnitude of one or a few hundred ?A, which may be a suitable value for an overcurrent protection device with a rated current of a few hundred milliamperes and a rated voltage of a few hundred volts.
EuroPat v2
Der Sättigungsstrom Is ist direkt proportional zur Anzahl der erzeugten Ionen und damit auch propor­tional zur Aktivität der radioaktiven Quelle.
The saturation current Is is directly proportional to the number of ions generated and therefore also directly proportional to the activity of the radioactive source.
EuroPat v2
Wie ersichtlich weisen die Kurven a und b annähernd den gleichen Sätti­gungsstrom Isa auf, d.h. der Sättigungsstrom ist von der Rauchkonzentrati­on nahezu unabhängig.
As can be seen, curves "a" and "b" have approximately the same saturation current Isa, i.e. the saturation current is virtually independent of the smoke concentration.
EuroPat v2
Da die Strom-Spannungs-Charakteristiken der Ionisationsmeßkammer 1 mit und ohne Rauch bekannt sind, kann aus dem bei der erhöhten Betriebsspan­nung gemessenen Strom Ia2 ohne weiteres auf den Sättigungsstrom Is ge­schlossen werden.
As the current-voltage characteristics of the ionization chamber (1) are known with and without smoke, it is a simple matter to calculate the saturation current Is from current Ia2 at the increased chamber voltage UK2.
EuroPat v2
Er ist derart dimensioniert, daß sein Sättigungsstrom I sat (FIG 2) größer ist als der Sperrstrom, der durch die Zenerdiode 4 fließt, wenn diese noch nicht durchgebrochen ist.
It is dimensioned such that its saturation current Isat (FIG. 2) is higher than the reverse current that flows through the Zener diode 4 when the Zener diode 4 has not yet broken down.
EuroPat v2
Der Sättigungsstrom ist jedoch kleiner als derjenige Strom, der bei Durchbruch der Zenerdiode 4 fließen würde.
The saturation current, however, is lower than a current that would flow given breakdown of the Zener diode 4.
EuroPat v2
Die nach dem Einschalten des MOSFET 3 und dem Sperren des Leistungs-MOSFET 1 an der induktiven Last 2 anstehende Spannung treibt zunächst einen Strom durch die Zenerdiode 4, den MOSFET 3 und den Depletion-FET 5, der kleiner ist als der Sättigungsstrom des Depletion-FET.
The voltage across at the inductive load 2 after the activation of the MOSFET 3 and the turn-off of the power MOSFET 1 initially drives a current through the Zener diode 4, the MOSFET 3 and the depletion MOSFET 5 that is lower than the saturation current of the depletion MOSFET 5.
EuroPat v2
In CMOS-Schaltungsanordnungen, insbesondere in Invertern, NAND- und NOR-Gattern, Schieberegistern, Speicher-, Logik- und Analogschaltungen, werden sowohl n-Kanal-MOS-Transistoren als auch p-Kanal-MOS-Transistoren eingesetzt, die neben der betragsmäßigen Gleichheit der Einheitsspannung auch die gleiche Steilheit und den gleichen Sättigungsstrom aufweisen müssen.
In CMOS circuit arrangements, particularly invertors, NAND and NOR gates, shift registers, memory, and logic and analogue circuits, use is made of both n-channel MOS transistors and p-channel MOS transistors which must have not only unit voltage equality in terms of magnitude but also the same transconductance and the same saturation current.
EuroPat v2
Auf diese Weise ist der Platzbedarf der p-Kanal-MOS-Transistoren und n-Kanal-MOS-Transistoren gleich und gleichzeitig gleiche Steilheit und gleicher Sättigungsstrom sichergestellt.
In this way, the space required by the p-channel MOS transistors and n-channel MOS transistors is the same and, at the same time, equal transconductance and equal saturation currents are ensured.
EuroPat v2
Konstantstromquelle nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, daß beide Feldeffekt-Transistoren (A1, A2) einen Sättigungsstrom (I DSS) besitzen, der wesentlich größer als der einzustellende maximale Konstantstrom (I konst) ist.
The constant-current source according to claim 2, wherein both of said field effect transistors have a saturation current (IDSS) that is considerably larger than the maximum constant current (Iconst) to be adjusted.
EuroPat v2
Allerdings ist ein enges Zellraster gleichbedeutend mit einer größeren Kanalweite pro Zellfläche und somit mit einem höheren Sättigungsstrom.
However, a tight cell grid spacing is synonymous with a relatively large channel width per cell area, and thus with a relatively high saturation current.
EuroPat v2
Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei den ersten und den dritten Feldeffekt-Transistoren (A3, A5) die zugehörigen Sättigungsströme (I dss) wesentlich größer sind als der Sättigungsstrom des zweiten Feldeffekt-Transistors (A4).
The driver circuit according to claim 1, wherein the saturation currents (Idss) of said first and second field effect transistors are considerably larger than the saturation current of said third field effect transistor.
EuroPat v2
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Heterostuktur-Feldeffekttransistor mit höherem Sättigungsstrom ohne nachteilige Beeinflussung der Hochfrequenzeigenschaften anzugeben.
It is therefore an object of the present invention to increase the saturation current of an HFET without adversely influencing its high frequency characteristics.
EuroPat v2
Möchte man das Gewicht und die Größe der bekannten Drossel verringern, hat die erreichhbare Sättigungskurve einen vergleichsweise niedrigen Sättigungsstrom, was zu einem unregelmäßigen oder sprunghaften Betrieb des Schweißgerätes führt.
By decreasing the weight and size of the choke the saturation curve has a reduced saturation current which causes erratic operation of the D.C. welder.
EuroPat v2