Translation of "Sättigungsstrom" in English
Der
Sättigungsstrom
wird
so
bemessen,
daß
eine
sichere
Zündung
des
Thyristors
stattfindet.
The
saturation
current
is
set
at
a
value
which
permits
reliable
ignition
of
the
thyristor
TV.
EuroPat v2
Der
Nennstrom
ist
im
Gegensatz
zum
Sättigungsstrom
vom
Gleichstrom
abhängig.
The
rated
current,
unlike
the
saturation
current,
depends
on
the
direct
current.
ParaCrawl v7.1
Warum
ist
der
Nennstrom
bei
manchen
Induktivitäten
kleiner
als
der
Sättigungsstrom?
Why
is
the
rated
current
smaller
than
the
saturation
current
for
some
inductors?
ParaCrawl v7.1
Der
Kammerstrom
wächst
bei
kleinen
Spannungen
zunächst
linear
und
geht
schließlich
in
den
Sättigungsstrom
Is
über.
At
first
the
chamber
current
increases
linearly
for
low
voltages
and
then
changes
to
the
saturation
current
Is.
EuroPat v2
Der
Schrittmotor
wird
im
Bereich
der
Umkehr
mit
Sättigungsstrom
und
im
übrigen
Bereich
mit
Nennstrom
beaufschlagt.
In
the
region
of
reversal,
the
stepping
motor
is
supplied
with
a
saturation
current
and
in
the
remaining
region
with
a
rated
current.
EuroPat v2
Gemäß
Figur
3
ist
der
Sättigungsstrom
I
DS
beim
SPM
geringer
als
beim
SiC-JFET.
In
accordance
with
FIG.
3
the
saturation
current
I
DS
at
the
SPM
is
smaller
than
at
the
SiC-JFET.
EuroPat v2
Die
erforderliche
Zetispanne
hängt
ab
von
der
Geschwindigkeit,
mit
der
der
laterale
PNP-Transistor
T3
den
Sättigungsstrom
herstellt,
der
durch
ihn
nach
der
Auswahl
der
Speicherzelle
fliesst.
The
required
time
interval
depends
upon
the
speed
of
the
lateral
PNP
transistor
T3
in
reestablishing
the
saturation
current
flowing
through
it
following
cell
selection.
EuroPat v2
Die
Kurve
b
liegt
unterhalb
der
Kurve
a,
der
Kammestrom
geht
aber
bei
höherer
Kammerspannung
in
denselben
Sättigungsstrom
Is
wie
bei
unbeeinflußter
Ionisationsmeßkammer
über.
Curve
"b"
is
below
curve
"a",
but
with
higher
chamber
voltage,
the
chamber
current
changing
to
the
same
saturation
current
Is
as
with
an
unaffected
ionization
measurement
chamber.
EuroPat v2
Damit
steigt
der
durch
die
Zenerdiode
4,
den
MOSFET
3
und
den
Depletion-FET
5
getriebene
Strom
an,
bis
der
Sättigungsstrom
des
Depletion-FET
erreicht
ist.
The
current
driven
through
the
Zener
diode
4,
the
MOSFET
3
and
the
depletion
MOSFET
5
thus
increases
until
the
saturation
current
of
the
depletion
MOSFET
5
is
reached.
EuroPat v2
Aus
dem
Strom,
der
bei
der
erhöhten
Betriebsspannung,
die
so
hoch
angesetzt
wird,
daß
die
Ionisationsmeßkammer
(1)
möglichst
im
Sättigungsbereich
arbeitet,
fließt,
kann
festgestellt
werden,
ob
sich
der
Sättigungsstrom
(Is)
der
Ionisationsmeßkammer
(1)
gegenüber
vorgegebenen
Sollwerten
erniedrigt
hat.
From
the
current
which
flows
at
increased
chamber
voltage
(UK2)
it
can
be
determined
whether
the
saturation
current
(Is)
of
the
ionization
chamber
(1)
has
fallen
compared
with
given
predetermined
values.
EuroPat v2
Der
Erfindung
liegt
deshalb
die
Aufgabe
zugrunde,
den
Sättigungsstrom
eines
HFET
zu
erhöhen,
ohne
die
Hochfrequenzeigenschaften
nachteilig
zu
beeinflussen.
It
is
therefore
an
object
of
the
present
invention
to
increase
the
saturation
current
of
an
HFET
without
adversely
influencing
its
high
frequency
characteristics.
EuroPat v2
Der
erfindungsgemäße
HFET
besitzt
deshalb
den
Vorteil,
daß
zusätzliche
Ladungsträger
im
Kanal
zur
Verfügung
stehen
und
über
die
Gate-Spannung
die
Transporteigenschaften
des
Transistors
derart
moduliert
werden,
daß
die
Ladungsträger
im
dotierten
Kanal
Transporteigenschaften
aufweisen
wie
im
Fall
des
undotierten
Kanals
nur
bei
einem
wesentlich
höheren
Sättigungsstrom.
The
HFET
according
to
the
invention
therefore
has
the
advantage
that
additional
charge
carriers
are
available
in
the
channel
and
the
transporting
characteristics
of
the
transistor
are
modulated
by
way
of
the
gate
voltage
in
such
a
way
that
the
charge
carriers
exhibit
transporting
characteristics
in
the
doped
channel
as
they
are
encountered
in
the
case
of
the
undoped
channel,
only
with
a
substantially
higher
saturation
current.
EuroPat v2
Es
gilt
dann
für
die
Flußspannungen
der
Transistoren
T
1
und
T
2:
EPMATHMARKEREP
und
EPMATHMARKEREP
wobei
U
T
=
EPMATHMARKEREP
T
die
Temperaturspannung,
K
die
Boltzmannkonstante,
q
die
Elementarladung,
T
die
absolute
Temperatur
und
I
S
der
Sättigungsstrom
ist.
The
relationships
of
equations
(1)
and
(2)--see
table
at
the
end
of
the
specification--will
obtain,
in
which
UT
=k/q
T
is
the
temperature
voltage,
k
the
Boltzmann
constant,
q
the
elementary
charge,
T
the
absolute
temperature,
and
IS
the
saturation
current.
EuroPat v2
Auf
gleiche
Weise
wie
bei
einem
konventionellen
JFET-Transistor
gibt
es
für
den
Kanalteil
113a
hierdurch
einen
Sättigungsstrom,
der
nicht
überschritten
werden
kann.
In
the
same
way
as
happens
with
a
conventional
JFET
transistor,
the
channel
portion
113a
therefore
has
a
saturation
current
which
cannot
be
exceeded.
EuroPat v2
Dieser
Sättigungsstrom
kann
durch
geeignete
Wahl
der
Dotierung,
Länge
und
Dicke
des
Kanalbereichs
auf
einen
gewünschten
Wert
gebracht
werden.
This
saturation
current
may
be
set
at
the
desired
value
by
a
suitable
choice
of
the
doping
concentration
in
the
length
of
and
the
thickness
of
the
channel
layer
113.
EuroPat v2
Bei
den
hohen
Spannungswerten,
die
an
einem
Thyristor
auftreten
können,
wenn
dieser
mit
Hilfe
eines
Feldeffekt
Transistor
F
v
gelöscht
wird,
wird
der
JFET-Transistor
wie
eine
Konstantstromquelle
arbeiten
und
seinen
Strom
automatisch
auf
den
Sättigungsstrom
begrenzen.
At
high
values
of
the
thyristor
voltage
which
may
occur
when
the
thyristor
has
been
extinguished
by
means
of
the
field
effect
transistor
FV,
the
JFET
transistor
will
operate
as
a
constant
current
source
and
automatically
limit
its
current
to
a
value
equal
to
the
saturation
current.
EuroPat v2
Eine
auf
diese
Weise
ausgebildete
JFET-Sektion
hat
einen
Sättigungsstrom
in
einer
Größenordnung
von
einigen
Hundert
µA,
was
ein
angemessener
Wert
für
einen
Überstromschutz
mit
einem
Nennstrom
von
einigen
hundert
Milliampere
und
einer
Nennspannung
von
einigen
hundert
Volt
sein
kann.
A
JFET
section
constructed
in
this
manner
receives
a
saturation
current
of
the
order
of
magnitude
of
one
or
a
few
hundred
?A,
which
may
be
a
suitable
value
for
an
overcurrent
protection
device
with
a
rated
current
of
a
few
hundred
milliamperes
and
a
rated
voltage
of
a
few
hundred
volts.
EuroPat v2
Der
Sättigungsstrom
Is
ist
direkt
proportional
zur
Anzahl
der
erzeugten
Ionen
und
damit
auch
proportional
zur
Aktivität
der
radioaktiven
Quelle.
The
saturation
current
Is
is
directly
proportional
to
the
number
of
ions
generated
and
therefore
also
directly
proportional
to
the
activity
of
the
radioactive
source.
EuroPat v2
Wie
ersichtlich
weisen
die
Kurven
a
und
b
annähernd
den
gleichen
Sättigungsstrom
Isa
auf,
d.h.
der
Sättigungsstrom
ist
von
der
Rauchkonzentration
nahezu
unabhängig.
As
can
be
seen,
curves
"a"
and
"b"
have
approximately
the
same
saturation
current
Isa,
i.e.
the
saturation
current
is
virtually
independent
of
the
smoke
concentration.
EuroPat v2
Da
die
Strom-Spannungs-Charakteristiken
der
Ionisationsmeßkammer
1
mit
und
ohne
Rauch
bekannt
sind,
kann
aus
dem
bei
der
erhöhten
Betriebsspannung
gemessenen
Strom
Ia2
ohne
weiteres
auf
den
Sättigungsstrom
Is
geschlossen
werden.
As
the
current-voltage
characteristics
of
the
ionization
chamber
(1)
are
known
with
and
without
smoke,
it
is
a
simple
matter
to
calculate
the
saturation
current
Is
from
current
Ia2
at
the
increased
chamber
voltage
UK2.
EuroPat v2
Er
ist
derart
dimensioniert,
daß
sein
Sättigungsstrom
I
sat
(FIG
2)
größer
ist
als
der
Sperrstrom,
der
durch
die
Zenerdiode
4
fließt,
wenn
diese
noch
nicht
durchgebrochen
ist.
It
is
dimensioned
such
that
its
saturation
current
Isat
(FIG.
2)
is
higher
than
the
reverse
current
that
flows
through
the
Zener
diode
4
when
the
Zener
diode
4
has
not
yet
broken
down.
EuroPat v2
Der
Sättigungsstrom
ist
jedoch
kleiner
als
derjenige
Strom,
der
bei
Durchbruch
der
Zenerdiode
4
fließen
würde.
The
saturation
current,
however,
is
lower
than
a
current
that
would
flow
given
breakdown
of
the
Zener
diode
4.
EuroPat v2
Die
nach
dem
Einschalten
des
MOSFET
3
und
dem
Sperren
des
Leistungs-MOSFET
1
an
der
induktiven
Last
2
anstehende
Spannung
treibt
zunächst
einen
Strom
durch
die
Zenerdiode
4,
den
MOSFET
3
und
den
Depletion-FET
5,
der
kleiner
ist
als
der
Sättigungsstrom
des
Depletion-FET.
The
voltage
across
at
the
inductive
load
2
after
the
activation
of
the
MOSFET
3
and
the
turn-off
of
the
power
MOSFET
1
initially
drives
a
current
through
the
Zener
diode
4,
the
MOSFET
3
and
the
depletion
MOSFET
5
that
is
lower
than
the
saturation
current
of
the
depletion
MOSFET
5.
EuroPat v2
In
CMOS-Schaltungsanordnungen,
insbesondere
in
Invertern,
NAND-
und
NOR-Gattern,
Schieberegistern,
Speicher-,
Logik-
und
Analogschaltungen,
werden
sowohl
n-Kanal-MOS-Transistoren
als
auch
p-Kanal-MOS-Transistoren
eingesetzt,
die
neben
der
betragsmäßigen
Gleichheit
der
Einheitsspannung
auch
die
gleiche
Steilheit
und
den
gleichen
Sättigungsstrom
aufweisen
müssen.
In
CMOS
circuit
arrangements,
particularly
invertors,
NAND
and
NOR
gates,
shift
registers,
memory,
and
logic
and
analogue
circuits,
use
is
made
of
both
n-channel
MOS
transistors
and
p-channel
MOS
transistors
which
must
have
not
only
unit
voltage
equality
in
terms
of
magnitude
but
also
the
same
transconductance
and
the
same
saturation
current.
EuroPat v2
Auf
diese
Weise
ist
der
Platzbedarf
der
p-Kanal-MOS-Transistoren
und
n-Kanal-MOS-Transistoren
gleich
und
gleichzeitig
gleiche
Steilheit
und
gleicher
Sättigungsstrom
sichergestellt.
In
this
way,
the
space
required
by
the
p-channel
MOS
transistors
and
n-channel
MOS
transistors
is
the
same
and,
at
the
same
time,
equal
transconductance
and
equal
saturation
currents
are
ensured.
EuroPat v2
Konstantstromquelle
nach
Anspruch
1
oder
Anspruch
2,
daß
beide
Feldeffekt-Transistoren
(A1,
A2)
einen
Sättigungsstrom
(I
DSS)
besitzen,
der
wesentlich
größer
als
der
einzustellende
maximale
Konstantstrom
(I
konst)
ist.
The
constant-current
source
according
to
claim
2,
wherein
both
of
said
field
effect
transistors
have
a
saturation
current
(IDSS)
that
is
considerably
larger
than
the
maximum
constant
current
(Iconst)
to
be
adjusted.
EuroPat v2
Allerdings
ist
ein
enges
Zellraster
gleichbedeutend
mit
einer
größeren
Kanalweite
pro
Zellfläche
und
somit
mit
einem
höheren
Sättigungsstrom.
However,
a
tight
cell
grid
spacing
is
synonymous
with
a
relatively
large
channel
width
per
cell
area,
and
thus
with
a
relatively
high
saturation
current.
EuroPat v2
Treiberschaltung
nach
Anspruch
1,
dadurch
gekennzeichnet,
daß
bei
den
ersten
und
den
dritten
Feldeffekt-Transistoren
(A3,
A5)
die
zugehörigen
Sättigungsströme
(I
dss)
wesentlich
größer
sind
als
der
Sättigungsstrom
des
zweiten
Feldeffekt-Transistors
(A4).
The
driver
circuit
according
to
claim
1,
wherein
the
saturation
currents
(Idss)
of
said
first
and
second
field
effect
transistors
are
considerably
larger
than
the
saturation
current
of
said
third
field
effect
transistor.
EuroPat v2
Aufgabe
der
vorliegenden
Erfindung
ist
es,
einen
Heterostuktur-Feldeffekttransistor
mit
höherem
Sättigungsstrom
ohne
nachteilige
Beeinflussung
der
Hochfrequenzeigenschaften
anzugeben.
It
is
therefore
an
object
of
the
present
invention
to
increase
the
saturation
current
of
an
HFET
without
adversely
influencing
its
high
frequency
characteristics.
EuroPat v2
Möchte
man
das
Gewicht
und
die
Größe
der
bekannten
Drossel
verringern,
hat
die
erreichhbare
Sättigungskurve
einen
vergleichsweise
niedrigen
Sättigungsstrom,
was
zu
einem
unregelmäßigen
oder
sprunghaften
Betrieb
des
Schweißgerätes
führt.
By
decreasing
the
weight
and
size
of
the
choke
the
saturation
curve
has
a
reduced
saturation
current
which
causes
erratic
operation
of
the
D.C.
welder.
EuroPat v2