Übersetzung für "Durchlasszustand" in Englisch

Im Durchlasszustand wird der beschriebene NPN-Transistor bei höheren Durchlassströmen eingeschaltet.
In the conducting state, the NPN transistor described is turned on at fairly high on-state currents.
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3B wird also eine verbesserte Steue­ rung erzielt, ohne die Eigenschaften im Durchlasszustand zu verschlechtern.
3B without impairing the properties in the conducting state.
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Das Siliciumbauelement weist bei Betriebsspannungen einer vorgegebenen Polarität einen Durchlasszustand und einen Sperrzustand auf.
The silicon component has an on state and an off state at operating voltages of a predefined polarity.
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Das bedeutet mit anderen Worten, dass der Transportfaktor ß für die vom P-Emitter in die Stoppschicht 3a injizierten Minoritätsladungsträger bis zum Ort X 2 in vorteilhafter Weise eine Funktion der Stromdichte wird, d.h., der Transportfaktor ß ist klein für eine kleine Stromdichte im Sperrzustand und gross für eine hohe Stromdichte im Durchlasszustand.
This means in other words that the transport factor ? becomes, in an advantageous way, a function of the current density for the minority charge carriers injected into the stopping layer 3a by the P-emitter up to the location X2, i.e. the transport factor ? is low for a low current density in the blocking condition and high for a high current density in the passing condition.
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Die Kurzschlüsse sind also ausgeschaltet und der Thyristor befindet sich deshalb in einem Zustand maximaler Zündbereitschaft, so dass sich das initiierte Plasma ungehindert ausbreiten und den Thyristor in den Durchlasszustand bringen kann.
The short circuits are therefore switched off and the thyristor is therefore in a state of maximum standby for triggering, with the result that the initiated plasma can spread out unimpeded and set the thyristor to the on state.
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Der feldgesteuerte Thyristor befindet sich bei fehlender Gatespannung im Durchlasszustand (ON-Zustand) und wird erst durch Anlegen einer geeigneten Gatespannung abge­schaltet.
In the absence of a gate voltage, the field-controlled thyristor is in the conducting state (ON state) and is only turned off by applying a suitable gate voltage.
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Die Funktionsweise dieser Anordnung ist die folgende: Im Durchlasszustand verhält sich der Kathodenfinger 14 wegen der isolierenden Eigenschaften der Isolations­schichten 13 wie die in Fig.
The mode of operation of this arrangement is the following: in the conducting state the cathode finger 14 behaves like the conventional configuration shown in FIG.
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Simulationsrechnungen haben nun gezeigt, dass eine wesentliche Verbesserung des ON-Widerstandes (d.h. des Widerstandes im Durchlasszustand), der Abschaltzeiten und des soge nannten "Tail"-Verhaltens (d.h. des Abklingverhaltens des Stromes beim "snubberless"-Abschalten) für solche GTOs und FCThs erreicht werden kann, wenn die entsprechenden Halbleitersubstrate mit einer Stoppschicht und einer verminderten Dicke der n-Basisschicht ausgeführt werden.
Simulation calculations have now shown that a substantial improvement of the ON resistance (i.e. the resistance in the conducting state), the turn-off times and the so-called "tail" behaviour (i.e. the decay behaviour of the current during "snubberless" turn off) can be achieved for such GTOs and FCThs if the corresponding semiconductor substrate is constructed with a stop layer and a reduced thickness of the n-type base layer.
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Dadurch kann auch bewirkt werden, dass am Übergang 100 ein Anstieg der Durchlassspannung geringer ist als bei einer in der Richtung x homogenen Reduzierung der mittleren freien Weglänge für die freien Ladungsträger in der Kristallschicht 20 und dass somit auch ein verbesserter Kompromiss zwischen den Schaltverlusten und den im Durchlasszustand entstehenden Verlusten erzielt werden kann.
Therefore, it is also possible to accomplish the result that an increase in the conducting-state voltage at junction 100 is less than in the case of a reduction in the mean free path length for the free charge carriers in the crystal layer 20 which is homogeneous in direction x (the reduction is homogeneous) and thus also an improved compromise can be achieved between the switching losses and the losses that occur in the conducting state.
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Im Durchlasszustand des Halbleiter-Leistungsschalters werden die Gate-Unterbänder eines Gatebands hingegen auf gleiches Potenzial gesetzt, d.h. in diesem Fall werden alle Gate-Unterbänder auf dasselbe Potenzial gesetzt.
In contrast, in the on state of the semiconductor power switch, the gate subbands of a gate band are set to the same potential, i.e. all of the gate subbands are set to the same potential in this case.
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Ferner weist die Vorrichtung 20 eine Messzelle 5 auf, die bezogen auf eine bestimmungsgemäße Flussrichtung der Flüssigkeit stromabwärts von dem Druckbehälter 1 angeordnet ist und in Fluidkommunikation mit dem Druckbehälter 1 gebracht werden kann, wenn das Schaltelement 3 von einer Steuereinrichtung 10 in einem diese Fluidkommunikation zulassenden Betriebszustand geschaltet ist, der auch als Durchlasszustand bezeichnet werden kann.
Furthermore, the device 20 has a measuring cell 5, which is arranged downstream of the pressure vessel 1 with respect to a normal flow direction of the liquid and can be brought into fluid communication with the pressure vessel 1 if the switching element 3 is switched by a control apparatus 10 in an operating state permitting this fluid communication, which can also be termed the passage state.
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Die vorgeschlagenen Sicherung kann verglichen mit herkömmlichen, aktiven Halbleiterbauelementen billiger sein und im Durchlasszustand einen deutlich geringeren Zellenwiderstand als herkömmliche aktive Halbleiterbauelemente haben.
Compared to conventional, active semiconductor devices, the proposed fuse may be less expensive and, in the conducting state, may have a clearly lower cell resistance than conventional, active semiconductor devices.
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Bei einer Gate-Emitter-Spannung oberhalb einer Schwellspannung (+15V) des MOS-Kanals eines rückwärts leitfähigen IGBTs ist die Anodeneffizienz niedrig, wodurch die Ladungsträgerdichte im Durchlasszustand niedrig und die Durchlassspannung hoch sind.
With a gate emitter voltage above a threshold voltage (+15V) of the MOS channel of a reverse conductive IGBT the anode efficiency is low, whereby the charge carrier density in the conductive state is low and the conductive state voltage is high.
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Während der niedrigen Pegel der Kommunikationspulse entlädt sich deshalb der Kondensator des RC-Gliedes über die Basis/Emitter-Strecke des Regeltransistors, so dass dieser im Durchlasszustand bleibt, und folglich der Teilnehmer auch während der Kommunikationspulse Strom zieht.
During the low-level of the communication pulses, the capacitor of the RC element therefore discharges via the base/emitter path of the regulating transistor, as a result of which the latter remains in the on state, and therefore the subscriber also draws current during the communication pulses.
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Bei einer Gate-Emitter-Spannung unterhalb einer Schwellspannung des MOS-Kanals (-15V) eines rückwärts leitfähigen IGBTs ist die Anodeneffizienz hoch, wodurch die Ladungsträgerdichte im Durchlasszustand hoch und die Durchlassspannung niedrig sind.
With a gate emitter voltage below a threshold voltage of the MOS channel (15V) of a reverse conductive IGBT the anode efficiency is high, whereby the charge carrier density in the conductive state is high and the conductive state voltage is low.
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Das Stützelement ist vorzugsweise derart angeordnet, dass sich eine Ventilwand beim Öffnen des Ventilfunktionsbereichs an das Stützelement anlegt, wenn die Öffnung einen Durchlasszustand eingenommen hat, in dem ein vorgesehener Durchlass gebildet ist.
The support member is preferably arranged such that upon opening of the valve functional area, a valve wall comes into abutment with the support member when the opening has assumed a pass-through state, in which a provided passage is formed.
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Dieser Strom, der über die Schaltstrecke des Schalters fließt und demnach auch durch den Shunt-Widerstand, lässt sich im Durchlasszustand des Schalters S am Shunt-Widerstand messen.
This current, which flows via the switching path of the switch and, accordingly, through the shunt resistor, can be measured in the on-state of the switch S at the shunt resistor.
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Die Diode stellt sicher, dass sich der Kondensator des RC-Gliedes ausschließlich über die Basis/Emitter-Strecke des Regeltransistors entlädt und diesen deshalb im Durchlasszustand hält.
The diode ensures that the capacitor of the RC element discharges exclusively via the base/emitter junction of the regulating transistor and therefore keeps the latter in the on state.
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Alle genannten Halbleiterbauelemente können nur Ströme in einer Stromrichtung (Durchlassrichtung), d. h. nur bei einer bestimmten Polarität der anliegenden Betriebsspannung zwischen einem Durchlasszustand und einem Sperrzustand geschaltet werden (schaltbarer Zustand).
All the aforesaid semiconductor components can be switched only currents in one current direction (forward direction), i.e. only when there is a specific polarity of the applied operating voltage between an on state and an off state (switchable state).
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Das Steuersignal schaltet den Steuerschalter ein, bringt ihn also in seinen Durchlasszustand oder eingeschalteten Zustand, wenn der Gefährdungsfall vorliegt.
The control signal switches the control switch on, and therefore switches it into its on state or switched on state if the dangerous situation occurs.
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Ein solcher selbstsperrender MISFET ist bei einer Steuerspannung von 0 V oder unterhalb einer Schwellspannung im sperrenden (ausgeschalteten) Zustand und benötigt zum Einschalten oder Übergang in den Durchlasszustand eine aktive Schalt- oder Steuerspannung, die betragsmäßig größer als 0 V ist und im allgemeinen oberhalb der Schwellspannung liegen muss.
Such a normally-off MISFET is in the normally off (switched off) state at a control voltage of 0 V or below a threshold voltage and, in order to switch on or change into the on state, it requires an active switching voltage or control voltage which is higher than 0 V in absolute terms, and must generally lie above the threshold voltage.
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Insbesondere hat das Schutzelement 3 das Schaltelement 2 sowohl in dessen Durchlasszustand als auch in dessen Sperrzustand zumindest überwiegend gegen die anliegende Betriebsspannung U B zu entlasten, so dass das Schaltelement nur für eine vorgegebene maximale Sperrspannung ausgelegt werden muss, die deutlich niedriger als die maximale Betriebsspannung ist.
In particular, the protection element 3 has to relieve the switching element 2 of loading both in its on state and in its off state at least predominantly with respect to the applied operating voltage U B so that the switching element has to be configured only for a predefined maximum off state voltage which is significantly lower than the maximum operating voltage.
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Darüber hinaus soll das Schutzelement 3 im Durchlasszustand des Schaltelements 2 durch die Arbeitsschaltung 10 fließende Überlastströme, die üblicherweise wenigstens das Dreifache oberhalb der Nennströme liegen, oder die noch wesentlich höher ansteigenden Kurzschlussströme begrenzen, so dass das Schaltelement 2 nicht durch diese zu hohen Ströme zu hohen Verlustleistungen und damit der Gefahr einer thermischen Zerstörung ausgesetzt ist.
Furthermore, in the on state of the switching element 2, the protection element 3 is also to limit the overload currents flowing through the working circuit 10, said currents being usually at least three times the rated currents, or to limit the short circuit currents which rise to a significantly higher level, with the result that the switching element 2 is not exposed by these excessively high currents to high power losses and thus to the risk of thermal destruction.
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Legt man an den Steueranschluss 2C des Schaltelements 2 ein Einschalt-Schaltsignal P S an, so sind das Schaltelement 2 als auch das Schutzelement 3 jeweils im Durchlasszustand, so dass durch die Arbeitsschaltung 10 ein Betriebsstrom fließen kann.
If a switching on switching signal P S is applied to the control terminal 2 C of the switching element 2, the switching element 2 and the protection element 3 are each in the on state so that an operating current can flow through the working circuit 10 .
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Bei HF-Anwendungen kommen in den o.g. Gleichrichter- bzw. RSSI-Schaltungen vorzugsweise Schottky-Dioden zum Einsatz, die aufgrund vernachlässigbarer Ladungsspeicherung im Durchlasszustand schon an sich nur einen sehr kleinen parasitären Kapazitätswert besitzen.
For HF applications, the above-mentioned rectifier or RSSI circuits can use Schottky diodes, which in themselves have only a very small parasitic capacitance value as a result of negligible charge storage in the forward-biased state.
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Durch die Induktivität der Verbindungsleitungen wird auch die Stromaufteilung der Thyristoren im Durchlaßzustand verbessert.
The voltage distribution among the thyristors in the forward state is improved by the inductance of the connecting lines.
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Werden die Steuerelektroden 9 über nicht dargestellte Schalter, die von Hand bedienbar am Steuergerät oder zur Fernbedienung an der Schweißpistole vorgesehen sind an Spannung gelegt, werden die Thyristoren in den Durchlaßzustand überführt.
Should the control electrodes 9 be applied to voltage via non-represented switches, which are located at the controller for hand operation or on the welding tool for remote control, the thyristors are switched to a transmission state.
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Der Strom geht dabei nach jeder Halbperiode der Hochfrequenzschwingung durch Null, d.h. genau dann, wenn der Durchlaßzustand jeweils von einem auf den anderen Transistor umgeschaltet wird.
The current passes through zero after every half period of the high-frequency oscillation, i.e. exactly when the conducting condition is transferred from one to the other of the transistors.
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Da im praktischen Betrieb zwischen aufeinanderfolgenden Räumstromimpulsen jeweils relativ lange Zeitabschnitte liegen, in denen der Thyristor im Durchlaßzustand betrieben wird, ist es möglich, den Kondensator 15' über die Stromquelle 26a mit relativ niedrigen Strömen aufzuladen.
Because in practical operation relatively long time intervals exist between successive extraction current pulses, during which intervals the thyristor is operated in a conducting state, it is possible to charge the capacitor 15 by means of the current source 26a with relatively low current.
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Andererseits wird das im Durchlaßzustand des Thyristors den mittleren pn-Übergang überschwemmende Elektronen-Defektelektronen- Plasma durch das Anschalten zweier als Extraktionsstromquellen gepolter Stromquellen an die dritte und vierte Elektrode aus dem Thyristor in sehr wirkungsvoller Weise herausgesaugt, so daß der Thyristor rasch gelöscht wird.
Moreover, the electron/hole plasma flooding of the central pn-junction in the conducting state of the thyristor is "drawn out" of the thyristor in an effective manner by means of connecting two current sources having polarities for functioning as extraction current sources to the third and fourth electrodes, so that the thryristor is quickly quenched.
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Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Trennungsschalter (La) elektronische Bauelemente verwendet werden, die im Durchlaßzustand einen für eine Strombegrenzung relevanten Durchlaßwiderstand aufweisen.
A protective circuit according to claim 4, wherein the isolation switch includes electronic components which have a conduction resistance while in the conducting state suitable for current limiting.
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Der auf den Emitter E1 gerichtete Laststrom bzw. Laststromteil des Thyristors wird also im Durchlaßzustand (Zeitabschnitt T3) über den rechts von E1 liegenden Emitter E2 zum Anschluß K I übertragen, während des Abschaltens (Zeitabschnitt T4) dagegen an E1 vorbei und über den links davon liegenden Emitter E2 zum Anschluß K'.
The load current or, respectively, load current component of the thyristor directed to the emitter E1 is thus transmitted to the terminal K' over the terminal E2 lying to the right of the emitter E1 in the forward-conducting condition (time span T3), but, during the shut-off (time interval T4), is conducted past the emitter E1 and over the emitter E2 lying to the left thereof, being conducted to the terminal K'.
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Der auf den Emitter E1 gerichtete Laststrom bzw. Laststromteil des Thyristors wird also im Durchlaßzustand (Zeitabschnitt T3) über den rechts von E1 liegenden Emitter E2 zum Anschluß K' übertragen, während des Abschaltens (Zeitabschnitt T4) dagegen an E1 vorbei und über den links davon liegenden Emitter E2 zum Anschluß K'.
The load current or, respectively, load current component of the thyristor directed to the emitter E1 is thus transmitted to the terminal K' over the terminal E2 lying to the right of the emitter E1 in the forward-conducting condition (time span T3), but, during the shut-off (time interval T4), is conducted past the emitter E1 and over the emitter E2 lying to the left thereof, being conducted to the terminal K'.
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Zum Einschalten des Leistungshalbleiterbauelements aus dem (Vorwärts-)Sperrzustand in den Durchlaßzustand reicht es im allgemeinen nicht aus, den in Serie liegenden MOSFET M1 einzuschalten, da der Thyristor weiterhin sperrt.
In order to switch the power semiconductor component from the (forward) off-state condition to the on-state condition, it is generally not enough to switch on the series-connected MOSFET M1 because the thyristor continues to block.
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Die dargestellte Kippdiode ist eine Vierschichtdiode, welche aus dem Sperrzustand in den Durchlaßzustand kippt, wenn die Spannung zwischen Anode und Katode einen bestimmten Wert überschreitet.
The BOD chip shown is a four-layer diode, which flips from the blocking state to the open state when the voltage between the anode and cathode exceeds a certain value.
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Insbesondere sind zwei Kompensationszweige vorgesehen, von denen einer zwei gegenüberliegende Anschlüsse der Schaltvorrichtung und der andere die beiden anderen Anschlüsse verbindet, wobei in den verschiedenen Schaltzuständen der Schaltvorrichtung sich nur eines der aus Halbleiterschaltelementen bestehenden Schaltelemente im Durchlaßzustand befindet und in den Kompensationszweigen Induktivitäten angeordnet sind, die zur Erzeugung von Parallelresonanzen mit der nach außen wirksamen Kapazität der sperrenden Schaltelemente, die dem sich im Durchlaßzustand befindenden Schaltelement benachbart sind, dienen.
In particular, two compensation branches are provided, one of which interconnects two mutually opposed connection points of the switching arrangement and the other one of which interconnects the two other connection points, while only one of the switching elements formed by semiconductor switches is in the conducting state in the various switching states of the switching arrangement, and inductances are arranged in the compensation branches which serve to generate parallel resonances in conjunction with the outwardly active capacitance of the non-conducting switching elements which adjoin the switching element which is in the conducting state.
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Insbesondere sind dabei die Halbleiterschaltelemente als Schaltdioden ausgelegt, die sich durch Anlegen geeigneter Gleichspannungen in ihren Durchlaßzustand oder in ihren sperrenden Zustand versetzen lassen.
In particular, the semiconductor switching elements are constructed as switching diodes which can be brought into their conducting or non-conducting states through the application of suitable DC voltages.
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Bei der vorliegenden Schaltvorrichtung 1 sind nur Schaltzustände vorgesehen, bei denen eines der vier Schaltelemente sich im Durchlaßzustand und die übrigen drei Schaltelemente sich im sperrenden Zustand befinden.
In the switching arrangement 1 as shown, only those switching states are provided in which one of the four switching elements is in the conducting state while the other three switching elements are in the non-conducting state.
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Wird beispielsweise das Schaltelement 6 in seinen Durchlaßzustand geschaltet, werden die übrigen Schaltelemente 7 bis 9 in ihren sperrenden Zustand versetzt.
If, for example, the switching element 6 is switched to its conducting state, the other switching elements 7 to 9 will be switched to their non-conducting state.
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Für dieses Beispiel (Schaltelement 6 im Durchlaßzustand) sind demgemäß die Impedanzen 10 und 11 dem Schaltelement 7 bzw. dem Schaltelement 9 zur Erzeugung einer Parallelresonanz zugeordnet.
In the present example (switching element 6 in the conducting state), accordingly, the impedances 10 and 11 are assigned to the switching element 7 and the switching element 9, respectively, for generating a parallel resonance.
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Für die Fälle, in denen ein anderes der vier Schaltelemente 6 bis 9 sich im Durchlaßzustand befindet und die übrigen Schaltelemente in ihren sperrenden Zustand gesteuert werden, ändert sich entsprechend dem angegebenen Schaltbild die Zuordnung der Kompensationszweige mit den Impedanzen 10 so, daß sie jeweils den beiden benachbarten Schaltelementen des sich im Durchlaßzustand befindenden Schaltelements zur Erzeugung von Parallelresonanzen zugeordnet sind.
The assignment of the compensation branches with the impedances 10 is changed in accordance with the relevant switch settings in those cases in which another one of the four switching elements 6 to 9 is in the conducting state, while the other switching elements are controlled so as to be non-conducting, so that the impedances are connected to the two switching elements adjoining the switching element which is in the conducting state each time for generating parallel resonances.
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Der Sperr- oder Durchlaßzustand von AND steht unter der Steuerung einer Steuersignalquelle, die einen als Interrupt-Signal-Zähler dienenden NMI-ZÄHLER mit zwei Zählerstufen B0, B1 und einen Programmschrittaktimpulse zählenden TAKTZÄHLER mit sechs Zählerstufen D0 bis D5 aufweist.
The blocking or passing state of AND is under the control of a control signal source comprising an NMI COUNTER serving as interrupt signal counter and having two counter stages B0, B1, as well as a CLOCK COUNTER counting program step clock pulses and having six counter stages D0 to D5.
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Der Statusparameter LOCKSTATUS wird verwendet, damit per Software aus dem Statusregister SCR abfragbar ist, ob sich die Schutzschaltung im Durchlaßzustand oder im Sperrzustand für das nicht-maskierbare Interrupt-Signal NMI befindet.
The status parameter LOCKSTATUS is used so as to allow retrieval, by means of software, from the status register SCR whether the protection circuit is in the passage state or in the blocking state for the non-maskable interrupt signal NMI.
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Durch den PID-Regler 12 wird für den nachfolgenden Durchlaßzustand des Analysators 9 eine Feinregelung der für den elektrooptischen Modulator 8 vorgesehenen Hochspannung zur Strahlungsleistungseinstellung durchgeführt, deren Aufgabe es ist, durch entsprechende Rückdrehung der Polarisationsebene des Laserstrahls 3 den Maximalwert der Strahlungsleistung auf einen konstanten Betrag einzustellen.
By means of the PID controller 12, there is carried out, for the subsequent passage condition of the analyzer 9, a fine adjustment of the high voltage, provided for the electro-optical modulator 8, for setting the radiation power. This adjustment is to set the maximum value of the radiation power to a constant magnitude by corresponding reverse rotation of the plane of polarization of the laser beam 3.
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Der sogenannte Feinschutz, der durch die erwähnten weiteren Schwellwertglieder erzielbar ist, kann gemäß noch einer wei­teren Ausgestaltung der Erfindung dadurch ergänzt sein, daß die im Hinblick auf Tests vorgesehenen vorgenannten Trennungs­schalter durch elektronische Bauelemente realisiert sind, die im Durchlaßzustand einen für eine Strombegrenzung relevanten Durchlaßwiderstand aufweisen.
Ultimate protection that is achievable through the use of the said additional threshold setting elements may be augmented according to a further embodiment of the invention in that the previously indicated isolation switches, that are provided with reference to the tests, are realized through electronic components which exhibit a conducting resistance that is suitable for current limiting while in the conductive state.
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Dieser Feinschutz kann durch Verwendung eines Schaltelementes zur Realisierung des Längsschalters La ergänzt sein, der im Durchlaßzustand einen für eine Strombegrenzung relevanten Widerstand aufweist.
This ultimate protection may be supplemented through the use of a circuit element for the series switch La, which exhibits a resistance suitable for current limiting, while in its conducting state.
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