Übersetzung für "Semiconductor junction" in Deutsch

The required feed current furthermore flows with homogeneous current density in the semiconductor junction, which is congruent with the optical waveguide 10.
Weiterhin fliesst in dem zum optischen Wellenleiter 10 kongruenten Halbleiterübergang der benötigte Speisestrom mit homogener Stromdichte.
EuroPat v2

A passivated semiconductor pn junction is provided which has a high electric strength, one area being heavily doped and being very thin, in particular for radiation detectors.
Es wird die Spannungsfestigkeit von passivierten Halbleiter pn-Übergängen, insbesondere für Strahlungsdetektoren, bei denen ein Bereich sehr hoch dotiert und sehr dünn ist, erhöht.
EuroPat v2

There are provided control elements based on a semiconductor without pn-junction, i.e., so-called photoresistors, and those based on a semiconductor having at least one pn-junction, i.e. photodiodes and phototransistors.
Es sind Kontrollelemente auf Halbleiterbasis ohne pn-Übergang, d. h. sogenannte Photowiderstände, und solche auf Halbleiterbasis mit wenigstens einem pn-Übergang, d. h. Photodioden und Phototransistoren vorgesehen.
EuroPat v2

Technical Field This invention relates to the field of computer tomography and radiography, and more particularly to a detection apparatus and method involving a plurality of flat radiation detectors having an associated semiconductor blocking junction.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Detektorsystem für ionisierende Strahlen, insbesondere Röntgenstrahlen, für die Computer-Tomographie CT und -Radiographie CR mit einer Vielzahl von flachen Detektoren, die mit ihren Flachseiten nebeneinander angeordnet sind.
EuroPat v2

The optical wave of the diode laser 48 is generated in a gain-producing region 51, which has a semiconductor junction which is supplied with current 52.
Die Lichtwelle des Diodenlasers 48 wird in einer gewinnerzeugenden Region 51 erzeugt, die einen Halbleiterübergang aufweist, der mit einem Strom 52 gespeist wird.
EuroPat v2

This circuit moreover has a further complicated device for producing a reference voltage for the current sources such that the reference voltage is substantially equal to the depletion layer voltage of the semiconductor junction.
Diese Schaltung weist ferner eine weitere aufwendige Einrichtung zur Erzeugung einer Bezugsspannung für die Stromquellen derart auf, daß die Bezugsspannung im wesentlichen gleich der Sperrschichtspannung des Halbleiterübergangs ist.
EuroPat v2

The quality of the semiconductor junction (the heterojunction), which is formed at the boundary surface between the upper and lower layer regions, is thus, only dependent on the quality of the semiconductor layer that is first produced.
Die Qualität des sich an der Grenzfläche zwischen oberem und unterem Schichtbereich ausbildenden Halbleiterübergang (Heteroübergang) ist also nur von der Qualität der zuerst erzeugten Halbleiterschicht abhängig.
EuroPat v2

In order to obtain a thin layer region of which "old" and "new" ions form a mixed phase can, thereby, be observed in the region of the junction is of no significance for the quality of the semiconductor junction.
Daß dabei im Bereich des Übergangs ein dünner Schichtbereich beobachtet werden kann, in dem "alte" und "neue" Kationen eine Mischphase bilden, ist für die Qualität des Halbleiterübergangs ohne Bedeutung.
EuroPat v2

It is possible to choose from a variety of possibilities relating to the heating of a temperature-dependent resistor and the resulting changes in resistance, the heating of a semiconductor junction, or the use of different thermal couplings.
Dabei sind verschiedene Möglichkeiten denkbar, die sich auf die Erwärmung eines temperaturabhängigen Widerstandes und die damit gekoppelte Widerstandsänderung, auf die Erwärmung einer Halbleiterstrecke oder die Ausnutzung verschiedener thermischer Kopplungen beziehen, wählbar.
EuroPat v2

In a method of forming an integrated circuit array having a capacitance formed by a pn-junction and separated from other components by a pn-junction, semiconductor areas are provided which connect that zone of the two semiconductor zones forming the pn-junction of the capacitance that extends deeper into the semiconductor element than the other of the two semiconductor zones forming the pn-junction of the capacitance electrically to that zone of the two semiconductor zones forming the separating pn-junction that faces away from the capacitance.
Bei einer integrierten Schaltungsanordnung mit einer Kapazität, die durch einen pn-Übergang gebildet ist und die von anderen Bauelementen durch einen pn- Übergang separiert ist, sind Halbleiterbereiche vorgesehen, die die­jenige der beiden den pn-Übergang der Kapazität bildenden Halbleiterzonen, die sich tiefer in den Halbleiterkörper erstreckt als die andere der beiden den pn-Übergang der Kapazität bildenden Halbleiterzonen, elektrisch mit der­jenigen Halbleiterzone der den separierenden pn-Übergang bildenden Halblei­terzonen verbindet, die der Kapazität abgewandt ist.
EuroPat v2

In an integrated circuit array having a capacitance formed by a pn-junction and separated from other components by a pn-junction, semiconductor areas are provided which connect that zone of the two semiconductor zones forming the pn-junction of the capacitance that extends deeper into the semiconductor element than the other of the two semiconductor zones forming the pn-junction of the capacitance electrically to that zone of the two semiconductor zones forming the separating pn-junction that faces away from the capacitance.
Bei einer integrierten Schaltungsanordnung mit einer Kapazität, die durch einen pn-Übergang gebildet ist und die von anderen Bauelementen durch einen pn- Übergang separiert ist, sind Halbleiterbereiche vorgesehen, die die­jenige der beiden den pn-Übergang der Kapazität bildenden Halbleiterzonen, die sich tiefer in den Halbleiterkörper erstreckt als die andere der beiden den pn-Übergang der Kapazität bildenden Halbleiterzonen, elektrisch mit der­jenigen Halbleiterzone der den separierenden pn-Übergang bildenden Halblei­terzonen verbindet, die der Kapazität abgewandt ist.
EuroPat v2

A light emitting diode (LED) is a p-n junction semiconductor diode that emits photons when forward biased.
Eine Leuchtdiode (LED) ist eine p-n Verzweigung Halbleiter Diode, die Photonen wenn vorderes voreingenommenes ausstrahlt.
ParaCrawl v7.1

The light diode 71 can comprise a light-emitting semiconductor junction that is configured to emit blue or violet light, and a phosphorescent or fluorescent layer on the light-emitting surface 72 .
Die Leuchtdiode 71 kann einen lichtemittierenden Halbleiterübergang, der zur Emission von blauem oder violettem Licht ausgebildet ist, und eine phosphoreszierende oder fluoreszierende Schicht an der lichtemittierenden Oberfläche 72 aufweisen.
EuroPat v2