Übersetzung für "Semiconductor array" in Deutsch

In a further embodiment not shown, a microlens array is arranged in front of the semiconductor array 104 .
In einer nicht dargestellten weiteren Ausführungsform wird dem Halbleiterarray 104 ein Mikrolinsenarray vorgeordnet.
EuroPat v2

The recording medium 4 can, as illustrated above, be a semiconductor array.
Das Aufnahmemedium 4 kann, wie obig dargestellt, ein Halbleiterarray sein.
EuroPat v2

The density of the individual emitter elements on the semiconductor array preferably varies.
Die Dichte der Einzelemitterelemente auf dem Halbleiterarray ist bevorzugt unterschiedlich.
EuroPat v2

In a further embodiment of the semiconductor array of the invention, a different interference current path is closed internally in the array.
In einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung wird ein anderer Störstrompfad intern in der Anordnung geschlossen.
EuroPat v2

This problem is solved in accordance with the present invention by creating a semiconductor array having the features of claim 1 .
Dieses Problem wird erfindungsgemäß durch die Schaffung einer Halbleiteranordnung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
EuroPat v2

It is also conceivable to arrange the semiconductor array 104 movable with respect to the imaging optics 108, 114 .
Weiterhin ist denkbar, das Halbleiterarray 104 gegenüber der Abbildungsoptik 108, 114 verschieblich anzuordnen.
EuroPat v2

The arrangement of the pattern elements in the illumination pattern preferably corresponds to the arrangement of the individual emitter elements on the semiconductor array.
Die Anordnung der Musterelemente in dem Beleuchtungsmuster entspricht bevorzugt der Anordnung der Einzelemitterelemente auf dem Halbleiterarray.
EuroPat v2

Imaging objective and semiconductor array are preferably arranged mutually movable to image different subsets of individual emitter elements.
Abbildungsobjektiv und Halbleiterarray sind vorzugsweise zueinander verschieblich angeordnet, um unterschiedliche Teilmengen von Einzelemitterelementen abzubilden.
EuroPat v2

The structure of the illumination pattern is thus directly determined by the arrangement of the individual emitter elements on the semiconductor array.
Die Struktur des Beleuchtungsmusters ist damit direkt durch die Anordnung der Einzelemitter auf dem Halbleiterarray vorgegeben.
EuroPat v2

The semiconductor array preferably comprises a large number of at least a thousand, ten thousand, or a hundred thousand individual emitter elements.
Das Halbleiterarray weist bevorzugt eine große Anzahl von mindestens tausend, zehntausend oder hunderttausend Einzelemitterelementen auf.
EuroPat v2

A situation of this type is shown in FIGS. 1a and 1b, which each show a diagrammatic cross-sectional view of a MOS semiconductor array, where in each case two circuit paths 7a and 7b are mounted on a field oxide layer 2 generated in a semiconductor element 1 and comprise aluminum.
Eine solche Situation zeigen die Figuren 1a und 1b, die jeweils eine schematische Querschnittsansicht einer MOS-Halbleiteranordnung zeigen, wonach jeweils zwei Leitbahnen 7a und 7b auf einer in einem Halbleiter­körper 1 erzeugten Feldoxidschicht 2 aufgebaut sind und aus Aluminium bestehen.
EuroPat v2

The object of the invention is to provide a method for manufacture of an integrated MOS semiconductor array for the low-frequency range in which the aforementioned parasitic capacitances and surface leakage currents no longer occur.
Die Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, ein Ver­fahren zur Herstellung einer integrierten MOS-Halblei­teranordnung für den Niederfrequenzbereich anzugeben, bei dem die oben erwähnten parasitären Kapazitäten und Oberflächenleckströme nicht mehr auftreten.
EuroPat v2

The result is a substantial increase in circuit gain, so that production costs for the semiconductor array are reduced considerably.
Hierdurch erhöht sich wesentlich die Schal­tungsausbeute, so daß sich die Fertigungskosten für die Halbleiteranordnung beträchtlich verringern.
EuroPat v2

The HMDS-charged carrier gas flows through a recipient in which germination proper of the semiconductor array passivated with the protective layer takes place takes place.
Das mit HMDS beladene Trägergas strömt durch einen Rezipi­enten, in dem die eigentliche Bekeimung der mit der Schutzschicht passivierten Halbleiteranordnung erfolgt.
EuroPat v2

German Published, Non-Prosecuted Application DE-OS No. 26 54 419 discloses circuit configurations for voltage limitation on electric conductors, in which a controllable path of a semiconductor array, in particular the collector-to-emitter path of a transistor, is disposed between the conductor to be protected and reference potential.
Aus der DE-OS 26 54 419 sind Schaltungsanordnungen zur Spannungsbegrenzung auf elektrischen Leitern bekannt, bei denen eine steuerbare Strecke einer Halbleiteranordnung, insbesondere die Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors zwischen dem zu schützenden Leiter und dem Bezugspotential angeordnet ist.
EuroPat v2

A semiconductor array in a CMOS technology is described in which the gate electrodes are of p+ -doped polysilicon in the case of p-channel transistors and of n+ -doped polysilicon in the case of n-channel transistors.
Es wird eine Halbleiteranordnung in einer CMOS-Technologie beschrieben, bei der die Gate-Elektroden bei p-Kanal-Transistoren aus p?-dotiertem Polysilizium und bei n-Kanal-Transistoren aus n?-dotiertem Polysilizium bestehen.
EuroPat v2