Übersetzung für "Bulk silicon" in Deutsch
The
required
holes
come
from
the
bulk
of
the
silicon,
where
they
are
thermally
regenerated.
Die
benötigten
Löcher
kommen
dabei
aus
dem
Volumen
des
Siliciums,
wo
sie
thermisch
nachgeneriert
werden.
EuroPat v2
I
claim:
A
process
for
increasing
the
minority
carrier
recombination
lifetime
in
a
silicon
body
contaminated
with
a
metal
selected
from
the
group
consisting
of
iron,
chromium,
cobalt,
manganese,
zinc
and
vanadium,
the
process
comprising
storing
the
silicon
body
at
a
storage
temperature
and
for
a
storage
period
sufficient
to
cause
the
metal
to
diffuse
from
the
bulk
of
the
silicon
body
to
the
surface
of
the
silicon
body
to
measurably
increase
the
minority
carrier
recombination
lifetime
of
the
silicon
body,
the
storage
period
being
at
least
about
48
hours.
Ein
Verfahren
zur
Erhöhung
der
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebendauer
in
einem
Siliciumkörper,
der
mit
einem
aus
der
aus
Eisen,
Chrom,
Kobalt,
Mangan,
Zink
und
Vanadium
bestehenden
Gruppe
ausgewählten
Metall
verunreinigt
ist,
wobei
das
Verfahren
dadurch
gekennzeichnet
ist,
daß
der
Siliciumkörper
bei
einer
ausreichenden
Lagertemperatur
und
für
eine
ausreichende
Lagerungsdauer
gelagert
wird,
um
eine
Diffusion
des
Metalls
aus
dem
Inneren
des
Siliciumkörpers
an
die
Oberfläche
des
Siliciumkörpers
zu
bewirken
und
die
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauer
des
Siliciumkörpers
meßbar
zu
erhöhen,
wobei
die
Lagerdauer
mindestens
48
Stunden
beträgt.
EuroPat v2
A
process
for
increasing
the
minority
carrier
recombination
lifetime
in
a
silicon
body
component
of
a
photovoltaic
cell,
which
silicon
body
is
contaminated
with
a
metal
selected
from
the
group
consisting
of
iron,
chromium,
cobalt,
manganese,
zinc
and
vanadium,
the
process
comprising
storing
the
silicon
body
at
a
storage
temperature
and
for
a
period
sufficient
to
cause
the
metal
to
diffuse
from
the
bulk
of
the
silicon
body
to
the
surface
of
the
silicon
body
to
measurably
increase
the
minority
carrier
recombination
lifetime.
Ein
Verfahren
zur
Erhöhung
der
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebendauer
in
einer
Siliciumkörperkomponente
einer
photovoltaischen
Zelle,
deren
Siliciumkörper
mit
einem
aus
der
aus
Eisen,
Chrom,
Kobalt,
Mangan,
Zink
und
Vanadium
bestehenden
Gruppe
ausgewählten
Metall
verunreinigt
ist,
wobei
das
Verfahren
dadurch
gekennzeichnet
ist,
EuroPat v2
A
process
for
increasing
the
minority
carrier
recombination
lifetime
in
a
silicon
body
having
a
monocrystalline
surface,
the
silicon
body
being
contaminated
with
a
metal
selected
from
the
group
consisting
of
iron,
chromium,
cobalt,
manganese,
zinc
and
vanadium,
the
process
comprising
storing
the
silicon
body
at
a
storage
temperature
and
for
a
storage
period
sufficient
to
cause
the
metal
to
diffuse
from
the
bulk
of
the
silicon
body
to
the
monocrystalline
surface
of
the
silicon
body
to
measurably
increase
the
minority
carrier
recombination
lifetime
of
the
silicon
body,
the
storage
period
being
at
least
about
48
hours.
Ein
Verfahren
zur
Erhöhung
der
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauerin
einem
Siliciumkörper
mit
einer
monokristallinen
Oberfläche,
wobei
der
Siliciumkörper
mit
einem
aus
der
aus
Eisen,
Chrom,
Kobalt,
Mangan,
Zink
und
Vanadium
bestehenden
Gruppe
ausgewählten
Metall
verunreinigt
ist,
wobei
das
Verfahren
dadurch
gekennzeichnet
ist,
daß
der
Siliciumkörper
bei
einer
ausreichenden
Lagertemperatur
und
für
eine
ausreichende
Lagerzeit
gelagert
wird,
um
eine
Diffusion
des
Metalls
vom
Inneren
des
Siliciumkörpers
an
die
monokristalline
Oberfläche
des
Siliciumkörpers
zu
bewirken
und
die
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauer
im
Siliciumkörper
meßbar
zu
erhöhen,
wobei
die
Lagerdauer
mindestens
48
Stunden
beträgt.
EuroPat v2
The
silicon
body
is
stored
at
a
temperature
and
for
a
period
sufficient
to
cause
a
sufficient
amount
of
iron
to
diffuse
from
the
bulk
of
the
silicon
body
to
the
surface
of
the
silicon
body
to
measurably
increase
the
minority
carrier
recombination
lifetime
of
the
silicon
body.
Der
Siliciumkörper
wird
bei
einer
ausreichenden
Temperatur
und
für
eine
ausreichende
Dauer
gelagert,
um
die
Diffusion
einer
ausreichenden
Menge
Eisen
aus
dem
Innern
des
Siliciumkörpers
an
die
Oberfläche
des
Siliciumkörpers
zu
bewirken
und
die
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauer
des
Siliciumkörpers
meßbar
zu
erhöhen.
EuroPat v2
Iron
would
remain
at
the
surface
of
the
silicon,
or
at
an
interface
between
the
silicon
and
a
surface
layer,
where
it
would
not
significantly
reduce
the
minority
carrier
diffusion
length
of
the
silicon
bulk.
Das
Eisen
würde
an
der
Oberfläche
des
Siliciums
oder
an
einer
Grenzschicht
zwischen
dem
Silicium
und
einer
Oberflächenschicht
bleiben,
wo
es
die
Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge
des
Silicium-Inneren
nicht
erheblich
reduzieren
würde.
EuroPat v2
The
data
of
Tables
4
and
5
demonstrate
that
the
density
of
internal
gettering
sites
in
the
bulk
of
a
silicon
wafer
can
be
individually
adjusted
to
a
desired
level
independent
of
the
initial
oxygen
content.
Die
Daten
der
Tabellen
4
und
5
zeigen,
daß
die
Dichte
der
Innenstörstellen
in
der
Masse
einer
Siliziumscheibe
individuell
auf
einen
gewünschten
Stand,
unabhängig
vom
Ausgangssauerstoffgehalt,
eingestellt
werden
kann.
EuroPat v2
The
difference
in
oxygen
concentration
before
and
after
this
precipitation
cycle,
therefore,
is
a
measure
for
the
density
of
internal
gettering
sites
in
the
bulk
of
the
silicon
wafer,
and
is
referred
to
as
a
drop
in
interstitial
oxygen
in
this
application.
Die
Differenz
der
Sauerstoffkonzentration
vor
und
nach
diesem
Ausscheidungszyklus
ist
daher
ein
Maß
für
die
Dichte
der
Innenstörstellen
in
der
Masse
der
Siliziumscheibe
und
wird
nachfolgend
als
eine
"Abnahme
des
interstitiellen
Sauerstoffs"
in
dieser
Anmeldung
bezeichnet.
EuroPat v2
The
length
of
the
storage
period
should
be
sufficient
for
the
diffusion
of
significant
amounts
of
iron
from
the
bulk
of
the
silicon
to
its
surface.
Die
Länge
der
Lagerzeit
sollte
für
die
Diffusion
bedeutender
Eisenmengen
aus
dem
Inneren
des
Siliciums
an
seine
Oberfläche
ausreichend
sein.
EuroPat v2
The
silicon
body
is
stored
at
a
temperature
and
for
a
period
sufficient
to
cause
metal
to
diffuse
from
the
bulk
of
the
silicon
body
to
the
surface
of
the
silicon
body
to
measurably
increase
the
minority
carrier
recombination
lifetime.
Der
Siliciumkörper
wird
bei
einer
ausreichenden
Temperatur
und
für
eine
ausreichende
Dauer
gelagert,
um
eine
Diffusion
des
Metalls
aus
dem
Inneren
des
Siliciumkörpers
an
die
Oberfläche
des
Siliciumkörpers
zu
bewirken
und
die
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauer
meßbar
zu
erhöhen.
EuroPat v2
The
substrate
material
may
be,
for
example,
silicon
carbide
SiC,
sapphire,
silicon,
bulk
GaN
(volume
GaN)
or
bulk
AlN
(volume
AlN).
Das
Substratmaterial
kann
beispielsweise
Siliziumkarbid
SiC,
Saphir,
Silizium,
Bulk-GaN
(Volumen-GaN)
oder
Bulk-AlN
(Volumen-AlN)
sein.
EuroPat v2
The
method
according
to
the
present
invention
is
based
on
a
skillful
combination
of
tried-and-trusted
surface
micromechanical
process
blocks
having
a
standard
etching
method
for
the
bulk
silicon,
starting
from
the
rear
of
the
substrate.
Das
erfindungsgemäße
Verfahren
beruht
auf
einer
geschickten
Kombination
von
bewährten
oberflächenmikromechanischen
Prozessblöcken
mit
einem
von
der
Substratrückseite
ausgehenden
Standard-Ätzverfahren
für
das
Bulk-Silizium.
EuroPat v2
For
this
reason,
H
3
SiCl
has
hitherto
also
not
been
used
for
the
deposition
of
silicon,
for
example
as
silicon
bars
(bulk
silicon)
or
silicon
layers.
Daher
wird
H
3
SiCl
bislang
auch
nicht
für
die
Abscheidung
von
Silizium
bspw.
als
Silizium-Stangen
(bulk
Silizium)
oder
Silizium-Schichten
verwendet.
EuroPat v2
This
refinement
of
the
method
is
preferably
realized
with
an
SOI
wafer,
wherein
the
wafer
section
with
the
circuit
structures
is
formed
in
the
upper
semiconductor
layer
of
the
SOI
wafer
and
wherein
the
lower
material
layer
(bulk
silicon)
is
etched
out
before
or
after
the
production
of
the
circuit
structures.
Besonders
bevorzugt
wird
diese
Ausgestaltung
des
Verfahrens
mit
einem
SOI-Wafer
realisiert,
wobei
der
Waferabschnitt
mit
den
Schaltungsstrukturen
in
der
oberen
Halbleiterschicht
des
SOI-Wafers
ausgebildet
wird
und
wobei
die
untere
Materiallage
(Bulk-Silizium)
vor
oder
nach
der
Erzeugung
der
Schaltungsstrukturen
herausgeätzt
wird.
EuroPat v2