Übersetzung für "Band bending" in Deutsch
The
elastic
band
limits
the
bending
movement,
whereas
the
spacers
limit
the
stretching
movement.
Das
elastische
Band
begrenzt
die
Beugebewegung,
während
die
Abstandshalter
die
Streckbewegung
limitieren.
EuroPat v2
In
the
normal
case,
the
band
bending
leads
to
depletion
of
holes
or
electrons
at
the
interface.
Im
Normalfall
führt
die
Bandverbiegung
zu
einer
Verarmung
an
Löchern
bzw.
Elektronen
an
der
Grenzfläche.
EuroPat v2
On
inserting
a
new
band
from
the
band
reel
or
if
no
band
has
been
introduced
up
to
the
band
channel
13,
said
band
supply
channel
permits
an
automatic
insertion
of
the
band
or
an
automatic
loading
of
the
channel
13
(pre-feed),
in
that
it
prevents
any
band
bending.
Beim
Einführen
eines
neuen
Bandes
ab
Bandspule
bzw.
wenn
noch
kein
Band
bis
zum
Bandkanal
13
eingeführt
ist,
erlaubt
dieser
Bandzuführkanal
ein
automatisches
Einführen
des
Bandes
bzw.
automatisches
Beschicken
des
Bandkanals
13
(Pre-Feed)
indem
er
ein
Ausknicken
des
Bandes
verhindert.
EuroPat v2
As
a
result
of
the
band
bending
at
the
interface
106,
the
electron
is
able
with
a
relatively
high
probability,
in
a
tunnel
process,
to
cross
the
potential
barrier
at
the
interface
106
and
to
occupy
a
free
state
in
the
LUMO
energy
level
200
of
the
n-doped
first
organic
semiconductor
layer
102
.
Durch
die
Bandverbiegung
an
der
Grenzfläche
106
kann
das
Elektron
mit
einer
relativ
hohen
Wahrscheinlichkeit
in
einem
Tunnelprozess
die
Potentialbarriere
an
der
Grenzfläche
106
durchqueren
und
einen
freien
Zustand
in
dem
LUMO-Energieniveau
200
der
n-dotierten
ersten
organischen
Halbleiterschicht
102
einnehmen.
EuroPat v2
In
addition,
US
2006/0197109
A1
describes
a
transistor
having
a
high
electron
mobility
with
a
GaN
channel
structure
having
a
very
thin
(Al,
In,
Ga)N
subchannel
layer
arranged
between
a
first
GaN
channel
layer
and
a
second
GaN
channel
layer
to
bring
about
a
band
bending
induced
by
the
piezoelectric
and
spontaneous
charge
carriers
in
association
with
the
(Al,
In,
Ga)N
subchannel
layer.
Zusätzlich
zeigt
die
Patentschrift
US
2006/0197109
A1
einen
Transistor
mit
hoher
Elektronenbeweglichkeit
mit
einer
GaN-Kanalstruktur
mit
einer
sehr
dünnen
(Al,
In,
Ga)N-Subkanalschicht,
die
zwischen
einer
ersten
GaN-Kanalschicht
und
einer
zweiten
GaN-Kanalschicht
angeordnet
ist,
um
eine
Bandverbiegung
induziert
durch
die
piezoelektrische
und
spontane
Ladungsträger
in
Assoziation
mit
der
(Al,
In,
Ga)N-Subkanalschicht
verursacht.
EuroPat v2
As
a
result
of
the
high
conductivity
and
doping
capacities,
strong
band
bending
can
be
achieved
in
the
p-doped
layer
in
the
vicinity
of
the
potential
barrier.
Durch
die
hohen
Leit-
und
Dotierfähigkeiten
kann
eine
starke
Bandverbiegung
in
der
p-dotierten
Schicht
in
Nähe
der
Potentialbarriere
erreicht
werden.
EuroPat v2
Another
possibility
to
reduce
the
loss
by
recombination
at
the
surface
of
a
semiconductor
is
to
introduce
a
band
bending
in
the
semiconductor
by
introducing
a
doping
atom
by
way
of
diffusion.
Eine
weitere
Möglichkeit,
die
Rekombinationsverluste
an
der
Oberfläche
eines
Halbleiters
zu
verringern,
ist
das
Einbringen
einer
Bandverbiegung
im
Halbleiter
durch
eine
Eindiffusion
eines
Dotieratoms.
EuroPat v2
From
the
literature,
it
is
known
that
the
band
bending
in
silicon
also
varies
linearly
with
the
pH.
Aus
der
Literatur
ist
bekannt,
dass
sich
mit
dem
pH-Wert
auch
die
Bandverbiegung
im
Silicium
linear
verändert.
EuroPat v2
Band
bending
occurs
until
degeneration
(no
other
excess
charge
carriers
now
reach
the
surface)
or
close
to
degeneration
(few
other
excess
charge
carriers
still
reach
the
surface).
Die
Bandverbiegung
geht
bis
zur
Entartung
(keine
anderen
Überschuss-Ladungsträger
erreichen
mehr
die
Oberfläche)
bzw.
bis
nahezu
zur
Entartung
(wenige
andere
Überschuss-Ladungsträger
erreichen
noch
die
Oberfläche).
EuroPat v2
In
addition,
the
threshold
voltage
is
influenced
by
the
surface
potential
of
the
semiconductor
structure,
the
thickness
thereof
and
the
magnitude
of
the
band
bending
which
occurs
at
the
interface.
Weiterhin
wird
die
Schwellenspannung
durch
das
Oberflächenpotential
der
Halbleiterstruktur,
deren
Dicke
und
der
Größe
der
an
der
Grenzfläche
auftretenden
Bandverbiegung
beeinflusst.
EuroPat v2
Since
only
the
charge
carriers
inside
the
functional
layer
need
to
be
considered
in
the
case
of
SOI,
the
band
bending
and
the
space
charge
zone
width
are
also
correspondingly
less.
Da
im
Falle
von
SOI
nur
die
Ladungsträger
innerhalb
der
Funktionsschicht
betrachtet
werden
müssen,
ist
auch
die
Bandverbiegung
und
die
Raumladungszonenweite
entsprechend
geringer.
EuroPat v2
This
effect
is
based
on
considerable
band
bending
of
the
energy
levels
in
the
organic
layer
at
the
interface
to
the
electrodes
(J.
Blochwitz
et
al.,
Org.
Dieser
Effekt
beruht
auf
einer
starken
Bandverbiegung
der
Energieniveaus
in
der
organischen
Schicht
an
der
Grenzfläche
zu
den
Elektroden
(J.
Blochwitz
et
al.,
Org.
EuroPat v2
The
electrical
characteristics
such
as
the
charge
density
and
the
impurity
density
as
well
as
the
structure
and
the
state
density
at
the
interfaces
are
used
for
achieving
an
adjustment
of
the
recombination
energy
in
A
1X
B
1Y
C
1Z
N
1V
M
1W
/A
2X
B
2Y
C
2Z
N
2V
M
2W
hetero
structures
by
internal
and
external
electrical
fields
due
to
the
band
bending.
Die
elektrischen
Eigenschaften
wie
beispielsweise
die
Ladungsdichte,
und
die
Störstellendichte,
sowie
die
Struktur
und
die
Zustandsdichte
an
den
Grenzflächen
werden
zum
Erreichen
einer
Justierung
der
Rekombinationsenergie
in
A
1X
B
1Y
C
1Z
N
1V
M
1W
/A
2X
B
2Y
C
2Z
N
2V
M
2W
-Heterostrukturen
durch
interne
und
externe
elektrische
Felder
infolge
der
Bandverbiegung
verwendet.
EuroPat v2
The
LiF
layer
lowers
the
work-function
of
the
cathode
2
material
(e.g.,
aluminum)
and
the
Li-doping
of
the
electron-transporting
layer
3
(typically,
and
in
conformity
with
the
invention,
in
a
concentration
between
5:1
and
1:10
Li
atoms
to
Alq
3
molecules)
makes
possible
a
band
bending
at
the
boundary
surface
of
the
cathode,
permitting
an
efficient
injection
of
electrons,
much
as
in
the
case
of
hole
injection
into
the
p-doped
hole-transporting
layer.
Die
LiF
Schicht
senkt
die
Austrittsarbeit
des
Kathodenmaterials
(hier
Aluminium)
und
die
Li
Dotierung
der
elektronentransportierenden
Schicht
(typischerweise
und
erfindungskonform
in
einer
Konzentration
zwischen
5:1
und
1:10
Li-Atome
zu
Alq
3
-Moleküle)
ermöglicht
eine
Bandverbiegung
an
der
Grenzfläche
zur
Kathode,
welche
eine
effiziente
Injektion
von
Elektronen
erlaubt,
analog
zum
Falle
der
Löcherinjektion
in
die
p-dotierte
Löchertransportschicht.
EuroPat v2
Moreover,
depending
on
the
charge
carrier
concentration
of
the
organic
layers,
band
bending
occurs
in
the
vicinity
of
a
metal
contact,
which
facilitates
the
injection
of
charge
carriers
and
can
therefore
reduce
the
contact
resistance.
Weiterhin
kommt
es
in
Abhängigkeit
von
der
Ladungsträgerkonzentration
der
organischen
Schichten
zu
einer
Bandverbiegung
in
der
Nähe
eines
Metallkontakts,
die
die
Injektion
von
Ladungsträgern
erleichtert
und
damit
den
Kontaktwiderstand
verringern
kann.
EuroPat v2
Lower
the
upper
part
of
the
resulting
blank
for
the
lower
band
basis,
bending
with
the
muzzle
on
this
line.
Senken
Sie
den
oberen
Teil
der
erhaltenen
Rohling
für
das
untere
Band
Basis-,
Biege
mit
der
Schnauze
auf
dieser
Linie.
ParaCrawl v7.1
During
a
90-minute
set
that
quickly
gathered
momentum,
Schwarz
and
his
genre-bending
band
of
Chicagoans
provided
several
passages
of
high
inspiration.
Während
eines
90-minütigen
Auftritts,
der
schnell
in
Schwung
kam,
zeigten
Schwarz
und
die
Genre-verändernde
Band
von
Chicagoer
Musikern
viele
Passagen
großer
Inspiration.
ParaCrawl v7.1