Übersetzung für "Lackmaske" in Englisch

Der von dieser Lackmaske 13 nicht bedeckte Anteil der Metallschicht 12 wird weggeätzt.
That portion of the metal layer 12 not covered by this photoresist mask 13 is etched away.
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Der Passivierungsmechanismus kann durch Reaktionsprodukte der Lackmaske mit dem Ätzgas unterstützt werden.
The passivation mechanism can be reinforced by reaction products of the photoresist mask with the etching gas.
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Zur Strukturierung der Grabenmaske 4 wird auf diese Schichtenfolge eine Lackmaske aufgebracht.
In order to structure the recess mask 4, a resist mask is applied to this layer structure.
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Die Grabenmaske 4 wird mit Hilfe der Lackmaske in einem CHF?/O?-Trockenätzprozeß strukturiert.
The trench mask 4 is structured in a CHF3 /O2 dry-etching process using the lacquer mask.
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Die Lackmaske 13 wurde mit einem üblichen fotochemischen Prozeß hergestellt.
The resist mask 13 was manufactured using a customary photochemical process.
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Vor dem Herstellen der Gates wurde die Lackmaske 13 wieder entfernt.
Before the gates are manufactured, the resist mask 13 was removed again.
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Dabei kann die Lackmaske jeden Kondensator einzeln oder aber das gesamte Kondensatorfeld freilegen.
The lacquer mask can expose each capacitor individually, or the entire capacitor field.
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Im nächsten Verfahrensschritt wird eine Lackmaske 7 aufgebracht (Fig.
In the next step, a photoresist mask 7 is applied (FIG.
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Die Belichtung der Lackmaske erfolgt streifenweise.
Exposure of the resist mask is effected in stripes.
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Per Lackmaske wird die äußere Begrenzung der Schichten 30 und 23 strukturiert.
The outer boundary of the layers 30 and 23 is structured by way of a lacquer mask.
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Sodann wird die für das fotolithografische Verfahren verwendete Lackmaske abgelöst.
Thereupon, the resist mask used in the photolithographic process is removed.
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Anschließend werden die Kavernen-Öffnungen in der Trenchmaske mittels einer Lackmaske abgedeckt.
Subsequently, the cavern openings in the trench mask are covered by a lacquer mask.
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Anschließend wird die Lackmaske entfernt und der Trenchprozess weitergeführt.
Subsequently, the lacquer mask is removed and the trenching process is continued.
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Zum Schutz der übrigen metallfreien Substratbereiche wurde eine Lackmaske 22 verwendet.
A resist mask 22 was used to protect the remaining metal-free substrate areas.
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Mittels einer Lackmaske M2 wurde eine Isolator-Schicht geätzt.
An insulator layer has been etched using a resist mask M 2 .
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Als nächster Schritt wird die Lackmaske entfernt (Fig.
In the next step, the lacquer mask is removed (FIG.
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Dies erschwert den Lift-Off-Schritt bzw. macht eine relativ dicke Lackmaske notwendig.
This makes the lift-off step difficult or necessitates a relatively thick lacquer mask.
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Zur Strukturierung dieser Metallschicht wird anschließend eine Lackmaske aufgebracht.
For the patterning of this metal layer, a resist mask is subsequently applied.
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In Figur 1 wurde beispielhaft eine Lackmaske mit einem Entwurf verglichen.
In FIG. 1 a resist mask is compared with a design, by way of example.
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Anschließend wird unter Verwendung der Lackmaske 5 die Platinschicht 3 trockengeätzt.
The platinum layer 3 is subsequently subjected to dry etching using the resist mask 5 .
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Während der zuvor beschriebenen Ätzschritte wird das pnp-Transistorgebiet durch die Lackmaske 68 geschützt.
During the above-described etching steps the pnp-transistor region is protected by the lacquer mask 68 .
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Per Lackmaske wird die Schicht 31 strukturiert.
The layer 31 is structured by way of a lacquer mask.
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Dieser Schritt kann vor oder nach dem Entfernen der Lackmaske 8 (Fig.
That step can be effected prior to or after the removal of the lacquer mask 8 (FIG.
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In einem CHF 3 /O 2 -Plasma werden die Pads freigelegt, anschließend die Lackmaske entfernt.
In a CHF3 /O2 plasma, the pads are exposed, and then the photoresist mask is removed.
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Unter Verwendung einer dritten Lackmaske (nicht dargestellt) wird eine dritte Kanalimplantation durchgeführt.
A third channel implantation is carried out using a third resist mask (not illustrated).
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Die Grabenmaske 4 wird mit Hilfe der Lackmaske in einem CHF 3 /O 2 -Trockenätzprozeß strukturiert.
The recess mask 4 is structured using the resist mask in a CH3 /O2 dry etching process.
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Weiterhin ist vorgesehen, daß zur Bildung des dritten Grabens eine Lackmaske verwendet wird.
Furthermore, it is provided that a resist mask is used for forming the third trench.
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Zur Strukturierung der Grabenmaske 4 wird auf diese Schichtenfolge eine Lackmaske (nicht dargestellt) aufgebracht.
For structuring the trench mask 4, a lacquer mask (not shown) is applied onto this layer sequence.
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Auch hier wird wieder die Leiterplatte unter sicherer Freistellung der Lötaugen von der Lackmaske vollständig abgedeckt.
Here again the printed circuit board is completely masked by the lacquer mask, while guaranteeing that the lands are left unmasked.
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