Übersetzung für "Plasma processing" in Deutsch

The processing areas in the plasma processing equipment can also use different processing methods in connection with this.
Die Bearbeitungsgebiete in den Plasmabearbeitungsanlagen können hierbei auch unterschiedliche Bearbeitungsverfahren nutzen.
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The overall gas flow is normally significantly lower than is the case in plasma processing systems.
Der Gesamtgasfluss ist dabei normalerweise deutlich niedriger als in Plasmabearbeitungsanlagen.
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Gas mixtures may also be used for plasma processing.
Auch Gasgemische können zur Plasmaprozessierung eingesetzt werden.
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A plasma for processing workpieces is typically ignited and maintained in a plasma chamber.
Ein Plasma zur Bearbeitung von Werkstücken wird typischerweise in einer Plasmakammer gezündet und aufrecht erhalten.
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A plasma for the processing of workpieces is typically ignited and maintained in a plasma chamber.
Ein Plasma zur Bearbeitung von Werkstücken wird typischerweise in einer Plasmakammer gezündet und aufrecht erhalten.
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A plasma for processing workpieces is typically ignited in a plasma chamber and maintained.
Ein Plasma zur Bearbeitung von Werkstücken wird typischerweise in einer Plasmakammer gezündet und aufrecht erhalten.
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It is possible to realize a large area of homogenous plasma processing by the uninterrupted microwave plasma.
Mit dem ununterbrochenen Mikrowellenplasma ist es möglich, einen großen Bereich homogener Plasmabearbeitung zu realisieren.
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A plasma for processing work pieces is typically ignited in a plasma chamber and maintained there.
Ein Plasma zur Bearbeitung von Werkstücken wird typischerweise in einer Plasmakammer gezündet und aufrecht erhalten.
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Together with such a tool a conventional machine tool for the plasma processing of a workpiece can be used.
Mit einem solchen Werkzeug kann eine herkömmliche Werkzeugmaschine für die Plasmabearbeitung eines Werkstücks verwendet werden.
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Accordingly, the use of the described tool 10 is not limited to the plasma processing of a workpiece surface.
Die Verwendung des beschriebenen Werkzeugs 10 ist dementsprechend nicht auf die Plasmabearbeitung einer Werkstückoberfläche beschränkt.
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Various gases in combination with different pressures and magnetic field strengths are suitable for efficient plasma processing.
Für eine effiziente Plasmaprozessierung eignen sich unterschiedliche Gase in Kombination mit unterschiedlichen Drücken und Magnetfeldstärken.
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An expanded embodiment of this method is the so-called plasma processing, which is charactrized by the fact that the process is conducted in a vacuum to increase the kinetic energy of the ions and electrons in the electrical field.
Eine erweiterte Ausführungsvariante obiger Verfahren stellt die sogenannte Plasmabehandlung dar, die dadurch gekennzeichnet ist, daß zwecks Steigerung der kinetischen Energie der Ionen und Elektronen im elektrischen Feld der Prozeß im Vakuum durchgeführt wird.
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It was found that with the first plasma processing, the back side of the substrate is untolerably contaminated.
Es wird nun erkannt, dass bei der ersten Plasmabehandlung die Rückseite des Werkstückes unzulässig kontaminiert wird.
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The invention relates to an apparatus for generating a plasma by inductive coupling of high frequency (HF) energy for the plasma-supported processing of substrates.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Plasmaerzeugung durch induktive Einkopplung von Hochfrequenz (HF)-Energie für die plasmaunterstützte Bearbeitung von Substraten.
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This is typically in the kHz or MHz frequency range, with a voltage of 100 to 1000 V (R. Reif in: handbook of Plasma Processing Technology, Noyes, N.J., 1990, p. 269 ff.).
Diese liegt typischerweise im kHz oder MHz-Frequenzbereich mit einer Spannung von 100 bis 1000 V (R. Reif, in: Handbook of Plasma Processing Technology, Noyes, New Yersey, 1990, S. 269 ff.).
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What is claimed is: An apparatus for plasma-enhanced processing of substrates, having a recipient in which ions and reactive neutral particles (radicals) which are generated in a plasma of a certain plasma volume acting on a substrate, comprising at least one electrical/magnetic field generating arrangement, which fields influence the kinematic of the ions generated in the plasma, said arrangement comprising:
Vorrichtung zur plasmaunterstützten Bearbeitung von Substraten, mit einem Rezipienten, in dem im Plasma gebildete Ionen und reaktive Neutralteilchen (Radikale) auf das Substrat einwirken, und wenigstens einer elektrischen sowie magnetischen Felderzeugungseinrichtung, deren Felder das Ausbreitungsverhalten der im Plasma gebildeten Ionen beeinflussen, dadurch gekennzeichnet, daß zwei senkrecht zueinander angeordnete Elektrodenpaare mit jeweils veränderbarem Elektrodenabstand und zwei Magnetfeldanordnungen vorgesehen sind, deren veränderbare Magnetfelder sich senkrecht schneiden und von denen ein Magnetfeld parallel zur Substratoberfläche orientiert ist.
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The present invention relates to an apparatus for plasma-enhanced processing of substrates having a recipient in which ions and reactive neutral particles (radicals) formed in the plasma act on the substrate.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur plasmaunterstützten Bearbeitung von Substraten, mit einem Rezipienten, in dem im Plasma gebildete Ionen und reaktive Neutralteilchen (Radikale) auf das Substrat einwirken.
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Apparatuses of this type for plasma-enhanced processing are utilized both in the removal as well as in the deposition of material from, respectively on, semiconductor, metal, glass or plastic substrates.
Derartige Vorrichtungen zur plasmaunterstützten Bearbeitung werden sowohl zum Abtragen als auch zum Auftragen von Material von bzw. auf Halbleiter-, Metall, Glas- oder Kunststoffsubstrate verwendet.
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An element of the present invention is that it was understood that, in apparatuses for plasma-enhanced processing of substrates having a recipient in which ions and reactive neutral particles (radicals) formed in the plasma act on the substrate, the results of the processing are determined not only by the absolute value of the ionic and radical current densities on the surface of the substrate, but also by the ratio r of the ionic to the radical current densities r=jion /jrad.
Erfindungsgemäß ist nun erkannt worden, daß bei Vorrichtungen zur plasmaunterstützten Bearbeitung von Substraten, mit einem Rezipienten, in dem im Plasma gebildete Ionen und reaktive Neutralteilchen (Radikale) auf das Substrat einwirken, das Bearbeitungsergebnis nicht nur von den Absolutwerten der Ionen- und Radikalenstromdichten auf der Oberfläche des Substrats, sondern auch vom Verhältnis r von Ionen- zu Radikalenstromdichten r=j ion /j rad bestimmt wird.
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In the state of the art apparatuses for plasma-enhanced processing of substrates having a recipient in which ions and reactive neutral particles (radicals) formed in the plasma act on the substrate, as they are by way of illustration known from the afore-mentioned publications, it is however not possible to adjust the ionic and radical current densities in a concerted manner.
Bei den bekannten Vorrichtungen zur plasmaunterstützten Bearbeitung von Substraten, mit einem Rezipienten, in dem im Plasma gebildete Ionen und reaktive Neutralteilchen auf das Substrat einwirken, wie sie beispielsweise aus den vorstehend genannten Druckschriften bekannt sind, ist eine gezielte Einstellung der Ionen- und Radikalenstromdichten dagegen nicht möglich.
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