Übersetzung für "Reemission" in Deutsch

The reflected portions of the radiation are thus sent again to the reemission layer for conversion.
Die zurückreflektierten Strahlungsanteile werden so erneut der Reemissionsschicht zur Umwandlung zugeführt.
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The reemission layer 3 is applied to an n-GaN layer 3 on the radiation side.
Die Reemissionsschicht 3 ist abstrahlungsseitig auf eine n-GaN-Schicht 11 aufgebracht.
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In this case the reemission layer 3 is preferably arranged in a wave peak.
Bevorzugt ist in diesem Fall die Reemissionsschicht 3 in einem Wellenbauch angeordnet.
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As in the previous example, the semiconductor body has an active layer 2 and a reemission layer 3 .
Wie im vorherigen Ausführungsbeispiel weist der Halbleiterkörper eine aktive Schicht 2 und eine Reemissionsschicht 3 auf.
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Generally speaking in this connection the reemission layer may be p-conducting, n-conducting, undoped or even codoped.
Allgemein kann im vorliegenden Zusammenhang die Reemissionsschicht p-leitend, n-leitend, undotiert oder auch kodotiert sein.
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These semiconductor materials are characterized by especially efficient radiation generation, wherein advantageously through the monolithic integration of the reemission layer one can achieve an emission spectrum that usually cannot be generated with an active layer based on a nitride or phosphide compound semiconductor alone.
Diese Halbleitermaterialien zeichnen sich durch eine besonders effiziente Strahlungserzeugung aus, wobei vorteilhafterweise durch die monolithische Integration der Reemissionsschicht ein Emissionsspektrum erzielbar ist, das mit einer aktiven Schicht auf der Basis eines Nitrid- beziehungsweise Phosphid-Verbindungshalbleiters allein üblicherweise nicht erzeugbar ist.
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In this case it is preferable for the reemission layer to be arranged at a peak of the standing wave field, thus an antinode.
Bevorzugt ist in diesem Fall die Reemissionsschicht in einem Maximum des Stehwellenfeldes, also einem Wellenbauch, angeordnet.
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In the method for generating mixed color radiation or for conversion of radiation by means of a semiconductor body the semiconductor body contains an active layer and a reemission layer.
Bei dem Verfahren zur Erzeugung mischfarbiger Strahlung oder zur Umwandlung von Strahlung mittels eines Halbleiterkörpers enthält der Halbleiterkörper eine aktive Schicht und eine Reemissionsschicht.
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As in the preceding exemplary embodiment, this semiconductor body has a reemission layer 3 and an active layer 2 and additionally is connected to a carrier 12 via a contact layer 13 and a solder layer 14 .
Wie im vorherigen Ausführungsbeispiel weist dieser Halbleiterkörper eine Reemissionsschicht 3 und eine aktive Schicht 2 auf und ist weitergehend über eine Kontaktschicht 13 und eine Lotschicht 14 mit einem Träger 12 verbunden.
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The spatial separation of absorption of the radiation of the first wavelength and generation of the radiation of the second wavelength has the advantage of higher efficiency of the reemission layer and with that the radiation-emitting semiconductor body.
Die räumliche Trennung von Absorption der Strahlung der ersten Wellenlänge und Erzeugung der Strahlung der zweiten Wellenlänge hat den Vorteil einer größeren Effizienz der Reemissionsschicht und damit des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers.
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In particular, optical parameters of the semiconductor body such as chromaticity and/or color temperature can be freely established in wide limits by the appropriate design of the reemission layer.
Insbesondere können optische Parameter des Halbleiterkörpers wie beispielsweise Farbort und/oder Farbtemperatur in weiten Grenzen durch entsprechende Gestaltung der Reemissionsschicht frei eingestellt werden.
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In a preferred embodiment of the semiconductor body the radiation of the first wavelength is only partially converted to radiation of the second wavelength by means of the reemission layer, so that the semiconductor body serves for simultaneous emission of radiation of the first wavelength and radiation of the second wavelength.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung des Halbleiterkörpers wird die Strahlung der ersten Wellenlänge nur teilweise in Strahlung der zweiten Wellenlänge mittels der Reemissionsschicht umgewandelt, so dass der Halbleiterkörper der gleichzeitigen Emission von Strahlung der ersten Wellenlänge und Strahlung der zweiten Wellenlänge dient.
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Alternatively, it can also be provided that the radiation of the first wavelength is converted essentially completely to radiation of the second wavelength by means of the reemission layer, so that the radiation-emitting semiconductor body thus only emits radiation of the second wavelength in operation.
Alternativ kann auch vorgesehen sein, dass die Strahlung der ersten Wellenlänge im Wesentlichen vollständig mittels der Reemissionsschicht in Strahlung der zweiten Wellenlänge umgewandelt wird, so dass der strahlungsemittierende Halbleiterkörper also im Betrieb nur Strahlung der zweiten Wellenlänge emittiert.
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The reemission layer 3 may be designed as the preceding exemplary embodiment as a multiple quantum well structure with a plurality of alternatingly arranged barrier and quantum layers.
Die Reemissionsschicht 3 kann wie in dem vorherigen Ausführungsbeispiel als Mehrfachquantentopfstruktur mit einer Mehrzahl von alternierend angeordneten Barriere- und Quantenschichten ausgeführt sein.
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The active layer for generation of radiation of a first wavelength and the reemission layer for at least partial conversion of the radiation of the first wavelength to radiation of the second wavelength are monolithically integrated in the semiconductor body.
Bei dem Halbleiterkörper sind die aktive Schicht zur Erzeugung von Strahlung einer ersten Wellenlänge und die Reemissionsschicht zur zumindest teilweisen Umwandlung der Strahlung der ersten Wellenlänge in Strahlung der zweiten Wellenlänge monolithisch integriert.
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Independent thereof, the reemission layer may be arranged between a substrate or carrier and the active layer or on a side of the active layer that is remote from the substrate or carrier.
Unabhängig davon kann die Reemissionsschicht zwischen einem Substrat beziehungsweise Träger und der aktiven Schicht oder auf einer dem Substrat beziehungsweise Träger abgewandten Seite der aktiven Schicht angeordnet sein.
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In particular, the barrier layers are made to be considerably thicker than the quantum layers, so that the absorption of the radiation of the first wavelength is considerably greater in the barrier layers and with that all in all the stimulation of the reemission layer is considerably more efficient than if there is absorption of the radiation of the first wavelength in the quantum layer structure or the corresponding quantum layers.
Insbesondere sind in der Regel die Barriereschichten wesentlich dicker als die Quantenschichten ausgeführt, so dass die Absorption der Strahlung der ersten Wellenlänge in den Barriereschichten wesentlich größer und damit insgesamt die Anregung der Reemissionsschicht wesentlich effizienter ist als bei Absorption der Strahlung der ersten Wellenlänge in der Quantenschichtstruktur beziehungsweise den entsprechenden Quantenschichten.
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A part of this layer is absorbed within the reemission layer 3 in the barrier layer structure and leads to emission of radiation of the second wavelength ? 2 .
Eine Teil dieser Strahlung wird innerhalb der Reemissionsschicht 3 in der Barriereschichtstruktur absorbiert und führt zur Emission von Strahlung der zweiten Wellenlänge ? 2 .
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Alternatively or in addition, a waveguide may be provided, which likewise blocks exit of the radiation of the first wavelength to the side from the reemission layer 3 .
Alternativ oder ergänzend kann ein Wellenleiter vorgesehen sein, der ebenfalls ein Austreten der Strahlung der ersten Wellenlänge seitlich von der Reemissionsschicht 3 verhindert.
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The reemission layer 3 and then the active layer 2 are epitaxially grown in succession on the epitaxial substrate 9 .
Auf dem Epitaxiesubstrat 9 sind nacheinander die Reemissionsschicht 3 und nachfolgend die aktive Schicht 2 epitaktisch aufgewachsen.
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