Übersetzung für "Verarmungszone" in Englisch

Eine Verarmungszone kann praktisch im gesamten Bulkmaterial erzeugt werden.
A depletion zone can be produced practically in the entire bulk material.
EuroPat v2
Dadurch wird eine Verarmungszone innerhalb des Substrates erzeugt.
A depletion zone is thereby produced within the substrate.
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Die Verarmungszone wird oft auch als Raumladungszone oder Sperrschicht bezeichnet.
The depletion zone is often referred to as the volume charge zone or blocking layer.
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Die vertikale Ausdehnung dieser Verarmungszone kann unter anderem durch eine Steuerspannung eingestellt werden.
The vertical extent of said depletion zone can be set inter alia by a control voltage.
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Diese Verarmungszone ist für jedes Hartmetall, abhängig von der Zusammensetzung, verschieden.
This depletion zone differs for each carbide, depending on the composition.
ParaCrawl v7.1
Auch hier ist aus Gründen der Klarheit der Darstellung nur die Grenze 26 dieser Verarmungszone eingezeichnet.
Again for the sake of clarity only the further extending boundry 26 of this depletion region is shown.
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Andererseits muß die Siliziumschicht dick genug sein, um im Substratgebiet eine durchgehende Verarmungszone zu vermeiden.
On the other hand, the silicon layer has to be sufficiently thick for avoiding a continuous depletion zone in the substrate area.
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Bei einer vorteilhaften Ausbildungsform der Erfindung wird der Absorptionsbereich bei Anliegen der Sperrspannung zur Verarmungszone.
In one advantageous embodiment of the invention, the absorption region becomes the depletion zone when the reverse voltage is present.
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Auch dieser Teil des Bulkmaterials wird somit als Absorptionsbereich genutzt und wird zur Verarmungszone.
Therefore, this part of the bulk material is also utilized as an absorption region and becomes the depletion zone.
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Die Ausdehnung der Verarmungszone im Substrat wird hauptsächlich beeinflusst durch die Dotierung innerhalb des Substrats.
The extent of the depletion zone in the substrate is principally influenced by the doping within the substrate.
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Somit entsteht auf und/oder im grenznahen Bereich der Oberfläche eine Verarmungszone dieser Metalloxide.
This results in a reinforcement region of these metal oxides on and/or in the region adjacent to the surface.
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In einer pin Struktur könnte die Dicke der Verarmungszone bei hochfrequenter Wechselspannung großer Amplitude variieren.
In a pin structure, the thickness of the depletion region/layer can vary, given a radio-frequency alternating voltage having a large amplitude.
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Bei speziellen Ausführungsformen kann das Kanalgebiet auch durch eine weitere Verarmungszone in vertikaler Richtung begrenzt werden.
In specific embodiments, the channel region can also be bounded by a further depletion zone in the vertical direction.
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In gleicher Weise wird mit einem Potentialanstieg am positiven Anschluß der Spannungsquelle das Drain- gebiet 16 positiver, so daß die Verarmungszone am PN-Übergang zwischen den Gebieten 16 und 12 dicker wird.
Similarly, as the potential at the plus terminal of the power supply is increased, the drain region 16 is made more positive thickening the depletion layer at the P-N junction between regions 16 and 12.
EuroPat v2
Wenn die Anordnung beispielsweise mit 8 V zwischen den Anschlüssen 20 und 21 vorgespannt wird, bildet sich um den Übergang 15 eine Verarmungszone aus, die sich, wie durch die gestrichelte Linie 25 angedeutet, bis zu einem Abstand von ungefähr 1,um in das N-leitende Material 11 a a erstreckt.
When the device is biased, say for example, with eight volts between terminals 20 and 21, a depletion region is created around the junction 15 which, as indicated by dotted line 25, extends a distance of about 1 micron into the N- type material 11a.
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Wenn die Temperatur der Anordnung ansteigt, wodurch auch der Wert des Widerstandes 8 zunimmt, wird zur Kompensation dieses Temperaturganges die Potentialdifferenz zwischen der Epitaxieschicht 4 und dem Widerstand 8 abgesenkt, was zur Folge hat, daß die den Widerstand 8 umgebende Verarmungszone den Querschnitt des Widerstandes 8 weniger ein2 schnürt, wodurch wiederum durch den so vergrößerten Querschnitt der Wert des Widerstandes 8 kleiner wird.
Thus, as the temperature of the assembly increases, increasing the resistance of the resistor 8, the potential difference between the epitaxial bed 4 and the resistor 8 is caused to decrease in order for the depletion layer surrounding the resistor 8 to reduce encroachments into the cross-section of the resistor 8 to thereby effectively decrease its resistance.
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Der bei den nachstehend erörterten Ausführungsformen der erfin­dungsgemäßen Vorrichtung verwendete Strahlempfänger kann gemäß Fig. 5-7 ein zweiachsiger, analoger photoelek­trischer Halbleiterdetektor sein, der eine Deckschicht 5 aus Gold, darunter eine Verarmungszone 6, und, wiederum darunter, ein hochohmiges Substrat 7 aufweist, wobei der Gold-Deckschicht 5 ein Strom I o zugeführt wird und am hochohmigen Substrat seitlich wie oben und unten Kontakt­streifen 8 entlang des im wesentlichen quadratischen Querschnitts des Substrats angeordnet sind, über die der zugeführte Strom I o in Teilströme aufgeteilt abfließt.
The ray receiver used in the embodiments of the apparatus in accordance with the invention described in what follows may in accordance with FIGS. 5 through 7 be a biaxial, analog photoelectrical semi-conductor detector, which has a covering layer 5 of gold on a depletion zone 6, which in turn is on a high-ohmic substrate 7, the gold cover layer 5 being supplied with a current Io. To the side of the high-ohmic substrate over and under it there are contact strips (running along the generally square cross section of the substrate) via which the supplied current Io flows away divided up into current fractions.
EuroPat v2
Versuche haben ergeben, daß sich eine Verringerung der Verarmungszone vor der Meßfläche durch eine sog. Recessionsstrecke erreichen läßt, um die die Meßfläche der Meßelektrode hinter der Abschliff-Fläche zurückversetzt ist.
Tests have shown that the reduction of the depletion zone in front of the measuring face can be achieved by a so-called recessing distance, through which the measuring face of the measuring electrode is set back behind the ground-off face.
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Die Einführung einer Ausdehnung L D der Verarmungszone führt jedoch zu gewissen statistischen Herstellungsschwankungen in den Kennlinien der so erzeugten Transistoren.
However, the introduction of the depletion extension LD introduces a manufacturing statistical variation in the characteristics of the resultant devices so produced.
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Diese Herstellung einer Ausdehnung L D der Verarmungszone führt jedoch zu statistischen Schwankungen in den Kennlinien der so hergestellten Transistoren.
However, the introduction of the depletion extension LD introduces a manufacturing statistical variation in the characteristics of the resultant devices so produced.
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Wenn der Strahl also genau in der Mitte der mit der Verarmungszone und dem Substrat deckungsgleichen, quadratischen Gold-Deckschicht auftrifft, was vorzugsweise durch entsprechende Justierung der Anordnung in der Ausgangsposition der Maschinen 3 und 4 der Fall ist, sind die vier Teilströme untereinander gleich groß.
If therefore the beam impinges exactly in the center of the square gold covering layer exactly superimposed on the depletion zone and the substrate, this preferably being made possible by suitable adjustment in the initial position of the machines 3 and 4, the four current fractions will be equal in magnitude to each other.
EuroPat v2
Wenn die Anordnung beispielsweise mit 8 V zwischen den Anschlüssen 20 und 21 vorgespannt wird, bildet sich um den Übergang 15 eine Verarmungszone aus, die sich, wie durch die gestrichelte Linie 25 angedeutet, bis zu einem Abstand von ungefähr um in das N-leitende Material 11a erstreckt.
When the device is biased, say for example, with eight volts between terminals 20 and 21, a depletion region is created around the junction 15 which, as indicated by dotted line 25, extends a distance of about 1 micron into the N- type material 11a.
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Eine ähnliche Verarmungszone erstreckt sich um den PN-Übergang 19, wenn das Substrat bezüglich der Epitaxieschicht 11 a und des Subkollektors 17 vorgespannt wird.
A similar depletion region extends around the P-N junction 19 when the substrate is biased with respect to epitaxial island 11a and the subcollector 17.
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Wegen der Konzentration des Isolationsringes 34 und des Bereichs 34a dehnt sich die Verarmungszone nicht weit in diesen Gebieten aus.
Because of the concentration of ring 34 and region 34a, the depletion region does not extend very far in them.
EuroPat v2
Beispiele anderer möglicher Realisierungen der Kompensation des Temperaturganges können darin gesehen werden, daß eine P-Zone innerhalb einer N-Epitaxieschicht und die Epitaxieschicht verwendet wird, um einen Widerstand zu bilden, dessen Temperaturänderung durch Änderungen der Verarmungszone kompensiert wird, die durch die umgekehrt vorgespannte P-Zone gebildet wird.
Examples of other possible implementations include the use of a P diffusion within an N epi bed and the epi bed is used to form a resistor whose change with temperature is compensated by changes in the depletion region formed by the reverse biased P region.
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Wegen der Konzentration des Isolationsringes 34 und der Oberflächenschicht 34a dehnt sich die Verarmungszone nicht weit in diesen Gebieten aus.
Because of the concentration of ring 34 and region 34a, the depletion region does not extend very far in them.
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V TD entspricht der leicht dotierten oder Verarmungszone des Kanals 16, die mit L D bezeichnet ist.
VTD corresponds to the lightly doped or depletion portion of the channel 16, designated LD.
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Dieses Halbleitergebiet nimmt in einem unipolar aktiven Bereich des Bauelements im Sperrzustand eine Verarmungszone mit einer von der Sperrspannung abhängigen vertikalen, d.h. im wesentlichen senkrecht zur Oberfläche des Halbleitergebiets verlaufenden, Ausdehnung auf und ist damit als Driftgebiet vorgesehen.
This semiconductor region accommodates, in an active area of the component in the blocking state, a depletion zone with a vertical (i.e. extending substantially perpendicular to the surface of the semiconductor region) extension dependent upon the blocking voltage, and is thus provided as the drift region.
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