Übersetzung für "Undotiert" in Englisch

Sie ist die eigentliche aktive Schicht und vorzugsweise undotiert.
It is the actual active layer and is preferably undoped.
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Besonders vorteilhaft ist es dann, wenn die Abschattungsbereiche undotiert sind.
It is particularly advantageous when the shadowed regions are undoped.
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Zum Beispiel ist die Pufferschicht undotiert oder schwach n-dotiert.
For example, the buffer layer is undoped or weakly n-doped.
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Bei einer zweckmäßigen Ausgestaltung ist die Pufferschicht undotiert oder schwach n-dotiert.
In an expedient embodiment, the buffer layer is undoped or weakly n-doped.
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Geeignete Substrat-Plättchen für die Perlglanzpigmente können dotiert oder undotiert sein.
Suitable substrate flakes for the pearlescent pigments may be doped or undoped.
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In einem Ausführungsbeispiel ist die Zwischenschicht 19 beispielsweise undotiert, also intrinsisch.
In one exemplary embodiment, the interlayer 19 is, for example, undoped, i.e. intrinsic.
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Der Katalysator G-49 B enthält 55% Nickel und ist undotiert.
The catalyst G-49 B contains 55% nickel and is undoped.
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Beispielsweise wird ein Siliziumsubstrat verwendet, das anfangs vordotiert oder undotiert ist.
By way of example, a silicon substrate which is initially predoped or undoped is used.
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Dieser aktive Streifen 3 ist undotiert oder vom ersten oder von einem zweiten Leitfähigkeitstyp.
This active stripe 3 is undoped or of the first or of a second conductivity type.
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Das Siliziumsubstrat ist in diesem Fall p-dotiert, kann aber auch n-dotiert oder undotiert sein.
In this case, the silicon substrate is p-doped, but it can also be n-doped or undoped.
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Allgemein kann im vorliegenden Zusammenhang die Reemissionsschicht p-leitend, n-leitend, undotiert oder auch kodotiert sein.
Generally speaking in this connection the reemission layer may be p-conducting, n-conducting, undoped or even codoped.
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In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist die Anschlussschicht dotiert ausgeführt und die Barriereschicht ist undotiert ausgeführt.
In a further preferred refinement, the connecting layer is doped, and the barrier layer is undoped.
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Vorzugsweise ist das Al 2 O 3 -Substrat undotiert oder mit TiO 2 dotiert.
The Al 2 O 3 substrate is preferably undoped or doped with TiO 2 .
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Sie weist beispielsweise eine geringe elektrische Leitfähigkeit auf und ist vorzugsweise undotiert oder schwach n-dotiert.
It has, for example, a low electrical conductivity and is preferably undoped or weakly n-doped.
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Ein zwischen den Source-/Drain-Bereichen 70 und 72 in der Halbleiterschicht 16 liegender Kanalbereich 82 bleibt undotiert.
A channel region 72 lying between the source/drain regions 70 and 72 in the semiconductor layer 16 remains undoped.
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Das vorzugsweise verwendete makroporöse Silizium kann dabei dotiert, vorzugsweise n-dotiert, oder undotiert sein.
In this case, the macroporous silicon preferably used can be doped, preferably n-doped, or undoped.
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Die nächstfolgende Schicht 15 ist die eigentliche (mit der Schicht 4 zu vergleichende) aktive Schicht aus beispielsweise Indiumgalliumarsenidphosphid, das z.B. undotiert ist.
The next, following third layer 15 is the actual active layer (comparable to the layer 4) composed, for example, of indium gallium arsenide phosphide which, for example, is undoped.
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Die Schicht 17 ist wieder undotiert, wjist aber auf der vom Substrat 10 abgekehrten Seite einen P + -dotierten Bereich 170 auf, der durch lokale Diffusion erzeugt worden ist.
The layer 17 is undoped, but has a p+ doped region 170 at its uppermost side facing away from the substrate 10. The p+ doped region 170 was generated by local diffusion.
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Da das Polysilizium erfindungsgemäss noch undotiert bleiben kann, ist es möglich, die beiden Schichten 3', 4' hintereinander ohne Belüftung in einer Anlage abzuscheiden.
Since the polysilicon in accordance with the invention can still remain undoped, it is possible to deposit the two layers 3, 4 successively without aeration in an installation.
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Sind die Abschattungsbereiche 9 undotiert, dann bildet sich in den abgeschatteten Bereichen der Sourcezone 6 keine Kanalzone 14 aus, daß heißt die effektive Kanalweite W der abgeschatteten Zelle verringert sich.
If the shadowed regions 9 are undoped, no channel zone 14 forms in the shadowed regions 9 of the source zone 6, that is to say the effective channel width W of the shadowed cell is reduced.
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Unter Umständen kann zwischen der zweiten hochdotierten, entarteten Übergangsschicht 10 und der ersten hochdotierten, entarteten Übergangsschicht 11 eine dünne Zwischenschicht eingebracht sein, die entweder vom ersten Leitungstyp, vom zweiten Leitungstyp oder undotiert ist.
Under certain circumstances, a thin intermediate layer which is either of the first conductivity type, of the second conductivity type or undoped may be introduced between the second heavily doped, degenerate junction layer 10 and the first heavily doped, degenerate junction layer 11 .
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Die hierin beschriebenen Polyselenophene können entweder undotiert oder dotiert zur antistatischen Ausrüstung von den elektrischen Strom nicht oder nur schlecht leitenden Substanzen, als elektrisch leitfähige Folien, als Halbleiter-Folien, als Zusatzstoff für aktive Elektroden, für LED's, als organische Transistoren und Kondensatoren verwendet werden.
The polyselenophenes described herein can be used either undoped or doped for application as antistatic to substances which conduct electric current only poorly or not at all, as electrically conducting sheets, as semiconductor sheets, as additive to active electrodes, for LEDs, as organic transistors and capacitors.
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Die Erfindung weist den Vorteil auf, daß durch Vorsehen von Abschattungsbereichen innerhalb der Sourcezonen, die vorzugsweise undotiert sind bzw. zumindest sehr viel niedriger dotiert sind als die Sourcezonen, die kritischen Bereiche im Zellenfeld mit der höchsten Stromdichte gezielt entschärft werden und somit eine Stromfilamentierung weitgehend vermieden wird.
The invention has the advantage that by providing shadowed regions inside the source zones which are preferably undoped or at least doped much more weakly than the source zones, the critical regions in the cell array with the highest current density are specifically moderated, and thus current filamentation is largely avoided.
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Das Opfer-Polysilizium 152 muß nicht dotiert sein, da es bei diesem Beispiel nicht die Funktion einer Dotierstoffquelle hat, vielmehr sollte es zweckmäßigerweise undotiert sein, was eine höhere Abscheidungsrate ermöglicht.
The sacrificial polysilicon 152 need not be doped since, in this example, it does not have the function of a dopant source, rather it should expediently be undoped, which enables a higher deposition rate.
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