Übersetzung für "Spannungsanstiegsgeschwindigkeit" in Englisch

Die negative Halbwelle weist eine Flanke mit der Spannungsanstiegsgeschwindigkeit du o /dt auf.
The negative half-wave has one edge having the speed duo /dt of the voltage increase.
EuroPat v2
Die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit du o /dt wird mit 1000 V/µs vorgegeben.
The speed of voltage increase duo /dt is specified as 1000 F/?s.
EuroPat v2
Snubberglieder begrenzen die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit oder die Stromanstiegsgeschwindigkeit an Halbleitern.
Snubber elements limit the rate of voltage rise or the rate of current rise on semiconductors.
EuroPat v2
Hierdurch wird die kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit dU/dt, bis zu der eine unerwünschte Zündung des Thyristors durch eine den Thyristor in Durchlaßrichtung polende Spannung U sicher vermieden wird, gegenüber den bekannten Halbleiterschaltern dieser Art ganz wesentlich erhöht.
As a result thereof, the critical voltage rise rate dU/dt up to which an undesired ignition of the thyristor by a voltage U polarizing the thyristor in the forward conducting direction is reliably avoided, is very significantly increased in comparison to the known semiconductor switches of this type.
EuroPat v2
Es ist bekannt, daß steuerbare Halbleiter, insbesondere GTO's dann, wenn sie induktiv belastet sind, eine Ausschaltentlastung zur Begrenzung der Spannungsanstiegsgeschwindigkeit beim Abschalten benötigen.
It is known that controllable semiconductors, in particular gate turn-off switches or GTOs, require switch-off relief when inductively loaded to limit the voltage-rise rate during switch-off.
EuroPat v2
Wenn, wie erfindungsgemäß vorgesehen, bei positiver Eingangs­spannung die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit des Oszillatorsig­nals U OS proportional zur Eingangsspannung ist, so enthält das Signal automatisch die erforderliche Information über den Kol­lektorstrom des Schalttransistors.
If the voltage rise speed of the oscillator signal UOS is proportional to the input voltage when the input voltage is positive, as provided in accordance with the invention, then the signal automatically receives the necessary information on the collector current of the switching transistor.
EuroPat v2
Durch diese verminderte Aussteuerung sind an die Linearität, die Spannungsversorgung und die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit der Versorgungseinrichtung für den Phasenmodulator sowie an den linearen Aussteuerbereich des Phasenmodulators 6 selbst geringe Anforderungen zu stellen.
As a result of the reduced modulation, non-stringent requirements are imposed on linearity, voltage supply and voltage rise rate of the supply device for the phase modulator as well as on the linear modulation range of the phase modulator 6 itself.
EuroPat v2
Schließlich wird der Verschiebestrom auch durch die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit der Betriebsspannung bestimmt, so daß hierüber eine Einflußnahme erfolgen kann.
Finally, the displacement current is also determined by the speed of increase in the operating voltage, so that can be a factor as well.
EuroPat v2
Da sowohl die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit des Oszillatorsig­nals als auch die Stromanstiegsgeschwindigkeit des Kollektor­stroms des Schalttransistors proportional zur Netzspannung sind, entspricht der Abstand zwischen dem Oszillatorsignal und der Re­gelschwelle dem Kollektorstrom.
Since both the voltage rise speed of the oscillator signal and the current rise speed of the collector current of the switching transistor are proportional to the mains voltage, the spacing between the oscillator signal and the control threshold is equivalent to the collector current.
EuroPat v2
Bei solchen Halbleiterschaltern wird angestrebt, die kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit dU/dt einer Blockierspannung U, bis zu der eine unerwünschte Zündung des Thyristors sicher vermieden wird, zu erhöhen.
Given such semiconductor switches, the critical voltage rise rate dU/dt is increased for an inhibit voltage up to which an undesired ignition of the thyristor is reliably avoided.
EuroPat v2
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Thyristor der eingangs genannten Art so auszubilden, daß er trotz einer hohen Sperrfähigkeit und insbesondere trotz einer hohen kritischen Spannungsanstiegsgeschwindigkeit dU/dt in Bezug auf eine zwischen den anoden- und kathodenseitigen Elektroden anliegende, den Thyristor in Durchlaßrichtung polende Spannung U mit einer sehr geringen Lichtleistung gezündet werden kann.
SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to provide a thyristor of the type set forth above such that the thyristor can be triggered with a very low light power, despite a high inhibit capability and, in particular, despite a high critical voltage rise rate dU/dt relative to a voltage U applied between the anode and cathode electrodes and polarizing the thyristor in the forward conducting direction.
EuroPat v2
Diese Maßnahmen gewährleisten gleichzeitig eine hohe kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit dU/dt, bis zu der eine unerwünschte Zündung des Thyristors sicher vermieden wird.
Simultaneously, these measures guarantee a high critical voltage rise rate dU/dt up to which an undesired triggering of the thyristor is reliably avoided.
EuroPat v2
Der Fotothyristor 24 und der Opto-Triac 25 können sehr zündempfindlich ausgebildet sein, da die hiermit zu verbindende kleine Sperrfähigkeit und kleine kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit dU/dt lediglich an die am Anschluß 15b bzw. am Punkt A auftretende Spannung U' angepaßt werden müssen, die maximal einen Wert von etwa U1 erreicht.
The photothyristor 24 and the opto-triac 25 can be designed very trigger-sensitive since the low inhibit capability and the low critical voltage rise rate dU/dt to be connected thereto need be matched only to the voltage U' appearing at the terminal 15b or, respectively, at the point A, this reaching a maximum value of approximately U1.
EuroPat v2
Durch den konkaven Spannungsanstieg der von dem kompensierten Rampengenerator erzeugten Rampenspannung erhält die Rampenspannung eine größere Slew Rate (Spannungsanstiegsgeschwindigkeit).
Through the concave rise of the ramp voltage generated by the compensated ramp generator, a higher slew rate of the ramp voltage is attained.
EuroPat v2
Bei solchen bekannten asymmetrischen Thyristoren tritt nun das Problem auf, daß sie bei Kommutierung aus der Durchlaßphase in die Sperrphase und anschließendem Wieder­anlegen der positiven Spannung noch innerhalb der Frei­werdezeit bei höherer Spannungsanstiegsgeschwindigkeit du/dt in ihrer Funktionsfähigkeit beeinträchtigt werden.
In such known asymmetrical thyristors there now occurs the problem that, during commutation from the on-state to the off-state and subsequent reapplication of the positive voltage before the end of the turn-off time, the function of the devices is adversely affected by the inevitable refiring, especially at higher rates of rise of the forward off-state voltage.
EuroPat v2
Allen bekannten Maßnahmen, einen höheren Spannungsabfall unter dem Hilfsemitter 1 als unter dem Hauptemitter 2 zu erhalten, haben Nachteile in Bezug auf die dynamischen Eigenschaften der Thyristoren, die kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit (du/dt die kritische" Stromanstiegsgeschwindigkeit (di/dt und die Freiwerdezeit tq.
All known measures for obtaining a greater voltage drop underneath the auxiliary emitter 1 than under the main emitter 2 have drawbacks with respect to the dynamic properties of the thyristors, the critical voltage rise rate du/dt and the critical current rise rate di/dt as well as the recovery time tq.
EuroPat v2
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Thyristor mit Amplifying Gate zu schaffen und dafür ein Her stellungsverfahren anzugeben, der sich durch kurze Freiwerdezeit, niedrige Einschaltverluste sowie durch hohe zulässige Strom- und Spannungsanstiegsgeschwindigkeit ((di/dt) krit, (du/dt)krit) auszeichnet, bei dem der Bilfsthyristor immer vor dem Hauptthyristor zündet, und welcher Thyristor die oben angegebenen Nachteile, die sich bei Anwendung bekannter Lösungsvorschläge, nämlich lateral größere Hilfsemitter, Shortungslöcher dicht am Rand des Hauptemitters, stromleitende Stege zwischen Hilfs-und Hauptemitter ergeben, nicht aufweist.
It is the object of the invention to provide a thyristor with amplifying gate which is distinguished by a short recovery time, low turn-on losses as well as high current and voltage rise rates (di/dtcrit, du/dtcrit) and in which it is assured that the auxiliary thyristor always fires before the main thyristor but which at the same time does not have the above-described drawbacks of the prior art solutions, such as laterally larger auxiliary emitters, shorting holes close to the edge of the main emitter or current conducting bars between the auxiliary and main emitters.
EuroPat v2
Auch ist die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit der Betriebsspannung zumeist durch äußere, nicht in Halbleiterschalter betreffende Umstände in engen Grenzen festgelegt.
The speed of increase in the operating voltage is also usefully defined within narrow limits by external circumstances that are not directly related to semiconductor switches.
EuroPat v2
Hierdurch wird die kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit dU/dt, bis zu der eine unerwünschte Zündung des Thyristors durch eine den Thyristor in Durchlaßrichtung polende Spannung U sicher vermieden wird, gegenüber den bekannten Halbleiterschaltungen dieser Art ganz wesentlich erhöht.
As a result thereof, the critical voltage rise rate dU/dt up to which an undesired ignition of the thyristor by a voltage U polarizing the thyristor in the forward conducting direction is reliably avoided, is very significantly increased in comparison to the known semiconductor switches of this type.
EuroPat v2
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Thyristor mit Amplifying Gate zu schaffen und dafür ein Herstellungsverfahren anzugeben, der sich durch kurze Freiwerdezeit, niedrige Einschaltverluste sowie durch hohe zulässige Strom- und Spannungsanstiegsgeschwindigkeit ((di/dt) krit, (du/dt) krit) auszeichnet, bei dem der Hilfsthyristor immer vor dem Hauptthyristor zündet, und welcher Thyristor die oben angegebenen Nachteile, die sich bei Anwendung bekannter Lösungsvorschläge, nämlich lateral größere Hilfsemitter, Shortungslöcher dicht am Rand des Hauptemitters, stromleitende Stege zwischen Hilfs- und Hauptemitter ergeben, nicht aufweist.
SUMMARY OF THE INVENTION It is the object of the invention to provide a thyristor with amplifying gate which is distinguished by a short recovery time, low turn-on losses as well as high current and voltage rise rates (di/dtcrit, du/dtcrit) and in which it is assured that the auxiliary thyristor always fires before the main thyristor but which at the same time does not have the above-described drawbacks of the prior art solutions, such as laterally larger auxiliary emitters, shorting holes close to the edge of the main emitter or current conducting bars between the auxiliary and main emitters.
EuroPat v2
Allen bekannten Maßnahmen, einen höheren Spannungsabfall unter dem Hilfsemitter 1 als unter dem Hauptemitter 2 zu erhalten, haben Nachteile in Bezug auf die dynamischen Eigenschaften der Thyristoren, die « kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit (du/dt) krit die « kritische Stromanstiegsgeschwindigkeit (di/dt) krit und die Freiwerdezeit tq.
All known measures for obtaining a greater voltage drop underneath the auxiliary emitter 1 than under the main emitter 2 have drawbacks with respect to the dynamic properties of the thyristors, the critical voltage rise rate du/dt and the critical current rise rate di/dt as well as the recovery time tq.
EuroPat v2
Eine einfache und kostengünstige Methode zur Verringerung der Spannungsanstiegsgeschwindigkeit ist es, eine du/dt- Drossel bzw. -Filter zu verwenden.
A simple and inexpensive method for reducing the rate of voltage rise is to use a du / dt filter or throttle.
ParaCrawl v7.1
Aufgrund dieser Konfiguration kann die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit bzw. die Slewrate am Ausgang des Endstufentransistors T1 eingestellt werden, wobei diese im wesentlichen von der Stromstärke der Integrationsstromquelle 15 und der Kapazität des Integrationskondensators C1 bestimmt wird, d.h. durch geeignete Dimensionierung dieser Bauelemente lässt sich diese Kenngröße exakt einstellen.
Based on this configuration, the voltage increase rate or the slew rate at the output of the output stage transistor T 1 can be adjusted, whereby this is determined substantially by the current intensity of the integration current source 15 and the capacitance of the integration capacitor C 1 i.e., this parameter can be adjusted precisely by suitable dimensioning of these components.
EuroPat v2
Aufgrund dieser Konfiguration kann die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit bzw. die Slewrate am Ausgang des Endstufentransistors eingestellt werden, wobei diese im wesentlichen von der Stromstärke der Integrationsstromquelle und der Kapazität des Integrationskondensators bestimmt wird, d.h. durch geeignete Dimensionierung dieser Bauteile lässt sich diese Kenngröße exakt einstellen.
Based on this configuration, the voltage increase rate or the slew rate at the output of the output stage transistor can be adjusted, whereby this is determined substantially by the current intensity of the integration current source and the capacitance of the integration capacitor; i.e., this parameter can be adjusted precisely by suitable dimensioning of these components.
EuroPat v2
Eine einfache und kostengünstige Methode zur Verringerung der Spannungsanstiegsgeschwindigkeit ist es, einen du/dt- Filter zu verwenden.
A simple and inexpensive method for reducing the rate of voltage rise is to use a du / dt filter.
ParaCrawl v7.1
Leistungshalbleiter sind gegen über Spannung, zu hohe Spannungsanstiegsgeschwindigkeit, Kurzschluss, zu hohe Stromanstiegsgeschwindigkeit und thermische Überlastung zu schützen.
Power semiconductors are to be protected against overvoltage, a too rapid speed of increase of the voltage, short-circuit and thermal overloading.
EuroPat v2
Mittels des Ausgangsfilters 15 kann die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit begrenzt werden, um das Ausgangskabel (LC-Kabel) zu schützen.
The speed of the voltage rise can be limited by means of output filter 15 to protect the output cable (LC cable).
EuroPat v2
Im Umrichterbetrieb belasten zwei Faktoren den Motor zusätzlich, nämlich die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit dU/dt und die auftretenden Spannungsspitzen.
When working with a inverter, there two additional factors which bring about added motor stress: The rate of voltage rise dU/dt and the occurring voltage peaks.
ParaCrawl v7.1