Übersetzung für "Sättigungsbereich" in Englisch

Die diode D7 hindert T2 daran, tief in den Sättigungsbereich zu gelangen.
Diode D7 prevents T2 from going into deep saturation.
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Der Sättigungsbereich ist nach 6 Minuten noch lange nicht erreicht.
After 6 minutes, the saturation region is not reached by a long way.
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Die andere Tangente wird an den Sättigungsbereich der Kurve gelegt.
The other tangent is drawn at the saturation range of the curve.
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Eine Energiezufuhr über den Sättigungsbereich hinaus ist nutzlos.
An energy supply in excess of the saturation range is useless.
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Beim Übergang in den Sättigungsbereich reduziert sich bekanntlich die effektive Induktivität einer Spule.
As is known, the effective inductance of a coil decreases upon transition to the saturation range.
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In dem Sättigungsbereich hat der Differentialquotient y R den Wert Null.
In the saturation portion, the differential quotient y R is zero.
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Bei geeigneten Potentialverhältnissen an den Transistorkontakten wird der Speichertransistor in seinen Sättigungsbereich geführt.
The memory transistor is driven into its saturation region given suitable potential conditions at the transistor contacts.
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Bei höheren Differenzspannungen wird das Halbleiterbauelement typischerweise im Sättigungsbereich betrieben.
At relatively high differential voltages, the semiconductor component is typically operated in the saturation range.
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Mit ihrer KM von 1 mM arbeiten diese Transporter immer im Sättigungsbereich.
With their KM of 1 mM, these transporters always work in the saturation range.
ParaCrawl v7.1
Die beiden Stromquellentransistoren T1, T2 werden durch feste Gate-Spannungen VG1 bzw. VG2 im Sättigungsbereich betrieben.
The two current source transistors T1, T2 are operated at saturation by fixed gate voltages VG1, VG2 respectively.
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Hierbei sollte der Transistor möglichst nahe an der Sättigung, evtl. sogar im Sättigungsbereich betrieben werden.
The transistor should be operated as close to saturation as possible, and optionally even within the saturation range.
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Dieser Sättigungsbereich ist erforderlich, um unter allen Betriebsbedingungen das vollständige Ausrücken der Kupplung zu ermöglichen.
This saturation zone is necessary to enable the clutch to be released completely under any operating conditions.
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Steigt der Totaldruck über den zulässigen Grenzwert an, so gerät das Massenspektrometer in den Sättigungsbereich.
If the total pressure rises above the allowable limit value, the mass spectrometer reaches the saturation range.
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Eine Energiezufuhr über den Sättigungsbereich hinaus bringt somit keinen deutlich besseren Wirkungsgrad und ist Energieverschwendung.
Thus, an energy supply in excess of the saturation range does not result in any significantly better efficiency and is a waste of energy.
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Es ist ersichtlich, daß das Röhrchen 3 bei der erfindungsgemäßen Anordnung sicher bis in den Sättigungsbereich durchmagnetisiert wird.
It is clear that tube 3 of the inventive arrangement is securely magnetized up to the saturation range.
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Für den lateralen Eingangs-/Ausgangs-PNP-Transistors bedeutet dies, daß einer im aktiven, der andere im Sättigungsbereich betrieben wird.
For the lateral input/output PNP transistor this means that one is operated in the active zone and the other in the saturation zone.
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Die Phosphore vom ZnS-Typ haben zwar eine hohe Lichtausbeute bei kleinem Strahlstrom, sie gelangen jedoch bei größer werdender Belastung sehr bald in den Sättigungsbereich.
The phosphors of the ZnS type have a high light efficiency with a small beam current, but as the load increases they very quickly enter the saturation range.
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Herkömmliche Analog/Digital-Wandler (im folgenden A/D-Wandler bezeichnet) weisen als Schwellenwertschaltungen üblicherweise-Komparatorschaltungen auf, die Transistoren enthalten, die je nach dem,ob der Schwellenwert überschritten ist oder nicht, im Sperrbereich oder im Sättigungsbereich arbeiten.
Conventional analog/digital converters (referred to as A/D converters in the following) usually have, as threshold circuits, comparator circuits containing transistors which work in the cut-off region or in the saturation region depending on whether the threshold is exceeded or not.
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Aufgrund der Zeitverzögerungseffekte, die zeitweise im Sättigungsbereich arbeitende Transistoren mit sich bringen, setzen solche A/D-Wandler dem zu digitalisierenden AnalogSignal hinsichtlich der maximalen Frequenz Grenzen, die häufig nicht akzeptabel sind.
Due to the time delay effects involved in transistors working at times in the saturation region, such A/D converters set limits on the maximum frequency of the analog signal to be digitized, which are often not acceptable.
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Da der Leistungstransistor während seiner Einschaltdauer in den Sättigungsbereich übersteuert wird, ist seine Abschaltung nur mit einer Abschaltverzögerung möglich, innerhalb welcher die Basis des übersteuerten Transistors entladen wird.
Due to the fact that the power transistor is driven into the saturation state during its switching-on duration, the power transistor can be switched-off only with a switching-off delay within which the base of the saturated transistor is discharged.
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Aufgrund der Zeitverzögerungseffekte, die zeitweise im Sättigungsbereich arbeitende Transistoren mit sidrbringen, setzen solche A/D-Wandler dem zu digitalisierenden Analogsignal hinsichtlich der maximalen Frequenz Grenzen, die häufig nicht akzeptabel sind.
Due to the time-delay effects involved in transistors which work in the saturation range at times, such A/D converters set limits on the maximum frequency of the analog signal to be digitized, which are often unacceptable.
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Danach beginnt der ohm'sche Bereich, in welchem die Aufladungsspannung konstant bleibt, unabhängig von der weiter ansteigenden Spannung der Korona (Sättigungsbereich).
It is followed by the ohmic range where the charging voltage remains constant despite a further increase in the corona voltage (saturation range).
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Wesentlich für die angestrebte Wirkungsweise ist nun, daß der Arbeitspunkt des Transistors 12, der bekanntlich im Zusammenhang mit der Versorgungsspan­nung durch seinen Kollektorwiderstand 16, seinen Basisvorwi­derstand 17 und die an die Basis angekoppelte Ausgangsimpe­danz der die Nachstimmregelgröße liefernden Quelle bestimmt ist, in seinem Sättigungsbereich gewählt ist, in dem sowohl seine Basis-Emitterdiode als auch seine Basis-Kollektordiode in Durchlaßrichtung vorgespannt sind, wobei dann die vom Ein­gang 14 her der Basis des Transistors 12 zugeführte Nach­stimmregelgröße innerhalb ihres Regelbereiches die Basis-Kol­lektordiode des Transistors 12 einerseits weiter in ihren Durchlaßbereich hinein und andererseits bis in ihren Sperrbe­reich hinein aussteuert.
For the envisaged operation it is essential that the working point or operating point of the transistor 12, which in relation to the supply voltage is known to be determined by its collector resistor 16, its base-series resistor 17 and by the base-coupled output impedance of the source supplying fine-tuning control signal, is chosen to be in its saturation range in which both its base-emitter diode and its base-collector diode are forward biased at which within its control range the fine-tuning control signal applied from the input 14 to the base of the transistor 12 is able to drive the base-collector diode of the transistor 12 further into conduction on the one hand and is able to drive it into its cut-off region on the other hand.
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Wenn dann die Amplitude für die Datensignalwechsel derart gewählt wird, daß sie im wesentlichen der der Vormagnetisierungssignale entspricht, dann erzeugt die Summe beider Signalamplituden eine Aufzeichnung im Sättigungsbereich.
When the amplitude for the data signal changes is then selected such that it essentially corresponds to that of the bias signals, then the sum of the two signal amplitudes produces a recording in the saturation region.
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Dadurch wird ausgehend vom Arbeitspunkt in der Transformatorkennlinie, der vom Ursprung in Richtung Sättigungsbereich verschoben liegt, der Betrieb in Richtung des Ursprungs oder darüber hinaus zurückverlagert.
Thereby, starting from the operating point in the transformer characteristic which is located shifted from the origin in the direction of the saturation region, the operation is shifted back in the direction of the origin or beyond.
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Durch die schmale Form werden wegen der geringen Remanenz die Verluste klein gehalten und der steile Anstieg der Hysteresekennlinie, welcher sich in der rechteckigen Form ausdrückt, hat zur Folge, daß bei kleinen Feldstärkeänderungen sehr schnell der Sättigungsbereich erreicht ist.
The losses are kept small because of the narrow shape and because of the low remanence or residual magnetism and the steep rise of the hysteresis characteristic which is reflected in the rectangular shape, entails that the saturation range is reached very rapidly with small changes in field strength.
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