Übersetzung für "Mikrogefüge" in Englisch

Das typische Mikrogefüge bei einer konventionellen Legierung ist in Fig.
The typical microstructure of a conventional alloy is illustrated in FIG.
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Die Probleme schliessen die Geometrie der Bauteile, Mikrogefüge und kritisches Bruchkriterium ein.
The problems involve component geometry, the microstructure, and the critical event in failure.
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Tatsächlich untersucht sie die Beständigkeit gegenüber Volumen oder Oberflächenspannungen über das kristalline Mikrogefüge.
In fact, it studies the metal's resistance to stresses, whether in the mass or on the surface, via the crystal microstructure.
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Die Sphärolithenzahl im Mikrogefüge wurde zu 455 Sphärolithen pro mm 2 ermittelt.
The number of spherulites in the microstructure was determined as 455 spherulites per mm 2 .
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Jeder Rohling wird einzeln isostatisch gepresst und erhält dadurch ein sehr homogenes Mikrogefüge.
Each blank is single isostatic pressed, giving it a very homogeneous microstructure.
ParaCrawl v7.1

Formkörper mit einem derartig inhomogegen Mikrogefüge sind selbstverständlich trotz der hohen Dichte nicht besonders standfest.
In spite of their high density, shaped articles having such a non-homogeneous microstructure are not especially stable.
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Das Mikrogefüge der Fasern bestimmt (bei gleicher chemischer Zusammensetzung) die physikalischen Eigenschaften.
The microstructure of the fibers (with the same chemical composition) determines the physical characteristics.
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Grund sind vermutlich Veränderungen im Mikrogefüge der Ufersandschichten, die durch die erhöhten Grundwasserströme gestört werden.
This was probably due to changes in the microstructures of the bank sand layers that were disturbed by the increased ground water currents.
ParaCrawl v7.1

Bei sehr hohen Sintertemperaturen entstehen gleichmäßige Mikrogefüge, die für die verbesserten Eigenschaften verantwortlich sind.
At very high sintering temperatures a uniform microstructure is created which is responsible for the improved properties.
ParaCrawl v7.1

Daraus folgt, daß die drucklose Sinterung von Siliciumcarbid mit Bor enthaltenden Zusätzen nur schwierig zu bewerkstelligen ist, wenn Sinterkörper mit sowohl hoher Dichte, als auch gleichmäßigem, feinkörnigem Mikrogefüge erhalten werden sollen, da offensichtlich unabhängig von der Art des verwendeten Ausgangsmaterials (a-und/oder ß-SiC) infolge der Dotierung des SiC mit Bor mit einem übertriebenen Kornwachstum zu rechnen ist, das nur durch Einhaltung ganz bestimmter Bedingungen in Grenzen gehalten werden kann.
Thus, the pressureless sintering of silicon carbide with boron-containing additives is difficult to effect if sintered articles having both a high density and also a uniform fine-grained microstructure are to be obtained, since it is evident that, irrespective of the type of starting material used (a-SiC and/or ?-SiC), exaggerated grain growth must be reckoned with because of the doping of the silicon carbide with boron and this catastrophic growth can be limited only by adhering to quite specific conditions.
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Gegenstand der Erfindung sind dichte Formkörper aus polykristallinem a-Siliciumcarbid mit sehr geringen Mengen an Aluminium sowie gegebenenfalls Stickstoff und/oder Phosphor, mit homogenem, praktisch einphasigem Mikrogefüge, da die zusätzlichen Bestandteile im wesentlichen in Form einer festen Lösung im a-SiC-Gitter vorliegen.
The invention relates to dense shaped articles of polycrystalline a-silicon carbide containing from 0.1 to 0.4%, by weight, of aluminum and optionally, a small amount of nitrogen and/or phosphorus, having a homogeneous virtually single-phase microstructure.
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Mit weniger als 10 Gew.-% B 4 C konnte das Kornwachstum während des Sinterns nicht kontrolliert werden, was zur Ausbildung von grossen tafelförmigen SiC-Kristallen führte, das heisst, es wurde kein feinkörniges Mikrogefüge erhalten, das für die mechanische Festigkeit notwendig ist.
With less than 10% by weight of B4 C, the grain growth can not be controlled during sintering and large plate-like SiC crystals are formed and fine-grained microstructure, which is necessary for mechanical strength, can not be obtained.
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Vorher enthielten solche Nähte ein viel zu grobes Mikrogefüge, als dass gute Kerbschlagwerte erwartet werden konnten.
Previously, such welds had a microstructure much too coarse to obtain good notch impact values.
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Es scheint hinsichtlich der Art der Glaskeramik zum Zweck der Aufnahme eines geschmolzenen Metallgußstückes keine Grenze zu bestehen, solange die Mikrostruktur bzw. das Mikrogefüge als polykristalline Keramik vorherrscht.
There appears to be no limit on the kind of glass-ceramic for my purpose of receiving a molten metal casting as long as the microstructure is predominantly a polycrystalline ceramic.
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Eine wesentliche Rolle bei der Beschichtung von Werkstoffen spielen weiterhin die Konstitution des Materialsystems, die Herstellungsparameter und das Mikrogefüge.
The constitution of the material system, the manufacturing parameters and the microstructure continue to play an important role in the coating of materials.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe Zugrunde, ein Verfahren der eingangs beschriebenen Art bereitzustellen, mit dem feuerfeste Steine mit vorteilhaft niedriger Brennschwindung und gutem Mikrogefüge herstellbar sind.
DETAILED DESCRIPTION It is the object of the invention to make available a method of the type described above in which refractory bricks can be produced with advantageously low firing shrinkage and a good microstructure.
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Dabei wird von in der DE-A-2 624 641 beschriebenen Versuchen ausgegangen, mit denen nachgewiesen wurde, daß auch bei Verwendung von a-Siliziumkarbid-Pulver als Ausgangsmaterial im drucklosen Verfahren mit Bor und Kohlenstoff enthaltenden Zusätzen bei hohen Sintertemperaturen übertriebenes Kornwachstum auftritt, das zu einem inhomogenen Mikrogefüge im fertigen Sinterkörper führt.
0004031. a-silicon carbide in the form of a submicron powder is cold pressed and shaped under addition of small amounts of an aluminum compound other than an oxide and a carbon containing additive like carbon black, phenolic formaldehyde condensation products, or coal tar pitch and subsequently sintered pressureless at temperatures from 2,000° C. to 2,300° C. This is based on experiments which showed that excessive grain growth occurs in the pressureless method too at high sintering temperatures when the starting material is a-silicon carbide with boron and carbon containing additives and that an inhomogeneous microtexture results in the finished sintered bodies.
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Daraus wird gefolgert, daß die drucklose Sinterung von Siliziumkarbid mit Bor enthaltenden Zusätzen nur schwierig zu bewerkstelligen ist, wenn Sinterkörper mit sowohl hoher Dichte als auch gleich-mäßigem, feinkörnigem Mikrogefüge erhalten werden sollen.
The conclusion is that the pressureless sintering of silicon carbide with boron containing additives is difficult to achieve if sintered bodies of high density as well as uniformly fine-grained microtexture are to be produced.
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Durch bekannte physikalische Verfahren, wie die reaktive Kathodenzerstäubung (sDuttern), gelingt es zwar ein extrem feines Mikrogefüge herzustellen, diese Verfahren weisen jedoch eine Vorzugsrichtung für die Beschichtung auf, d.h. man erreicht die Rückseite eines Substrates nur noch unbefriedigend, so daß nur Schichten auf ebenen Unterlagen aufgebracht werden können.
Although it is possible to by known physical methods such as reactive cathode atomization (sputtering) to produce an extremely fine microstructure, these methods have a preferred direction for the coating, i.e. the back side of a substrate is reached only unsatisfactorily, so that layers can be applied only on plane substrates.
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Die Sinterkörper haben nicht nur ein homogenes Mikrogefüge mit mittleren Korngrößen von < 20 µm, das heißt es hatte nur ein geringes Kornwachstum stattgefunden, obgleich der Druck als regelnder Parameter fehlte, sondern die erzielten Sinterdichten sind vergleichbar mit denjenigen, die durch isostatisches Heißpressen von EuB 6 -Pulver mit Borcarbidzusatz erhalten werden können.
The sintered compacts have a homogeneous microstructure, with a mean grain size of less than about 20 ?m. Only a slight grain growth takes place in the process even though pressure, as a control parameter, is absent. The sintered densities achieved are comparable with those which can be obtained by means of isostatic hot pressing of EuB6 powder with a boron carbide additive.
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Durch bekannte physikalische Verfahren, wie die reaktive Kathodenzerstäubung (sputtern), gelingt es zwar ein extrem feines Mikrogefüge herzustellen, diese Verfahren weisen jedoch eine Vorzugsrichtung für die Beschichtung auf, d.h. man erreicht die Rückseite eines Substrates nur noch unbefriedigend, so daß nur Schichten auf ebenen Unterlagen aufgebracht werden können.
Although it is possible to by known physical methods such as reactive cathode atomization (sputtering) to produce an extremely fine microstructure, these methods have a preferred direction for the coating, i.e., the back side of a substrate is reached only unsatisfactorily, so that layers can be applied only on plane substrates.
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Darüberhinaus zeigen Formkörper, die aus hexagonalem Bornitridpulver, unabhängig von der Art der mitverwendeten Sinterhilfsmittel durch Heißpressen hergestellt worden sind, aufgrund der biaxialen Druckanwendung bei den hohen Temperaturen ein gerichtetes Kornwachstum und damit ein anisotropes Mikrogefüge, sodaß ihre Eigenschaften richtungsabhängig sind.
Regardless of the type of sintering aids used, shaped articles manufactured from hexagonal boron nitride powder by hot-die-pressing exhibit a directional grain growth and an anisotropic microstructure due to the biaxial application of pressure at a high temperature so that the properties of the articles are direction-dependent.
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Die entscheidenden Parameter, die für die Herstellung von BN-Formkörpern mit Hilfe des isostatischen Heißpressvorgangs notwendig sind, um eine Verbesserung der Eigenschaften zu garantieren, nämlich hohe Dichte in Verbindung mit einem vollkommen homogenen, isotropen Mikrogefüge, wurden demnach nicht erkannt.
The critical parameters, which are necessary for manufacturing shaped articles consisting of boron nitride by means of the isostatically hot pressing procedure to obtain improved properties namely, high density combined with a substantially isotropic microstructure, were not noted by the authors of this report.
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Aufgrund der allseitigen Druckanwendung in Verbindung mit der relativ niedrigen Preßtemperatur haben sie auch bei hohem Verdichtungsgrad ein homogenes, isotropes Mikrogefüge, sodaß ihre Eigenschaften nicht mehr richtungsabhängig, sondern in allen Richtungen gleichbleibend sind.
Owing to the multidirectional application of pressure and the relatively low pressing temperature, the articles produced by the present process, even at high degrees of densification, have a homogeneous, isotropic microstructure and their properties are no longer direction-dependent but are substantially equal in all directions.
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Die Sinterkörper haben ein homogenes Mikrogefüge mit mittleren Korngrößen < 10µm, in dem neben der kristallinen Lanthanhexaboridphase Borcarbid und Kohlenstoff als getrennte feinverteilte Phasen nachweisbar sind.
The sintered bodies have a homogeneous microstructure with mean grain sizes<10 ?m, in which, in addition to the crystalline lanthanum hexaboride phase, boron carbide and carbon are detectable as separate, finely divided phases.
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Die so hergestellten Formkörper haben ein praktisch einphasiges Mikrogefüge, da die zusätzlichen Bestandteile im wesentlichen in Form einer festen Lösung im SiC-Gitter vorliegen.
The shaped articles manufactured in that manner have a substantially single-phase microstructure since the additional components are present substantially in the form of a solid solution in the SiC lattice.
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Sie haben ein homogenes Mikrogefüge mit mittleren Korngrößen von < 20µm, in dem neben der kristallinen Phase EuB 6-x C x, worin x Werte von 0 bis 0,25 hat, B 4 C als getrennte, feinverteilte, kristalline Phase nachweisbar ist.
They have a homogeneous microstructure with mean grain sizes of less than 20 ?m, in which, in addition to the crystalline phase EuB6-x Cx, in which x has values of from 0 to 0.25, B4 C can be detected as a separate, finely divided, crystalline phase.
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