Übersetzung für "Laserstrukturierung" in Englisch

Nach dieser Laserstrukturierung wird gemäß Figur 4g das Photoresist PR entfernt.
After this laser patterning, the photoresist PR is removed in accordance with FIG. 4 g.
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Bei der Laserstrukturierung der Polymerschichten müssen große Mengen an Material abgetragen werden.
In the laser structuring of the polymer layers, large amounts of material must be removed.
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Der Bor-dotierte Emitter wird mittels Laserstrukturierung definiert und mit einer Siliziumnitrid-Aluminiumoxid-Doppelschicht optimal passiviert.
The boron-doped emitter is defined with laser structuring and is passivated optimally with an aluminumoxide-siliconnitride double layer.
ParaCrawl v7.1

Der Rohling 10 wird nun durch Laserstrukturierung bearbeitet, siehe Fig. 2 .
The blank 10 is now processed by laser structuring, see FIG. 2 .
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Gleichzeitig wird die infrarotreflektierende Wirkung erniedrigt und der Bearbeitungsaufwand der Laserstrukturierung deutlich erhöht.
At the same time, the infrared reflecting action is reduced and the processing cost of the laser patterning is significantly increased.
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Bei den meisten Verfahren zur Laserstrukturierung ist die Größe des möglichen Bearbeitungsfensters begrenzt.
With most methods of laser patterning, the size of the possible processing window is limited.
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Die Sinteroperation kann vor oder nach der Laserstrukturierung durchgeführt werden.
The sintering operation may be carried out before or after the laser structuring.
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Derartige Linienbreiten sind technisch einfach herzustellen, beispielsweise durch Laserstrukturierung.
Such line widths are technically simple to produce, for example, by laser patterning.
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Aktuell werden besonders Prozesse der Laserstrukturierung für die Solarzellenherstellung und –modifikation untersucht.
Currently laser structuring processes are especially investigated for their potential in solar cell fabrication and –modification.
ParaCrawl v7.1

Eine maskenlose Herstellung von Werkstücken ist in Verbindung mit der Laserstrukturierung möglich.
Production of work pieces without a mask is possible in connection with laser structuring.
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Dabei wird, wie oben beschrieben, vorzugsweise ein MID-Verfahren eingesetzt, beispielsweise eine Laserstrukturierung.
An MID method may be used in this instance, as described above, for example, laser patterning.
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Zur Laserstrukturierung können beispielsweise CO 2 -Laser mit einer Wellenlänge von 10640 nm eingesetzt werden.
For example, CO 2 lasers having a wavelength of 10 640 nm can be used for the laser structuring.
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Es werden (z.B. durch Laserstrukturierung) Löcher oder Schlitze im Wafer erzeugt.
Holes or slits are created in the wafer (e.g. by laser structuring).
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Im Unterschied zum Maskenverfahren wird bei der direkten Laserstrukturierung der Ätzresist direkt mit dem Laser strukturiert.
In contrast to the masking method, in direct laser structuring the etching resist is directly structured with the laser.
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Zu diesem Zweck wurden YAG-Laser für die präzise Laserstrukturierung der Module in Anspruch genommen.
To this end, YAG lasers have been called upon to provide the precise laser scribing of the panels.
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Seit einigen Jahren werden die Coatema Anlagen auch mit Laserstrukturierung ausgestattet oder der Technologie des Nanoimprinten.
Coatema systems can also be equipped with laser structuring or the technology of nanoimprinting.
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All diese Maßnahmen können durch die Anwendung der Laserstrukturierung für die feinen Leiterstrukturen entfallen, wobei gleichzeitig auch eine sehr hohe Ausbeute erzielt wird.
All these measures can be obviated by the application of laser patterning for the fine conductor structures, while at the same time giving a very high yield.
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Für diese Laserstrukturierung wird beispielsweise ein Nd:YAG Laser mit einer Wellenlänge von 1,06 µm oder von 355 nm verwendet.
By way of example, an Nd:YAG laser having a wavelength of 1.06 um or 355 nm is used for this laser patterning.
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Für diese Laserstrukturierung des Ätzresists AR wird ein Nd:YAG Laser mit einer Wellenlänge von 1,06 µm verwendet.
An Nd:YAG laser having a wavelength of 1.06 um is used for this laser patterning of the etching resist AR.
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Durch die dargestellte Form der Elektroden ist insbesondere auch sichergestellt, daß zum Zeitpunkt der Vornahme einer Laserstrukturierung innerhalb des Flächenbereichs, in dem der Sicherungssteg realisiert werden soll, eine möglichst homogene elektrische Feldstärke erzeugt werden kann.
Through the illustrated shape of the electrodes it is in particular also ensured that, at the time of effecting a laser structuring within the surface zone in which the fuse web is to be realised, an electrical field strength can be generated which is as homogenous as possible.
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Um während der Laserstrukturierung ein tropfenartiges Aufschmelzen der Pasten im Stegbereich zu vermeiden, werden die Laserschnitte zweckmäßigerweise in Teilschnitte aufgeteilt, zwischen denen jeweils eine bestimmte Zeit lang abgewartet und der Laser abgeschaltet wird.
In order to avoid droplet-like melting of the paste in the web region during laser structuring, the laser cuts are expediently split-up into partial cuts between which there is in each case a waiting period and the laser is switched off.
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Da dünne Aluminiumoxid- und Siliziumdioxid-Schichten im sichtbaren Bereich transparent sind, kann bei der Verwendung von optisch transparenten Substraten eine Laserstrukturierung von der Rückseite durch das Substrat hindurch erfolgen.
Since thin aluminum oxide and silicon dioxide layers are transparent in the visible range, a laser structuring proceeding from the backside through the substrate may be performed given the employment of optically transparent substrates.
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Beim in den Figuren 7 und 8 gezeigten Ausführungsbeispiel erfolgt ein Abgleich auf einen konstanten Auslösestrom I O, wobei auf die Beziehung EPMATHMARKEREP zugegriffen wird und im Verlauf der durchgeführten Laserstrukturierung auf die zuvor beschriebene Weise der Flächenwiderstand R F bestimmt wird, um aus diesem wiederum einen Zielwiderstand R z für den endgültigen Abgleich zu berechnen.
In the embodiment shown in FIGS. 7 and 8, a setting to a constant trigger current IO takes place with use being made of the relationship ##EQU8## and with the surface resistance RF being determined in the course of the laser structuring which is carried out in the manner previously described, with the target resistance RZ for the final setting being then in turn computed from the surface resistance RF.
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Die Strukturierung der Tastensensoren kann mit den selben Methoden, wie sie bei der Herstellung von a-Silicium-­Dünnfilmschaltungen angewendet werden, also z.B. durch Laserstrukturierung, oder photolithographisch erfolgen.
The key sensors can be structured by the same methods as are used in the fabrication of alpha-silicon thin-film circuits, i.e., for instance, by laser structuring or by photolithography.
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Die Matrize weist vorzugsweise zusätzlich eine raue Oberfläche als Oberflächen-Feinstruktur auf, wobei die Dimensionen der Rauhigkeit der Oberflächen-Feinstruktur kleiner sind als die mittels Laserstrukturierung erzeugten Strukturelemente.
The die preferably additionally has a rough surface as fine surface structure, the dimensions of the roughness of the fine surface structure being smaller than the structure elements produced by means of laser structuring.
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Weiterhin kann die Rauhigkeit im Zuge der Laserstrukturierung direkt auf der Matrize erzeugt werden, indem einem Muster (Raster) aus groben Strukturelementen zusätzlich ein feineres Muster aus feineren Strukturelementen überlagert wird, z.B. ein Störmuster in Form eines amplituden- /höhenmodulierten Rauschens, ein feines, unregelmäßiges Muster oder ein autotypisches oder frequenzmoduliertes Raster, welches feiner ist als die Grobstruktur.
Furthermore, the roughness can be produced in the course of laser structuring directly on the die by additionally superposing a finer pattern of finer structure elements on a pattern (screen) of coarse structure elements, for example an interference pattern in the form of amplitude-/height-modulated noise, a fine, irregular pattern or an autotypical or frequency-modulated screen which is finer than the coarse structure.
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Alternativ hierzu kann auch eine flächig angebrachte Isolationsschicht 17 mittels Laserstrukturierung schrittweise bis auf die Rückseite der Absorberschicht 06 freigelegt werden (schrittweise Laserbohrung von Strukturierungen 75 durch die Isolationsschicht 17, die Kontaktschicht 16 des zweiten Kontaktsystems 13 und die Emitterschicht 07).
As an alternative to this, an insulating layer 17 that has been applied over the entire surface area can also be exposed by means of stepwise laser structuring all the way to the back of the absorber layer 06 (stepwise laser drilling of structures 75 through the insulating layer 17, the contact layer 16 of the second contact system 13 and the emitter layer 07).
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