Übersetzung für "Kristallkeim" in Englisch

Man kann den Rest der Kristallkeim auch unmittelbar nach der Entwässerung zusetzen.
The remainder of the crystal seeds can also be added immediately after the dehydration.
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Damit wird die Abscheiderate von GaN auf dem Kristallkeim aus der Metallschmelze erhöht.
The precipitation rate of GaN on the crystal seed from the fused metal is raised in this manner.
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Während des Kristall-Züchtungsvorgangs wird ein Kristallkeim (nicht abgebildet) am unteren Ende des Drahtzugs festgehalten.
During the crystal growing process, a seed crystal (not shown) is held at the lower end of the pulling wire.
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Daraus wird nach Verdünnen durch Ausrühren mit frisch gefälltem ATH als Kristallkeim das ATH ausgefällt.
After dilution the ATH is precipitated out by stirring with freshly precipitated ATH as seed crystal.
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Der Behälter 36 wird nun aus der Ziehkammer 12 herausgenommen und der Keimhalter mit einem neuen Kristallkeim am Drahtzug 18 befestigt.
The receptacle 36 is removed from the pulling chamber 12 and the seed holder carrying a new seed crystal is attached to the pulling wire 18.
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Der Schmelztiegel wird in eine Drehbewegung versetzt und der Kristallkeim heruntergelassen, bis er das geschmolzene Silicium im Tiegel berührt.
The crucible is rotated and the seed crystal is lowered into contact with the molten silicon in the crucible.
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Liegt der Segregationskoeffizient unter Eins, so bleibt die Verunreinigung im allgemeinen in der Flüssigkeit zurück, während ihr der Kristallkeim das Silicium entzieht.
If the segregation coefficient is less than one, the impurity tends to remain in the liquid as silicon is drawn off by the seed crystal.
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Anschließend läßt man den Schmelztiegel 24 rotieren und senkt den Kristallkeim soweit, bis er mit der Siliciumschmelze 25 in dem Schmelztiegel in Berührung kommt.
The crucible 24 is rotated and the seed crystal is lowered into contact with the silicon melt 25 in the crucible.
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Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein thermoschockresistenter Kristallkeim mit einer Versetzungsdichte von etwa 10.000 - 100.000 Versetzungen/cm 2 verwendet wird.
The method of claim 9, comprising using a crystal nucleus having a dislocation density of about 10,000-100,000 dislocations/cm 2 .
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Einkristall-Silizium, das Ausgangsmaterial für die meisten Halbleiterherstellungsverfahren, wird meistens nach der CZOCHRALSKI-Methode hergestellt, wo ein einzelner Kristallkeim in geschmolzenes Silizium getaucht und langsam wieder herausgezogen wird.
Single-crystal silicon, the starting material for most semiconductor fabrication processes, is most commonly prepared by the Czochralski method wherein a single seed crystal is dipped into molten silicon and slowly withdrawn.
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Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wurde nun gefunden, dass sich hochhomogene, laserstabile und streuungsfreie bzw. streuungsarme großvolumige Kristalle dadurch herstellen lassen, dass Kristallmaterial nicht direkt aus der Dampfphase auf einen gekühlten Kristallkeim abgeschieden wird, sondern dass sich großvolumige Kristalle auch mit den klassischen GSM-Verfahren (Gradient Solidification Method) in bislang nicht erreichbarer Qualität und Ausbeute herstellen lassen, wenn das CaF 2 -Material zuvor bei einer Temperatur von mindestens 1200°C im Vakuum bei einem Druck von höchsten 5*10 -4 ppm verdampft und bei einer Temperatur von mindestens 500°C kondensiert wird.
With the method according to the invention it was found that highly uniform, laser-stable and scattering-free or low scattering large-volume crystals may be made, that the crystalline material is not directly deposited from the vapor phase on the cooled crystal seed, but that the large-volume crystals may be made in a yield with quality that has not been possible to attain up to the present invention, even with the classical GSM method (gradient solidification method), when the CaF 2 material is evaporated at a temperature of at least 1200° C. in vacuum at a pressure of at most 5*10 ?4 mbar and condensed at a temperature of at least 500° C.
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Werden nun an den übereinander angeordneten Heizmänteln Temperaturen angelegt, die für den oberen Mantel oberhalb der Schmelztemperatur und für den unten liegenden Mantel unterhalb der Schmelztemperatur liegen und der Tiegel langsam aus dem oberen Heizmantel in den unteren abgesenkt wird, so kühlt sich die Schmelze im Tiegel allmählich ab und ausgehend vom Kristallkeim wächst erstarrt die Schmelze unter Ausbildung eines Einkristalls.
If the temperatures in the heating jackets arranged above each other are set so that the temperature in the upper jacket is above the melting temperature and the temperature in the lower jacket is below the melting temperature and the melt vessel is slowly lowered from the upper heating jacket into the lower heating jacket, the melt in the melt vessel solidifies starting to grow from a crystal seed, thus forming a single crystal.
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Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Kristallschichten oder Volumenkristallen aus Gruppe-III-Nitrid oder aus Mischungen verschiedener Gruppe-III-Nitride durch Abscheidung aus einer Gruppe-III-haltigen Metallschmelze bei einer ersten Temperatur in einem ersten Temperaturbereich, auf einem in die Metallschmelze eingebrachten Gruppe-III-Nitrid Kristallkeim oder auf einem Fremdsubstrat, mit einem Stickstoffeintrag in die Metallschmelze bei einem Druck P, zeichnet sich dadurch aus, dass der Metallschmelze ein Lösungsmittelzusatz, der den Umsatz von Gruppe III Metall zu Gruppe III Nitrid in der Metallschmelze erhöht, zugegeben wird.
The invented method of producing crystal layers or bulk crystals of the group III nitride or of mixtures of different group III nitrides by means of precipitation from group-III-containing fused metals at a first temperature in a first temperature range on a group III nitride crystal seed placed into the fused metal or on a foreign substrate, with an admixture of nitrogen in the fused metal at a pressure P, is distinguished in that added to the fused metal is a solvent additive that increases the conversion rate of group III metal to group III nitride in the fused metal.
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