Übersetzung für "Kapazitätsbelag" in Englisch

Der Kapazitätsbelag wird im wesentlichen durch die Gateoxiddicke eingestellt.
The capacitance per unit length is essentially set by the gate oxide thickness.
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Ferner lassen sich räumlich begrenzte PN-Übergänge herstellen, die einen geringen Kapazitätsbelag aufweisen.
Furthermore, spatially bounded pn junctions can be manufactured with a low capacitance value.
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Diese Kabeltabelle wird um den Kapazitätsbelag ergänzt.
This cable table has the capacitance data added to it.
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Auf diese Weise ist es möglich, den Kapazitätsbelag auf einfache Weise zu reduzieren.
In this way, it is possible to reduce the capacitance per unit length in a simple fashion.
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Er ist flächenhaft ausgebildet und besitzt in Ausbreitungsrichtung des Wellenfeldes ein Widerstandsprofil dR/dz, welches den durch den HF-Absorber 5 auf dem Leitungsabschluss 7 zusätzlich hervorgerufenen Kapazitätsbelag lokal kompensiert.
It is constructed as an area and has a resistance contour dR/dz, in the direction of propagation of the wave field, which locally compensates for the capacitance loading additionally produced at the line termination 7 by the RF absorber 5.
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Der Leitungsabschluss 7 ist schliesslich so ausgebildet, dass ein durch dene HF-Absorber 5 und die HF-­Spitzenabsorber 6 auf dem Innenleiter 4 zusätzlich hervorgerufener Kapazitätsbelag lokal kompensiert wird.
Finally, the line termination 7 is constructed in such a manner that a capacitance loading additionally produced at the inner conductor 4 by the RF absorber 5 and the RF point absorber 6 is locally compensated.
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Er ist flächenhaft und besitzt in Ausbreitungsrichtung des Wellenfeldes ein Widerstandsprofil dR/dz, welches den durch den Absorberwand 5 auf dem Leitungsabschluss 7 zusätzlich hervorgerufenen Kapazitätsbelag lokal kompensiert.
It is planar and has in the direction of propagation of the wave field a resistance characteristic dR/dz which locally compensates the capacitance loading additionally caused on the line termination 7 by the absorber wall 5.
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Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Teilleiter (6.1, 6.2, 6.3) zu den Abschlusswiderständen (8.1, 8.2, 8.3) hin spitz zulaufen und dass die Verjüngung ihrer Breite derart vorgenommen ist, dass der in der Absorberwand (7) zu den Abschlusswiderständen hin zunehmende Kapazitätsbelag in seiner Auswirkung auf den Wellenwiderstand bzw. Teilwellenwiderstand gerade kompensiert wird.
The device as claimed in claim 2, wherein the partial lines (6.1, 6.2, 6.3) taper acutely towards the terminal resistors (8.1, 8.2, 8.3), and wherein the taper of their width is dimensioned such that the capacitive covering, which increases in the absorber wall (7) towards the terminal resistors, is just compensated in its effect on the characteristic impedance or partial characteristic impedance.
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Induktivitätsbelag L' und Kapazitätsbelag C' sind weniger, Widerstandsbelag R' (Skineffekt) und Ableitungssbelag G' sind stärker frequenzabhängig.
Inductivity per unit length L' and capacitance per unit length C' are less frequency dependent, while resistance per unit length R' (skineffect) and conductance per unit length G' are more frequency dependent.
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Das Integral in dieser Gleichung stellt den Beitrag über C FG dar, der sich aus der Integration über den Kapazitätsbelag C' FG (y) des Kanalbereichs und das Kanalpotential V(y) des Neuron-MOSEFTs T10 ergibt.
The integral in this equation represents the contribution via CFG which results from the integration over the capacitance per unit length C'FG (y) of the channel region and the channel potential V(y) of the neuron MOSFET T10.
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Als Leitungsabschluß zur Absorption der leitergebundenen Energie ist ein ohmscher Widerstand vorgesehen, welcher eine graduelle, serielle Bedämpfung des Innenleiters bewirkt und einen durch HF-Absorber zur Absorption von feldgebundener Energie zusätzlich hervorgerufenen Kapazitätsbelag lokal kompensiert.
Provided as line termination for the purpose of absorbing conductor-bound energy is an ohmic resistance which effects a gradual, serial damping of the inner conductor and locally compensates a capacitance per unit length additionally caused by RF absorbers for absorbing field-bound energy.
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Da der kapazitive Einfluß auf die Widerstandslast minimiert wurde, kann die bei einer Standard-TEM-Wellenleiteranordnung (10) verwendete Längsanpasssung der Widerstandslast an den Kapazitätsbelag der Hochfrequenzabsorber (6, 7) vernachlässigt werden.
Since the capacitive influence on the resistive load has been minimized, it is possible to neglect longitudinal matching of the resistive load to the capacitance per unit length of the radio-frequency absorbers (6, 7) which is used in the case of a standard TEM waveguide arrangement (10).
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Ferner bewirkt der große Kapazitätsbelag einen hohen Imaginärteil und bewirkt in Zusammenhang mit dem niedrigen Induktivitätswert, daß sich die Resonanzfrequenz des Serienschwingkreises nur schwer auf die Trägerfrequenz abstimmen läßt.
Moreover, the large capacitance value gives rise to a high imaginary part and, in conjunction with the low inductance value, makes it difficult for the resonant frequency of the series resonant circuit to be tuned to the carrier frequency.
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Wegen der hohen Anzahl von Speicherzellen Z, die mit den Bitleitungen BL und BLB verbunden sind, weisen diese Bitleitungen BL und BLB einen hohen Kapazitätsbelag C BL auf.
Owing to the high number of memory cells Z connected to the bit lines BL and BLB, the bit lines BL and BLB have a high capacitance C BL per unit length.
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Dabei ist die Verjüngung ihrer Breite jeweils so vorgenommen, dass der durch die Absorber 7.1 bedingte und durch ihre Spitzen - bzw. Pyramidenform zu den Abschlusswiderständen hin in der Absorberwand 7 zunehmende Kapazitätsbelag in seinem Einfluss auf den Wellenwiderstand bzw. Teilwellenwiderstand grade kompensiert wird.
In this connection, the taper of their width is provided in each instance in such a manner that the capacitive covering which is caused by the absorbers 7.1 and which increases towards the terminal resistors in the absorber wall 7 as a result of their peaks or pyramid shape is compensated in its effect on the characteristic impedance or partial characteristic impedance.
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Die Erfindung betrifft eine RC-Leitung als Dreischicht­struktur auf einem Halbleitergrundkörper, bestehend aus zwei leitenden Polysilizium-Schichten, wobei zwischen diesen beiden Schichten eine Oxidschicht angeordnet ist und eine der Polysilizium-Schichten den ohmschen Wider­stand und zugleich den ersten Kapazitätsbelag bildet und die andere Polysilizium-Schicht den zweiten Kapazitäts­belag realisiert, wobei die Oxidschicht das Dielektrikum darstellt.
BACKGROUND OF THE INVENTION The invention relates to an RC line as a three-layer structure on a semiconductor substrate consisting of two conductive polysilicon layers and an oxide layer arranged between these two layers, one of the polysilicon layers constituting the ohmic resistor and simultaneously the first capacitor plate, the other polysilicon layer forming the second capacitor plate, and the oxide layer being the dielectric.
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Die Polysilizium-Schicht 3 bildet den zweiten Kapa­ zitätsbelag der Kapazität C, die den Widerstand R bil­dende Polysilizium- Schicht 4 realisiert dessen ersten Kapazitätsbelag und die Oxid-Schicht 5 dessen Dielektri­kum.
The polysilicon layer 3 forms the second capacitor plate of capacitor C, the polysilicon layer 4 forming resistor R constitutes its first capacitor plate and the oxide layer 5 its dielectric.
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Diese Aufgabe wird bei einer RC-Leitung der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß sowohl die Polysilizium-Schichten als auch die dazwi­schenliegende Oxidschicht leiterbahnartig strukturiert ist, in der Weise, daß sowohl die den ersten Kapazitäts­belag bildende Widerstandsbahn als auch die den zweiten Kapazitätsbelag bzw. die das Dielektrikum bildenden Bah­nen in flächensparender Weise parallel zur Ebene des Halbleitergrundkörpers gefaltet oder gerollt sind und die Schichten der Bahnen kongruent übereinander liegen.
This object is achieived in an RC line of the kind described at the beginning, in accordance with the invention, by both the polysilicon layers and the oxide layer located between these being of strip-path-type structure, by both the resistance path forming the first capacitor plate and the paths forming the second capacitor plate and the dielectric, respectively, being folded or rolled in a space-saving manner parallel to the plane of the semiconductor substrate, and by the layers of the paths lying in congruent superimposed relation to one another.
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In den Ausführungsbeispielen der ersten Figurengruppe übernimmt die Polysilizium-­Schicht 4 die Funktion des Widerstandes R als Wider­standsbahn, und gleichzeitig die des ersten Kapazitäts­belages der Kapazität C und die Polysilizium-Schicht 3 stellt dessen zweiten Kapazitätsbelag dar.
In the embodiments of the first group of Figures, the polysilicon layer 4 assumes the function of resistor R as resistance path and simultaneously that of the first capacitor plate of capacitor C, and the polysilicon layer 3 constitutes its second capacitor plate.
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Figur 2a zeigt in einer perspektivischen Teilansicht ein Ausführungsbeispiel, dessen zweite Kapazitätsbelag bil­dende Bahn der Polysilizium-Schicht 3 an den Ecken 7 des Mäanders durch die Oxidschichten 5 und 10 an drei Stel­len mit Kontakten 6 aus Aluminium versehen sind.
FIG. 2a shows, in a perspective partial view, an embodiment whose path of the polysilicon layer 3 forming the second capacitor plate is provided by means of the oxide layers 5 and 10 with aluminum contacts 6 at three points at the corners 7 of the meander.
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Bei einer weiteren in den Figuren 5a und 5b dargestell­ten bevorzugten Ausgestaltungsform wird die den zweiten Kapazitätsbelag bildende Bahn der Polysilizium-Schicht 4 an den Ecken 7 mit drei Metallkontakten 6 aus Aluminium versehen.
In a further preferred embodiment illustrated in FIGS. 5a and 5b, the path of the polysilicon layer 4 forming the second capacitor plate is provided at the corners 7 with three metal contacts 6 consisting of aluminum.
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Als weitere Ursache wird der Kapazitätsbelag des Datenübertragungskanals genannt, der zu einer Stromteilung führt, so daß nur ein Bruchteil des von den Slaves erzeugten Stromhubs beim Master (Zentrale) ankommt.
As another cause, the capacitance per unit length for the data transfer channel is mentioned, which leads to a power division so that only a fraction of the rise in power generated by the slaves arrives at the master (control centre).
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Vielmehr ist das gerade Stück der Spule 2, das vom Anschlußpunkt 13 bis zur Platte 4 reicht, mit einem Induktivitäts- und einem Kapazitätsbelag behaftet, der einen hochfrequenzmäßigen Kurz­schluß verhindert.
On the contrary, the straight piece of the coil 2 which extends from the connection point 13 to the plate 4 is affected by a distributed inductance and a distributed capacitance which prevents short circuiting in terms of high-frequency.
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Der Leitungsabschluss (7) ist als ein ohmscher Widerstand ausgebildet, welcher eine graduelle, serielle Bedämpfung des Innenleiters (4) bewirkt und einen durch die HF-Absorber auf dem Leitungsabschluss (7) zusätzlich hervorgerufenen Kapazitätsbelag lokal kompensiert.
The line termination (7) is constructed as an ohmic resistance which produces a gradual, serial damping on the inner conductor (4) and locally compensates for a capacitance loading additionally produced at the line termination (7) by the RF absorbers.
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Je länger die Motorleitung ist, desto höher ist auch der Kapazitätsbelag – und somit die zu erwartende Flankensteilheit am Motor.
The longer the motor cable the higher the capacitance per unit length – and therefore the higher the expected edge steepness at the motor.
ParaCrawl v7.1
Zusätzlich reduziert der du/dt-Filter beim Einsatz von langen Motorleitungen die kapazitiven Ladestromspitzen, die aus dem Kapazitätsbelag der Motorzuleitung resultieren.
In addition, the du / dt filter reduces the capacitive charging current peaks when using long motor cables, which results from the capacitance of the motor supply line.
ParaCrawl v7.1
Bei Verwendung von Folienleitern (vgl. Figuren 3 bis 6) ist der Kapazitätsbelag sehr definiert und die dielektrischen Verluste sehr gering.
When using film conductors (cf. FIGS. 3 and 6), the capacitance distribution is very defined and the dielectric losses are very minimal.
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Dies ist mit verdrillten Leitungen, die üblicherweise in Hörgeräten eingesetzt werden, sehr schwierig, da deren Kapazitätsbelag und Schirmwirkung stark schwanken.
This is very difficult with twisted lines, which are usually used in hearing devices, since their capacitance distribution and shielding effect fluctuate significantly.
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