Übersetzung für "Hochdotiert" in Englisch

Die Kathodenschichten sind hochdotiert und wirken als n?-Emmitter.
The cathode layers are highly doped and act as n+ emitters.
EuroPat v2
Alternativ enthalten die Elektrodenbereiche beispielsweise polykristallines Silizium, das hochdotiert ist.
As an alternative, the electrode regions contain polycrystalline silicon, for example, which is highly doped.
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Die p-dotierte zweite Zone 5 ist jedoch hochdotiert, ebenso wie die Unterseite 2 des Substrats.
However, the p-doped second zone 5 is highly doped, as is the underside 2 of the substrate.
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Anschließend wird das Substrat 2 von der Oberseite her mit einer eine P +- Leitfähigkeit vermittelnden Verunreinigung hochdotiert.
Subsequently, substrate 2 is highly doped from the upper side with an impurity producing P+ -conductivity.
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Zur Herstellung der Lochmaske wird das Siliciumplättchen einseitig mit Bor hochdotiert, so dass an der einen Oberfläche eine dünne Schicht aus P +- Silicium entsteht.
For making the hole mask, the silicon is highly doped with boron on one side so that a thin P+silicon layer is formed on the one surface.
EuroPat v2
Dadurch, dass nur die Siliziumbereiche der Finger 5 hochdotiert bzw. elektrisch gut leitend sind, ist sichergestellt, dass zwischen den Leiterzügen 4 des Bauteils 2, welches mit den Kontaktfingern 5 versehen ist, keine Kurzschlüsse möglich sind.
Owing to the fact that only the silicon areas of fingers 5 are highly doped, or well-conductive electrically, respectively, it is made sure that there can be no shorts between conductor lines 4 of component 2 fitted with contact fingers 5.
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Anschliessend wird die der Rückseite abgewandte Oberfläche (im folgenden Vorderseite genannt) des Siliciumkörpers 30 mit einer eine P +- Leitfähigkeit vermittelnden Verunreinigung hochdotiert, wobei die Schicht 32 sich bildet.
Subsequently, the surface facing away from the back (hereinafter referred to as the front) of silicon wafer 30 is highly doped with an impurity giving rise to a P+ conductivity, so that layer 31 is formed.
EuroPat v2
Darüber wird die dünne Keimbildungsschicht (20), die vorzugsweise 4 µm dick, p-leitend und hochdotiert ist, ausgebildet.
The thin nucleation film (20), which is preferably 4 ?m thick, p-conducting and highly doped, is formed above this.
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Zur kapazitiven Erfassung der Deformation der membranartigen Polysiliziumschicht 4 kann diese durch Implantation im Bereich eines Membrangebietes 6 hochdotiert werden, wodurch eine Gegenelektrode zu der durch das Substrat 1 gebildeten Elektrode erzeugt wird, wie dies insbesondere in Fig.
For capacitively detecting the deformation of the diaphragm-like polysilicon film 4, the polysilicon film 4 can be doped heavily by implantation in the area of a diaphragm region 6, whereby a counterelectrode to the electrode formed by the substrate 1 is produced, as will especially be evident from FIG.
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Das p-dotierte Substrat 2 ist auf seiner Unterseite zur Herabsetzung des Kontaktwiderstandes hochdotiert (p +).
A p-type substrate 2 is heavily doped (p+) at its bottom side to reduce the contact resistance.
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Die Implantation hat die Wirkung, daß in dem Randbereich der Öffnung, der unter dem Beschuß der Bor-Ionen liegt, eine begrenzte Zone der niedrigdotierten p-leitenden Schichten 4 und 6 hochdotiert werden, wobei die Dotierung der Dotierung der übrigen p + -Polysiliziumschichten entspricht.
The effect of the implantation is that the peripheral region of the opening that lies under the bombardment of the boron ions has a limited highly doped zone located in the low-doped p-conductive layers 4 and 6. This high doping is equivalent to the doping of the remaining p+
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Die Oberseite des Halbleiterfilms (60) kann in Form einer Schicht (70) hochdotiert werden (z. B. bei p-Grunddotierung des Halbleiters wird eine n + Schicht erzeugt, Homo-pn-Übergang) oder die Schicht (70) besteht aus einem anderen Halbleiter zur Erzeugung einer Heterostruktur.
The upper side of the semiconductor film (60) can be highly doped in the form of a layer (70) (for example with p-doping of the semiconductor base layer an n++ layer is generated, thereby forming a homo-pn-junction), or the layer (70) comprises another semiconductor for generation of a hetero-structure.
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Diese zweite Schicht kann aus einem Isoliermaterial, aus polykristallinem Silicium oder dergleichen bestehen und ist hochdotiert mit einem P+ Dotiermittel, z.B in diesem Beispielsfall mit Bor.
The second layer is composed of a material which may be an insulator, polycrystalline silicon, or the like, and highly doped with a P+ dopant such as boron in this example.
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Anschließend wird die der Rückseite abgewandte Oberfläche (im folgenden Vorderseite genannt) des Siliciumplättchens 30 mit einer eine P +- Leitfähigkeit vermittelnden Verunreinigung hochdotiert, wobei die Schicht 31 sich bildet.
Subsequently, the surface facing away from the back (hereinafter referred to as the front) of silicon wafer 30 is highly doped with an impurity giving rise to a P+ conductivity, so that layer 31 is formed.
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Um zu vermeiden, daß bei sehr tiefen Temperaturen die Widerstände so hoch anwachsen, daß sie nicht mehr mit genügender Genauigkeit gemessen werden können, werden die verwendeten Halbleiter hochdotiert, wodurch ihr Widerstand abgesenkt wird.
So as to avoid that the resistances, at very low temperatures, increase to such a degree that they can no longer be measured with sufficient accuracy, the semiconductors used are heavily doped thereby decreasing their resistance.
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Die Tunnelschichten können jeweils hochdotiert ausgeführt sein und insbesondere eine Dotierkonzentration von mindestens 1 * 10 19 cm -3, weitergehend von mindestens 1 * 10 20 cm -3 aufweisen.
The tunnel layers may in each case be highly doped and in particular have a doping concentration of at least 1*10 19 cm ?3, further of at least 1*10 20 cm ?3 .
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Die Tunnelschichten 241, 242, 251, 252 können jeweils hochdotiert ausgeführt sein, etwa mit einer Dotierkonzentration von mindestens 1 * 10 19 cm -3, insbesondere mindestens 1 * 10 20 cm -1 .
The tunnel layers 241, 242, 251, 252 may in each case be highly doped, for instance with a doping concentration of at least 1*10 19 cm ?3, in particular at least 1*10 20 cm ?3 .
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Der Tunnelbereich ist vorzugsweise mittels zweier Halbleiterschichten gebildet, die jeweils mit zueinander entgegengesetztem Vorzeichen hochdotiert ausgeführt sind.
The tunnel zone is preferably formed by means of two semiconductor layers, which are in each case highly doped with mutually opposing signs.
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Vorzugsweise sind diese beiden Halbleiterschichten 5, 6 hochdotiert ausgeführt, so dass im Betrieb ein effizienter Tunnelübergang mit einem geringen elektrischen Übergangswiderstand entsteht.
These two semiconductor layers 5, 6 are preferably embodied in highly doped fashion, thus giving rise to an efficient tunnel junction having a low electrical junction resistance during operation.
EuroPat v2
Die Source- und Drainbereiche 258a, 258b sind hochdotiert und erstrecken sich darüber hinaus bis zu der Hauptseite des Substrats 210, von der aus sich die Kontaktbereiche ins Innere des Substrats erstrecken.
The source and drain areas 258 a, 258 b are heavily doped and extend beyond the same up to the main side of the substrate 210, from which the contact areas extend into the interior of the substrate.
EuroPat v2
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform können diese Dotiergase in der Konzentration von 0,1 bis 5 %, also hochdotiert, dem Schutzgas zugegeben sein.
In another preferred embodiment, these doping gases can be added in a concentration of from 0.1 to 5%, resulting in a highly doped shielding gas.
EuroPat v2
Der Lösch-Kontakt ist dagegen vorzugsweise in dem Halbleitersubstrat auf dessen Vorderseite angeordnet und entsprechend dem ersten Dotierungstyp hochdotiert, wobei es sich vorzugsweise um eine n + -Dotierung handelt.
On the other hand, the clear contact is preferably arranged in the semiconductor substrate on its front side and highly doped in accordance with the first doping type, which is preferably an n ? -doping.
EuroPat v2
Dieser wirklich fesche, aber offenbar gern auch geile Typ wurde vom Vizekanzler zum Staatssekretär für Integration gemacht und sitzt seit wenigen Monaten hochdotiert im österreichischen Innenministerium.
This quite good-looking but also wannabe sexy guy was made State Secretary for Integration by the Vice Chancellor and has for a few months now been sitting in the Austrian Home Office holding a highly paid job.
ParaCrawl v7.1
Die Oberseite des Halbleiterfilms (60) kann in Form einer Schicht (70) hochdotiert werden (z. B. bei p-Grunddotierung des Halbleiters wird eine n?Schicht erzeugt, Homo-pn-Übergang) oder die Schicht (70) besteht aus einem anderen Halbleiter zur Erzeugung einer Heterostruktur.
The upper side of the semiconductor film (60) can be highly doped in the form of a layer (70) (for example with p-doping of the semiconductor base layer an n++ layer is generated, thereby forming a homo-pn-junction), or the layer (70) comprises another semiconductor for generation of a hetero-structure.
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