Übersetzung für "Halbleiterkristall" in Englisch

Diese Reaktanzschaltung kann vorzugsweise mit den übrigen Schaltungsteilen auf einem Halbleiterkristall integriert sein.
This reactance circuit may be preferably integrated on a semiconductor crystal, together with the other circuit components.
EuroPat v2
Vorteilhaft werden allgemein für die Erfindung LED als Lichtquellen eingesetzt mit einem Halbleiterkristall.
LEDs may be advantageously generally used for the disclosed embodiments as light sources with a semiconductor crystal.
EuroPat v2
Ein großer, dreidimensionaler Halbleiterkristall besitzt eine Energielücke.
A large, three-dimensional semiconductor crystal has an energy gap.
EuroPat v2
Der Halbleiterkristall 100 wird beispielsweise als Halbleiterscheibe bzw. wafer bereitgestellt.
The semiconductor crystal 100 is provided as a semiconductor wafer, for example.
EuroPat v2
Dazu wird der Halbleiterkristall 100 einer Laserstrahlung 106 ausgesetzt.
For this purpose, the semiconductor crystal 100 is exposed to a laser radiation 106 .
EuroPat v2
Ultrakurze Terahertz-Impulse regen Zwei-Quanten-Oszillationen von Atomen in einem Halbleiterkristall an.
Two-quantum oscillations of atoms in a semiconductor crystal are excited by ultrashort terahertz pulses.
ParaCrawl v7.1
Ein derartiger Halbleiterkristall wird durch eine Vielzahl von parallelen Sägeschnitten in derartige Substratscheiben zerteilt.
Such a semiconductor crystal is divided into such substrate wafers by a plurality of parallel saw cuts.
EuroPat v2
Sie berechneten, wie sich die Elektronen im Atom und in dem Halbleiterkristall ausbreiten.
The DIPC worked out how the electrons moved, both within the atom and in the semiconductor crystal.
ParaCrawl v7.1
Dadurch wird der Halbleiterkristall beim Einlöten des Bauteils in eine Leiterplatte nicht durch Überhitzung zerstört.
As a result, the semiconductor crystal is not destroyed by overheating when the component is soldered into a printed circuit board.
EuroPat v2
Je schneller sich die Atome im Halbleiterkristall bewegen, desto öfter wird ein Elektron frei.
The faster the atoms move in the semiconductor crystal, the more frequently an electron is set free.
EuroPat v2
Der Halbleiterkristall vieler Leuchtdioden ist auf den Boden einer kegelförmigen Vertiefung in einem Metallhalter gelötet.
The semiconductor crystal of many light-emitting diodes is soldered onto the bottom of a conical depression in a metal holder.
EuroPat v2
Die Lichterzeugung in der LED-Handlampe erfolgt im LED direkt durch Bahnwechsel von Elektronen in einem Halbleiterkristall.
Light generation in a LED hand lamp takes place in the LED directly by changing the path of the electrons in a semiconductor crystal.
EuroPat v2
Bipolartransistoren sind im allgemeinen aus zwei nahe beieinander liegenden pn-Ubergängen in einem Halbleiterkristall aufgebaut.
Bipolar transistors are generally constructed from two pn junctions disposed close to one another in a semiconductor crystal.
EuroPat v2
Die Laserstrahlung 106 wird rasterartig über der gesamten Oberfläche 102 in den Halbleiterkristall 100 eingebracht.
The laser radiation 106 is introduced into the semiconductor crystal 100 in a raster-like fashion over the entire surface 102 .
EuroPat v2
Beispielsweise wird der Halbleiterkristall 100 in ein Säurebad getunkt oder mit einer Ätzlösung umspült.
By way of example, the semiconductor crystal 100 is dipped into an acid bath or washed round with an etching solution.
EuroPat v2
Die Erfindung betrifft eine monolithisch integrierte Halbleiterschaltung mit mindestens einem Lateraltransistor, dessen den einen Leitfähigkeitstyp aufweisende Basiszone durch einen über eine Gleichspannung in Sperrichtung vorgespannten pn-Übergang gegen ihre den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp aufweisende Umgebung im Halbleiterkristall abgegrenzt ist.
The invention relates to a monolithically integrated semiconductor circuit with at least one lateral transistor whose base zone exhibiting one conductivity type is delimited from its environment in the semiconductor crystal exhibiting the opposite conductivity type by means of a pn junction in the non-conducting direction via a d.c. voltage.
EuroPat v2
Ein getakteter Substratvorspannungserzeuger SE, bei dem ein Oszillator 0 als Taktgeber vorgesehen ist, ist aus der DE-OS 28 12 378 (Titel:"Halbleiterschaltung mit mindestens zwei in einem Halbleiterkristall vereinigten Feldeffekttransistoren" (VPA 78 P 1043)) beschrieben.
A pulsed substrate bias potential generator SE with an oscillator O provided in the form of a clock pulse generator, is described in German Published, Non-Prosecuted Application DE-OS No. 28 12 378 entitled "Semiconductor circuit with at least two field-effect transistors which are united in a semiconductor crystal".
EuroPat v2
Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkristall mit einer Geschwindigkeit im Bereich zwischen etwa 1 bis 10 U/min gedreht wird.
Method according to claim 21, wherein the semiconductor crystal is rotated at a speed in the range between about 1 and 10 rpm.
EuroPat v2
Es ist des öfteren auch vorteilhaft, daß die erste Implantation in den Halbleitereinkristall oder aber in eine auf den zu implantierenden Bereichen abgescheidene Oxidschicht mit nachfolgender Diffusion der implantierten Ionen in den Halbleiterkristall erfolgt.
It frequently is also advantageous if the first implantation is made into the semiconductor single crystal, or into an oxide layer deposited on the zones to be implanted with subsequent diffusion on the implanted ions into the semiconductor crystal.
EuroPat v2
Da die Selbstkompensation lediglich durch den Gleichlauf technologiebedingter Herstellungsparameter auf dem jeweiligen Halbleiterkristall gesteuert wird, werden auch nichtlineare Effekte dieser Parameter weitgehend kompensiert.
Since the automatic compensation is only controlled by the tracking of technological manufacturing parameters on the respective semiconductor chips, non-linear effects of these parameters are also largely compensated for.
EuroPat v2
Wichtig für die Erfindung ist, daß eine Differenz in den linearen Ausdehnungskoeffizienten von Halbleitersub-­ strat und Chippage-Stopper-Rahmen 1 dahingehend ausgenutzt wird, daß durch Variation von Temperatur und physikali­schen oder chemischen Vorgängen im Halbleiterkristall im Sägebereich 7 ein symmetrisches Zugspannungsfeld entsteht.
What is important for the invention is that there is a difference in the linear coefficients of expansion of the semiconductor substrate and the chippage stopper border 1 which is exploited to the effect that a symmetrical tensile stress distribution arises in the sawing region 7 due to variations in temperature and physical or chemical occurrences in the semiconductor crystal.
EuroPat v2
Es ist klar, daß die zugehörigen Ströme zu lokalen Zerstörungen im Halbleiterkristall führen, wenn sie nicht über leistungsfähige Mittel am Anschlußkontakt abgeleitet werden.
It is obvious that the associate currents will cause local destruction in the semiconductor chip unless they are drained away via an efficient means at the connecting contact.
EuroPat v2
Der Vorteil der Erfindung ist darin zu sehen, daß Schieberegister und Summierschaltung im Vergleich zu der eingangs genannten bekannten Anordnung mit wesentlich weniger Einzelbauelementen auskommen, so daß sich der bei integrierter Realisierung erforderliche Platz auf dem Halbleiterkristall in Grenzen hält und bei vorgegebener Kristallfläche weitere Funktionen eines Fernsehgerätes darauf untergebracht werden können.
The advantage of the invention resides in that both the shift register and the summing (integrating) circuit, compared with the aforementioned conventional arrangement, do with a substantially smaller amount of individual components, so that the space required on the semiconductor crystal in the case of an integrated form of realization, remains within certain limits and, at a certain crystal area, further functions of a television receiver may be accommodated thereon.
EuroPat v2
Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß der Abgleich der erforderlichen Kondensatoren oder der entsprechenden Widerstände bei monolithischer Integration der Generatorschaltung auf dem Halbleiterkristall vorgenommen werden kann ohne daß entsprechende externe Bauelemente anzuschließen sind, oder daß der Abgleich elektronisch durch eine entsprechende Reaktanzschaltung durchführbar ist.
A further advantage is that balancing of the necessary capacitors or of the corresponding resistors for a monolithic integrated generator circuit can be carried out on the semiconductor crystal without any corresponding external components, or that balancing can be carried out electronically with the aid of a corresponding reactance circuit.
EuroPat v2
Die Erfindung betrifft eine monolithisch integrierte Halbleiterschaltung mit mindestens einem Lateraltransistor, dessen den einen Leitfähigkeitstyp aufweisende Basiszone durch einen über eine Gleichspannung in Sperrrichtung vorgespannten pn-Übergang gegen ihre den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp aufweisende Umgebung im Halbleiterkristall abgegrenzt ist.
The invention relates to a monolithically integrated semiconductor circuit with at least one lateral transistor whose base zone exhibiting one conductivity type is delimited from its environment in the semiconductor crystal exhibiting the opposite conductivity type by means of a pn junction in the non-conducting direction via a d.c. voltage.
EuroPat v2