Übersetzung für "Bewertungsgrenze" in Englisch
Ein
Absenken
der
Bewertungsgrenze
ergibt
sich
durch
Anlegen
eines
negativeren
Potentials
an
den
X-Anschluß.
A
lowering
of
the
evaluating
limit
results
from
the
application
of
a
more
negative
potential
to
the
X
terminal.
EuroPat v2
Dies
wird
durch
eine
besondere
Beschaltung
der
Referenzzelle
mit
anderen
Potentialen
als
den
die
Speicherzellen
M
erreichenden
Potentialen
erreicht,
wobei
eine
Schwellenspannung
simuliert
wird,
die
als
Bewertungsgrenze
ausgenutzt
wird.
This
is
accomplished
by
applying
to
the
reference
cell
potentials
other
than
the
potentials
reaching
the
storage
cells
M,
in
the
course
of
which
a
threshold
voltage
is
simulated
which
is
utilized
as
an
evaluating
limit.
EuroPat v2
Wird
beispielsweise
an
den
P-Anschluß
einer
N-Kanal-Referenzzelle
ein
positiveres
Potential
angelegt,
so
wird
eine
Absenkung
der
Bewertungsgrenze
durch
die
scheinbare
Verschiebung
der
Schwellspannung
U
d
auf
negativere
Werte
erreicht
und
umgekehrt
bei
Anlegen
eines
negativeren
Signals.
If,
for
example,
to
the
P-terminal
of
an
n-channel
reference
cell,
there
is
applied
a
more
positive
potential,
there
is
achieved
a
lowering
of
the
evaluation
limit,
owing
to
the
apparent
displacement
of
the
threshold
voltage
Ud
toward
more
negative
values,
and
vice
versa
upon
application
of
a
more
negative
signal.
EuroPat v2
Ferner
wird
durch
Anlegen
eines
positiveren
Potentials
an
den
X-Anschluß
der
Referenzzelle
eine
Erhöhung
der
Schwellspannung
U
d
simuliert
und
damit
die
Bewertungsgrenze
angehoben.
Furthermore,
by
applying
a
more
positive
potential
to
the
X-terminal
of
the
reference
cell
there
is
simulated
a
rise
of
the
threshold
voltage
Ud,
thus
raising
the
evaluating
limit.
EuroPat v2
Wird
dem
gelöschten
Zustand
der
Speicherzellen
die
logische
"Eins"
zugeordnet
und
unter
"Löschen"
die
negativere
Aufladung
des
Speichergates
mit
einem
N-Kanal-Speichertransistor
verstanden,
dann
kann
durch
einen
simulierten
relativ
großen
Schwellwert
des
Speichertransistors
der
Referenzzelle
Mr
eine
Bewertungsgrenze
für
die
eine
"Qualität"
der
logischen
"Eins"
und
durch
eine
Simulation
einer
relativ
kleinen
Schwellwertes
des
Speichertransistors
Ts'
der
Referenzzelle
Mr
die
andere
"Qualität"
der
logischen
"Null"
vorgegeben
werden.
When
the
logic
"1"
is
assigned
to
the
erased
state
of
the
storage
cells,
and
when
by
the
term
"erase"
there
is
understood
the
more
negative
charging
of
the
storage
gate
with
an
n-channel
storage
transistor,
then
it
is
possible,
by
way
of
a
simulated
relatively
high
threshold
value
of
the
storage
transistor,
to
give
the
reference
cell
Mr
an
evaluating
limit
relating
to
the
one
"quality"
of
the
logic
"1",
and
by
way
of
simulating
a
relatively
low
threshold
value
of
the
storage
transistor
Ts',
to
give
the
reference
cell
Mr
the
other
"quality"
of
the
logic
"0".
EuroPat v2
Prüfungen
bewiesen
außerdem,
dass
das
Gehalt
an
VOC
–
Flüchtige
organische
Verbindungen,
die
gesundheitsschädlich
sind
–
weit
unterhalb
der
Bewertungsgrenze
liegt.
Tests
proved
that
the
content
of
VOC
–
volatile
organic
compounds
–
is
far
below
the
evaluation
limit.
ParaCrawl v7.1