Übersetzung für "Ausrichtvorrichtung" in Englisch

Die Ausrichtvorrichtung wird durch eine Steuereinrichtung 20 vervollständigt.
The alignment device is complemented by a control device 20.
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Diese Automaten und Einrichtungen benötigen daher eine Ausrichtvorrichtung.
These automatic machines and devices therefore need to have an aligning device.
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Diese Ausrichtvorrichtung 133 ist in den Figuren 7 und 8 dargestellt.
This alignment device 133 is illustrated in FIGS. 7 and 8 .
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Die vierte Zeile der Figur 12 betrifft die Ausrichtvorrichtung.
The fourth line of FIG. 12 relates to the alignment device.
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Über dem Förderband 2 ist die Ausrichtvorrichtung 4 angeordnet.
An alignment device 4 is positioned above conveyor belt 2.
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Um dies zu realisieren, ist die Etikettier-maschine mit einer Ausrichtvorrichtung versehen.
The labelling machine is installed with an alignment device in order to achieve this.
ParaCrawl v7.1

Die Erfindung betrifft weiterhin ein Ausrichtelement für eine solche Ausrichtvorrichtung.
The invention further relates to an alignment element for such an alignment device.
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Die Erfindung betrifft ferner ein Ausrichtelement für eine solche Ausrichtvorrichtung und ein Ausrichtverfahren.
The invention also relates to an alignment element for such an alignment device, and to an alignment method.
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Die Ausrichtvorrichtung (30) wird auch als Nadelausrichter (30) bezeichnet.
The aligning device (30) is also called needle aligner (30).
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Durch das Vorsehen einer entsprechenden Ausrichtvorrichtung kann dieser Vorgang erleichtert werden.
This process can be facilitated by providing a respective orientation apparatus.
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Vorzugsweise weist die Ausrichtvorrichtung zumindest einen Rastmechanismus auf.
The orientation device preferably has at least one latching mechanism.
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Es ist weiterhin ein Ausrichtelement für eine solche Ausrichtvorrichtung vorgesehen.
In addition, an alignment element is provided for such an alignment device.
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Anschließend wird die Ausrichtvorrichtung relativ zum Futterkörper ausgerichtet und festgelegt.
The orienting device is then oriented relative to the chuck body and fixed.
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Der Druckträger wird mit Hilfe der Ausrichtvorrichtung 133 an dem Beleganschlag 122 ausgerichtet.
The printing medium is aligned against the receipt stop 122 with the aid of the alignment device 133 .
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Beispielhaft ist in der Zeichnung eine Ausrichtvorrichtung mit vier Antriebsrollen 2 bis 5 gezeigt.
As an example, the drawing shows an aligning device with four drive rollers 2 to 5.
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Die Ausrichtvorrichtung 1 weist einen von zwei Anschlägen 3, 4 begrenzten Blattaufnahmebereich 5 auf.
The alignment device 1 comprises a sheet acceptance region 5 limited by two detents 3 and 4 .
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Dabei weist die Ausrichtvorrichtung vorteilhafterweise Saugeinrichtungen auf, mit der die Unterseite des Kartonzuschnitts festgehalten wird.
The alignment device advantageously comprises suction means with which the lower side of the carton blank is secured.
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Dabei erfolgt über die Vordermarken 4 sowie die seitliche Ausrichtvorrichtung 5 die entsprechende Ausrichtung.
The sheets are suitably aligned by the front markers 4 as well as the lateral alignment device 5.
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Die vorstehend beschriebene Ausrichtvorrichtung kann für ein besonders vorteilhaftes, erfindungsgemäßes Ausrichtverfahren verwendet werden.
The above described alignment device may be used for an especially advantageous alignment method according to the invention.
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Vorzugsweise ist die Ausrichtvorrichtung dazu vorgesehen, zwischen dem Koffergrundkörper und dem Kofferdeckel zu wirken.
The orientation device is preferably provided to act between the carrying case base and the carrying case cover.
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Die gegenüberliegende Ausrichtvorrichtung weist vorzugsweise eine Stiftaufnahme auf, in die der Fangstift eingreift.
The opposite alignment device is preferably provided with a pin socket with which the pilot pin engages.
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Wird mittels eine nicht dargestellten Ausrichtvorrichtung und mit Hilfe ebenfalls nicht dargestellter, auf dem Halbleiterplättchen 8 angeordneter Ausrichtmarkierungen festgestellt, daß die Differenz zwischen der Ist-Lage und der Soll-Lage des Halbleiterplättchens von Null verschieden ist, jedoch einen bestimmten Maximalbetrag nicht überschreitet, so wird durch Erregung der elektrostatischen Ablenkvorrichtung 6 der Weg des Elektronenstrahls um einen in der Ebene der Maske 7 liegenden Punkt geschwenkt, so daß er den durch die strichpunktierten Linien dargestellten Verlauf folgt.
If by means of an alignment unit not shown, and alignment markings not shown, either, and provided on semiconductor wafer 8 it is found that the difference between the actual position and the nominal position of the semiconductor wafer differs from zero but does not exceed a predetermined maximum amount the path of the electron beam is tilted about a point in the plane of mask 7 by energizing the electrostatic deflection unit 6, so that the path follows the dash-dotted lines.
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Ergibt eine Überprüfung durch die nicht dargestelite Ausrichtvorrichtung, daß die Ist-Lage des belichteten Bereiches 7C von seiner Soll-Lage abweicht, so wird die elektrostatische Ablenkvorrichtung 6 so eingestellt, daß der Elektronenstrahl um einen in der Ebene der Maske 7 liegenden Punkt um einen Winkel a 2 geschwenkt wird, so daß das Halbleiterplättchen 8 in einem durch die strichpunktierten Linien begrenzten.
If checking by the alignment device not shown, indicates that the actual position of exposed area 7C differs from its nominal position electrostatic deflection unit 6 is set in such a manner that the electron beam is tilted about a point in the plane of mask 7 by angle a2, so that it impinges onto semiconductor wafer 8 in an area limited by the dash-dotted lines.
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Durch eine anschließende Entwicklung werden die durch die Maske 20 definierten Bereich 21 des Halbleiter plättchens 1 freigelegt, so daß die Ausrichtung der zur Belichtung der stehengebliebenen Bereiche der elektronenstrahlempfindlichen Photolackschicht 4 verwendeten, nicht dargestellten Masken mit Hilfe der Ausrichtmarkierungen 9 und einer nicht dargestellten, mit Elektronenstrahlen arbeitenden Ausrichtvorrichtung mit einer dem Auflösungsvermögen der Elektronenstrahlbelichtung entsprechenden Genauigkeit erfolgen kann.
As a result of the subsequent development, the areas 21 of semiconductor wafer 1, which are defined by mask 20, are bared, so that alignment of the masks, not shown, used to expose the residual areas of the electron beam sensitive photoresist layer 4 can be effected with the aid of the alignment marks 9 and electron beam operated alignment means, not shown, at an accuracy corresponding to the resolution of electron beam exposure.
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Durch eine anschliessende Entwicklung werden die durch die Maske 20 definierten Bereiche 21 des Halbleiterplättchens 1 freigelegt, so dass die Ausrichtung der zur Belichtung der stehengebliebenden Bereiche der elektronenstrahlempfindlichen Photolackschicht 4 verwendeten, nicht dargestellten Masken mit Hilfe der Ausrichtmarkierungen 9 und einer nicht dargestellten, mit Elektronenstrahlen arbeitenden Ausrichtvorrichtung mit einer dem Auflösungsvermögen der Elektronenstrahlbelichtung entsprechenden Genauigkeit erfolgen kann.
As a result of the subsequent development, the areas 21 of semiconductor wafer 1, which are defined by mask 20, are bared, so that alignment of the masks, not shown, used to expose the residual areas of the electron beam sensitive photoresist layer 4 can be effected with the aid of the alignment marks 9 and electron beam operated alignment means, not shown, at an accuracy corresponding to the resolution of electron beam exposure.
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Wird mittels einer nicht dargestellten Ausrichtvorrichtung und mit Hilfe ebenfalls nicht dargestellter, auf dem Halbleiterplättchen 8 angeordneter Ausrichtmarkierungen festgestellt, daß die Differenz zwischen der Ist-Lage und der Soll-Lage des Halbleiterplättchens von Null verschieden ist, jedoch einen bestimmten Maximalbetrag nicht überschreitet, so wird durch Erregung der elektrostatischen Ablenkvorrichtung 6 der Weg des Elektronenstrahls um einen in der Ebene der Maske 7 liegenden Punkt geschwenkt, so daß er dem durch die strichpunktierten Linien dargestellten Verlauf folgt.
If by means of an alignment unit not shown, and alignment markings not shown, either, and provided on semiconductor wafer 8 it is found that the difference between the actual position and the nominal position of the semiconductor wafer differs from zero but does not exceed a predetermined maximum amount the path of the electron beam is tilted about a point in the plane of mask 7 by energizing the electrostatic deflection unit 6, so that the path follows the dash-dotted lines.
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Ergibt eine Überprüfung durch die nicht dargestellte Ausrichtvorrichtung, daß die Ist-Lage des belichteten Bereichs 7C von seiner Soll-Lage abweicht, so wird die elektrostatische Ablenkvorrichtung 6 so eingestellt, daß der Elektronenstrahl um einen in der Ebene der Maske 7 liegenden Punkt um einen Winkel a 2 geschwenkt wird, so daß das Halbleiterplättchen 8 in einem durch die strichpunktierten Linien begrenzten Bereich beaufschlagt wird.
If checking by the alignment device not shown, indicates that the actual position of exposed area 7C differs from its nominal position electrostatic deflection unit 6 is set in such a manner that the electron beam is tilted about a point in the plane of mask 7 by angle a2, so that it impinges onto semiconductor wafer 8 in an area limited by the dash-dotted lines.
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Dazu ist es aber erforderlich, daß die motorisch angetriebene Ausrichtvorrichtung das jeweils eingegebene Falzgut mit seiner vorlaufenden Querkante an der Mantelfläche einer der beiden die Einzugstelle bildenden Walzen zur Anlage bringt, bevor diese Walzen in Drehung versetzt werden.
But this requires that the motordriven aligning device causes the leading transverse edge of the material to be folded to make contact with one of the two rollers forming the take-in line before these rollers are caused to rotate.
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