Übersetzung für "Abätzen" in Englisch

Vorzugsweise erfolgt die Entfernung des Mantels durch Abätzen vor dem Zusammen­fügen der Faserbündelenden.
The cladding is preferably removed by etching prior to combining the fiber bundle ends.
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Dies kann z.B. durch Abätzen mit wäßriger Peroxödischwsfelsäure qeschehen.
This may be done, for example, by etching with aqueous peroxodisulfuric acid.
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Nach dem Abätzen der dünnen Oxidschicht kommt die endgültige Oberfläche zum Vorschein.
After the thin oxide film has been etched off, the final surface of the printed circuit is exposed.
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Dies kann beispielsweise durch Abätzen, Plasmaveraschen oder anderweitiges Auflösen der Klebstoffschicht erfolgen.
This can ensues, for example, by etching, plasma incineration or some other dissolution of the adhesive layer.
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Zum ganzflächigen Abätzen von Schichten kann beispielsweise ein chemisches Plasmaätzverfahren verwendet werden.
For etching away entire surfaces of layers, a chemical plasma etching process may be used for example.
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Dabei erfolgt ein Abätzen der Oberflächenschicht auf dem Glas.
In the process, the surface layer on the glass is etched away.
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Es ist die Situation vor dem Abätzen des Siliziums gezeigt.
What is shown is the situation present before the silicon is etched off.
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Dieses lokale Abätzen kann beispielsweise durch lokales Ionenstrahlätzen erfolgen.
This local etching-away may be effected for example by local ion beam etching.
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Falls erforderlich, wird an der Oberfläche der Platte etwa noch anhaftendes Metall durch Abätzen entfernt.
If necessary, any metal still adhering to the surface of the plate is removed by etching it away.
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Nach Entfernen der Metallschicht, z.B. durch Abätzen, kann die Schälfestigkeit bestimmt werden.
After removal of the metal layer, for example by etching, the peel strength may be determined.
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Die Verfahren zum Abtragen des Materials von den Faser­mänteln durch Abätzen gehören zum Stand der Technik.
The processes of removing the material from the fiber claddings by etching pertain to the state of the art.
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Anschließend wird überschüssiges Kontaktmaterial entfernt, beispielsweise durch Abätzen über eine beispielsweise aus Siliziumnitrid bestehende Atzmaske.
Excess contact material is subsequently removed, for example by being etched off via an etching mask composed, for example, of silicon nitride.
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Erfindungsgemäß kann das Medium während dem Erzeugen des strukturierten Niederschlags oder dem strukturierenden Abätzen gewechselt werden.
According to the present invention, the medium may be changed during the production of the structured precipitate or during the structuring etching.
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Das Abätzen des unedlen Metalls greift die verbleibende Schicht aus edlem Metall nicht an.
The etching away of the base metal does not attack the remaining layer of precious metal.
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Aus dem so hergestellten Verbund wird eine flexible Verdrahtung durch partielles Abätzen der Kupferschicht hergestellt.
A flexible circuit is produced from the resulting laminate by partial etching away of the copper layer.
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Nach Abätzen der Aluminiumschicht liegt der Wafer wieder in einem Zustand vor, wie in Fig.
When the aluminum layer has been etched off, the wafer is once again in a state as shown in FIG.
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Anschließend wird das verbliebene Vor-Innenelement 27 hier wiederum vollständig chemisch abgetragen, etwa durch Abätzen.
The remaining pre-inner element 27 is subsequently completely chemically removed again, e.g. by etching.
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Die Schichtdicke der dritten elektrisch leitfähigen Schicht 22 kann gegebenenfalls durch lokales Abätzen korrigiert werden.
The layer thickness of the third electrically conductive layer 22 may, if appropriate, be corrected by local etching-away.
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Die Strukturierung des ITO wurde mit üblicher Photoresisttechnik und anschließendem Abätzen in FeCl 3 -Lösung vorgenommen.
The structuring of the ITO was carried out by a conventional photoresist technique followed by etching in FeCl 3 solution.
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Nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung werden vor der Abscheidung einer oder mehrerer Metallschichten bzw. bei der Herstellung einer leitenden Ringzone vor dem Abätzen der Grundmetallisierung die Werkstoffoberflächen ein- oder beidseitig fotolithografisch mit einem Negativtrockenresist strukturiert, dessen Entwickler den Positivlackring in den Bohrungen nicht beschädigt.
In another embodiment of the invention, before the deposition of one or more several metal layers or, during the production of conducting ring zones before the etching away of the base metallization, the workpiece surfaces are structured on one or both sides by photolithographic means with a negative dry resist whose developer does not damage the positive lacquer ring in the perforations.
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Anschließend wird dann in Fortsetzung des Verfahrensschrittes F die freie Oberfläche der Aluminiummetallisierung 5 einer Ätzlösung ausgesetzt, die aus H 3 PO 4, HN03, HCl und H 2 0 im Verhältnis 20:10:10:60 angesetzt ist, so daß sich die Alaminiummetallisierung 5 in gewünschter Weise abätzen läßt.
Subsequently, in a continuation of process step F the free surface of aluminum metallization 5 is exposed to an etching solution made of H3 PO4, HNO3, HCl and H2 O in a ratio 20:10:10:60 so that aluminum metallization 5 can be etched off as desired.
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Bei dem vorher genannten Beispiel (wobei 50 Nanometer Pt etwa 100 Nanometer PtSi ergeben) wird durch Abätzen von 50 Nanometern nicht umgesetzten Platins in einer Argon-Atmosphäre, die 10 Volumprozent Sauerstoff enthält, eine Schicht mit einer Dicke von etwa 12,5 Nanometer PtSi abgetragen, so daß in den Kontaktbohrungen PtSi mit einer Schichtdicke von 87,5 Nanometer verbleibt.
For example, with reference to the previous example (where 500A Pt yields about 1000A of PtSi), etching of 500A of uncombined Pt, in an argon ambient containing 10 volume percent of oxygen, also removes approximately 125A of PtSi leaving 875A of the PtSi in the contact holes.
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Nach Abätzen der zweiten Polysilicium--Schicht 34 verbleibt nur der Bereich 37 der zweiten Polysilicium-Schicht über der ersten Polysilicium-Schicht 30 und in Kontaktverbindung mit der Oberfläche des Substrats 10 ebenso wie der Bereich 35, der in Kontakt mit dem Kollektor 22 steht, wie dies Fig.
After the second polysilicon layer 34 has been etched, only the segment 37 of the second polysilicon layer overlying the first layer of polysilicon 30 and in contact with the surface of the substrate 10 remains, along with segment 35 in contact with collector 22, as shown in FIG.
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Das Metallisierungsmuster auf der oberen Fläche der Zwischenelemente 18 kann in irgendeiner geeigneten Weise erzeugt werden, vorzugsweise durch Aufdampfen einer Metallschicht auf die obere Fläche des Zwischenelementes, Abscheiden einer Schicht eines Photolackes über dem Metall, Belichten des Photolackes entsprechend einem gewünschten Muster, Entwickeln des Photolacks, um das gewünschte Muster zu definieren und nachfolgendes Abätzen des freigelegten Metalls mit einem geeigneten Ätzmittel.
The top surface metallurgy pattern of interposers 18 can be formed in any suitable manner, preferably by evaporating a layer of metal on the top surface of the interposer, depositing a layer of photoresist over the metal, exposing the resist to the desired pattern, developing the resist to define the pattern desired, and subsequently etching away the exposed metal with a suitable etchant.
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Bei optischen Winkelschrittgebern oder Winkelcodierern werden üblicherweise die Schlitzmuster auf fotografischem Wege kopiert und durch partielles Abätzen einer lichtundurchlässigen Schicht, welche auf einer lichtdurchlässigen Scheibe aufgebracht ist, hergestellt.
The code pattern is copied from a master by photographic means and manufactured on the code disk by a partial etching of an opaque disk which is applied on a light-transmissive disk.
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Die durch den Zusatz eines Reduktionsmittels zur Ätzlösung erreichbare absolute Erhöhung der Ätzgeschwindigkeit bei gegebener Temperatur erlaubt ein schnelleres Abätzen oder Strukturieren von Eisengranatschichten, was von besonderer Bedeutung ist bei dicken Epitaxieschichten (10 bis 100pm) und bei Materialien mit geringer Ätzrate.
The advantages which can be achieved by means of the invention are as follows: The absolute increase of the etching rate at a given temperature, achieved by the addition of a reducing agent, permits of faster etching or structuring of iron garnet layers, which is of particular importance in the case of thick epitaxial layers (10 to 100 ?m) and with materials of low etching rate.
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Danach werden in einen zweiten Belichtungsprozess (Figur 3b) mit der Photomaske 51 weitere Teile 42 der Photolackschicht 4 belichtet und entwickelt, um durch Abätzen der so freigelegten Teile 31 und 21 der Metallschicht 3 und der Widerstandsschicht 2 die Schaltungsgeometrie zu erzeugen.
Subsequently, in a second photographic exposure process (FIG. 3b), further parts 42 of the photosensitive resist film 4 are exposed to light using the photographic exposure mask 51 and are developed, in order to produce the geometry of the circuit by etching away the thus-bared parts 31 and 21 of the metal film 3 and the resistance film 2.
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