Übersetzung für "Minoritätsträger" in Englisch

Während dieser allmählichen Stromänderung können die Minoritätsträger rekombinieren.
During this gradual current change the minority carriers can recombine.
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Die Minoritätsträger bewegen sich im neutralen Substrat lediglich aufgrund eines Konzentrationsgefälles.
However, in the neutral substrate, the minority carriers move only because of a concentration drop.
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Ein Teil der Minoritätsträger rekombiniert im Substrat.
Some of the minority carriers recombine in the substrate.
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Die Minoritätsträger verlassen den Emitter also über diese eindiffundierten Inseln (15).
The minority carriers thus leave the emitter via these indiffused islands (15).
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Weiter ist zu beachten, daß bei hoher Dotierung die Lebensdauer der Minoritätsträger stark abnimmt.
It is further to be taken into account that a heavy doping strongly reduces the life time of the minority carriers.
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Durch den Einfluß dieses Driftfeldes 28 können die Minoritätsträger nicht zum übergang 19 diffundieren.
Because of the influence of this drift field 28 the minority carriers can not diffuse towards junction 19.
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Der Parasitärtransistor B kommt deswegen zustande, weil die vom Emitter EZ vertikal injizierten Minoritätsträger als der bereits oben erwähnte Strom J Ev auch über den pn-Übergang in das Substrat S gelangen und dort einen Kollektorstrom erzeugen.
The parasitic transistor B arises because the minority carriers injected vertically by the emitter EZ also arrive in the substrate S via the pn junction U as does the current JEV already mentioned above and they generate a collector current there.
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Ferner sind Mittel vorgesehen, die zwischen den Überlaufgebieten und den Sensorelementen eine gegenüber der Potentialschwelle zwischen den Uberlaufgebieten geringere Potentialschwelle für Minoritätsträger erzeugen.
Further, means are provided which generate a potential threshold for minority carriers between the overflow areas and the sensor elements which is lower in comparison to the potential threshold between the overflow areas themselves.
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Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Sensor mit Überlaufvorrichtung, der eine auf einem dotierten Halbleiterkörper vom ersten Leitungstyp angeordnete Reihe von Sensorelementen aus MIS-Kondensatoren zur Sammlung optisch erzeugter Minoritätsträger enthält, die gegeneinander getrennt sind durch Mittel zur Erzeugung einer Potentialschwelle für die Minoritäts träger im Halbleiterkörper, und ferner mindestens einen von weiteren MIS-Kondensatoren gebildeten Schieberegister auf jeder Seite der Sensorreihe und seitlich an den Sensorelektroden angeordnete Übertragungselektroden enthält, die nach dem Prinzip der Ladungskopplung die Sensorel emente abwechselnd mit einem Kondensator der beiden Verschiebekanäle verbinden.
The invention relates to an optoelectronic sensor with overflow arrangement which contains a series of sensor elements arranged on a doped semiconductor body of the first conductivity type and comprising MIS capacitors for the collection of optically generated minority carriers. The sensor elements are separated from one another by means for the generation of a potential threshold for the minority carriers in the semiconductor body. The sensor further contains at least one shift register formed of further MIS capacitors on each side of the sensor row and contains transfer electrodes arranged to the side of the sensor electrodes which alternately connect the sensor elements with a capacitor of the two shift channels according to the principle of charge-coupling.
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Bei der elektronischen Erfassung von Bildern nach dem Prinzip der Ladungsinjektion wird an einen Kondensator, der aus einen Halbleiterkörper und einer von der Halbleiteroberfläche durch eine Isolierschicht getrennten Metallelektrode besteht (MIS-Kondensator), mittels elektrischer Anschlüsse für den Halbleiterkörper und die Metallelektrode eine derartige Spannung gelegt, daß die im Halbleiter befindlichen Majoritätsträger vom Substrat abgezogen werden und unter der Metallelektrode eine Verarmungsschicht entsteht, in der die während der Bestrahlungszeit optisch erzeugten Minoritätsträger gesammelt werden.
In the electronic acquisition of images according to the principle of carrier injection, a voltage is applied to a capacitor, which consists of a semiconductor body and a metal electrode separated from the semiconductor surface by means of an insulation layer (MIS-capacitor), by means of electrical connections for the semiconductor body and the metal electrode so that the majority carriers located in the semiconductor are drawn off from the substrate and a depletion region arises beneath the metal electrode, in which region the minority carriers optically generated during the exposure time are gathered.
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Wird nun z. B. bei p-dotiertem Halbleitersubstrat der Substratanschluß des MIS-Kondensators gegenüber der Elektrode negativ vorgespannt, so werden die (positiven) Majoritätsträger des Substrats vom Substratanschluß abgezogen, während die optisch erzeugten Minoritätsträger unter der Sensorelektrode gehalten werden.
When, for example, in a p doped semiconductor substrate, the substrate connection of the MIS capacitor is negatively biased with respect to the electrode, then the (positive) majority carriers of the substrate are stripped from the substrate connection, whereas the optically generated minority carriers are held under the sensor electrode.
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Vorzugsweise sollen die Minoritätsträger sammelnden Kontaktsysteme von der Vorder- und Rückseite extern miteinander verbunden werden und den einen Pol der Solarzelle bilden.
The contact systems of the front and back surfaces collecting the minority carriers should preferably be externally connected to one another and form the one pole of the solar cell.
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Bei starkem Lichteinfall auf einzelne Sensorelemente oder eine Gruppe von Sensorelementen kann der Fall eintreten, daß so viel Minoritätsträger optisch erzeugt werden, daß sie in benachbarte Sensorelemente überlaufen (blooming) und zur Zerstörung der Information in größeren Bereichen des Sensors führen.
With strong light incidence upon individual sensor elements or a group of sensor elements, it can occur that so many minority carriers are optically generated that they overflow into neighboring sensor elements (blooming) and lead to the destruction of the information in larger areas of the sensor.
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Ferner sind in bekannter Weise Mittel vorgesehen, die zwischen den Überlaufgebieten und den Sensorelementen eine gegenüber der Potentialschwelle zwischen den Überlaufgebieten geringere Potentialschwelle für Minoritätsträger erzeugen.
Further, means are provided which generate a potential threshold for minority carriers between the overflow areas and the sensor elements which is lower in comparison to the potential threshold between the overflow areas themselves.
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Um im gemeinsamen Halbleiterkörper 1 die Sensorelemente 2 voneinander durch eine Potentialschwelle für die Minoritätsträger zu trennen, isterfindungsgemäß eine Abschirmetektrode 14 vorgesehen, die sich mäanderförmig um die Sensorelemente 2 windet.
In order to separate the sensor elements 2 in the common semiconductor body 1 from one another by means of a potential theshold for the minority carriers, a field shield gate 14 is provided which winds in meander-like fashion around the sensor elements 2.
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Die Verlustleistung im Transistor beim Umschalten vom leitenden in den gesperrten Zustand läßt sich dadurch verringern, daß ein möglichst hoher Anteil der Minoritätsträger aus der Emitter-Kollektor-Strecke entfernt wird, solange noch ein vom Emitter injizierter Kollektorstrom fließt und damit bevor am Kollektor ein nennenswerter Spannungsabfall auftritt.
The dissipation in the transistor upon switching the transistor from the conducting to the non-conducting state can be reduced by removing the largest possible portion of the minority charge-carriers from the emitter-collector path, as long as a collector current injected by the emitter still flows and, consequently, before a significant voltage drop occurs at the collector.
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Die erfindungsgemäße Lehre der abgeflachten Pyramiden kann zunächst für die herkömmlichen, auf der Vorderseite die Minoritätsträger und auf der Rückseite die Majoritätsträger sammelnden Solarzellen vorteilhaft eingesetzt werden.
The theory in accordance with the invention of truncated pyramids can be used to advantage initially for conventional solar cells collecting minority carriers on the front surface and majority carriers on the back surface.
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Im vorliegenden Fall jedoch ist diese Bedingung von untergeordneter Bedeutung, da infolge der unmittelbar angrenzenden Inversionsschicht (253) und der MIS-Kontakte (254) die Minoritätsträger praktisch schon vor dem Eintreten in den erhabenen Kontaktbereich (257) seitlich abgesaugt und über den MIS-Kontakt (254) einer Nutzung zugeführt werden.
In the present instance, however, this condition is of lesser importance, since the directly adjacent inversion layer (253) and the MIS contacts (254) in practice lead to the minority carriers being extracted to the side before they enter the raised contact area (257), and made available for exploitation via the MIS contact (254).
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Diejenigen Minoritätsträger, die doch in den erhabenen Bereich (244), (245) gelangen, werden dann durch die Inversionsschicht (253) entlang der Flanken zu den MIS-Kontakten (254) abgeführt.
Those minority carriers that do reach the raised areas (244), (245) are then passed by the inversion layer along the flanks to the MIS contacts (254).
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Diese auf einfache Weise erzeugte Rückseitenanordnung übertrifft somit das herkömmliche Rückseitenfeld (BSF = Back Surface Field) in seiner Wirkung zur Abstoßung der Minoritätsträger.
This back surface array generated by simple means therefore exceeds the conventional back surface field in its effect of repelling the minority carriers.
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Zur Reduzierung des Ohmschen Kontaktwiderstandes kann zusätzlich auf dem erhabenen Bereich vor bzw. in Verbindung mit der Metallaufbringung ein Legier- oder Diffusionsprozeß angewandt werden (z.B. pp?), wodurch auch noch ein Getterprozeß zur Verbesserung der Lebensdauer der Minoritätsträger erfolgt.
To reduce the ohmic contact resistance, an alloying or diffusion process can be applied in addition on the raised area prior to or in conjunction with metal deposition (e.g. pp+), as a result of which a getter process also takes place to improve the service life of the minority carriers.
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