Übersetzung für "Ätzt" in Englisch

Marble ätzt leicht in Berührung mit Säure und Basen.
Marble will etch easily if exposed to acid and bases.
ParaCrawl v7.1
Wie erwähnt ätzt man das Implantat mit einer Salzschmelze.
As has been mentioned, the implant is etched using a salt melt.
EuroPat v2
Unsere Lieblingsheulsuse, Raf Simons, ätzt gegen seinen Vorgänger bei DIOR.
Our favorite crybaby, Raf Simons, is badmouthing his predecessor at DIOR.
ParaCrawl v7.1
Anschließend wird ein anisotroper Trockenätzprozeß durchgeführt, der SiO 2 selektiv zu Silizium ätzt.
An anisotropic dry-etching process that etches SiO2 selectively relative to silicon is subsequently implemented.
EuroPat v2
Das Alu mi nium ist dabei durch das Sili kon geschützt und wird nicht abge ätzt.
During this the aluminum is protected by the silicone and is not etched away.
ParaCrawl v7.1
Beispielsweise ätzt Xenondifluorid über das enthaltene Fluor bei Ionenanregung Silizium und erzeugt gasförmige Ätzprodukte.
For example, by virtue of the fluorine contained, xenondifluoride etches silicon in response to ion excitation and produces gaseous etching products.
EuroPat v2
Die Lage der Subkollektorzone und der Widerstandsbereiche wird ferner dadurch definiert, daß man die freiliegenden Bereiche der Siliziumnitridschicht 10 in heißer Phosphorsäure oder jedem anderen Ätzmittel ätzt, das Siliciumdioxid nicht angreift.
The pattern for the subcollector regions and the resistor regions are further defined by etching the exposed areas of silicon nitride 10 in hot phosphoric acid or any other etchant which does not attack silicon dioxide.
EuroPat v2
Die Struktur wird dann einem Trocken-Plasmaätz-(reaktives Ionenätz-)Verfahren unterworfen, wobei ein reaktives Gas, welche die freiliegenden Bereiche des Metalls 4 ätzt, und als Maske der Glasfilm 6 benutzt werden.
The structure is then subjected to a dry plasma etching (RIE) process using a reactive gas which etches the exposed portions of metal 4 and using glass film 6 as the mask.
EuroPat v2
Sie wird gebildet, indem man Gräben in den Halbleiterkörper, hier in das mit 12 bezeichnete Gebiet, ätzt und zur Bildung der mit 24 bezeichneten lsolierbereiche an Ort und Stelle oxidiert.
It is formed by etching a trench into region 12 and then converting remaining portions of the material of region 12 into oxide, in situ, to form the illustrated oxide 24.
EuroPat v2