Translation of "Versetzungsdichte" in English

Die Kalthärtung bewirkt eine Erhöhung der Versetzungsdichte und damit der Fliess- oder Streckspannung.
Cold hardening increases the dislocation density and thereby increases the yield stress.
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Die Keimbildungsschicht weist allerdings eine relativ hohe Versetzungsdichte auf.
However, the nucleation layer has a relatively high dislocation density.
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Der limitierende Faktor ist die mit Spannung zunehmende Versetzungsdichte.
The limiting factor is the dislocation density which increases with strain.
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Mit dem Abbau der Versetzungsdichte geht eine vollständige Neubildung des Gefüges einher.
A complete reformation of the structure is associated with the reduction in dislocation density.
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Somit wird eine Höhe der bei Gitterfehlanpassungen ansonsten auftretenden Versetzungsdichte reduziert.
Thus the level of the dislocation density otherwise occurring in case of lattice mismatches is reduced.
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Eine Versetzungsdichte kann beispielsweise deutlich kleiner als 10 7 Versetzungen pro Quadratzentimeter sein.
The dislocation density can be markedly less than 10 7 dislocations per square centimeter.
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Die elektrischen Kennwerte dieser Feldeffekttransistoren werden durch die erwähnte hohe Versetzungsdichte im Grundkörper erheblich verschlechtert.
The electric characteristic values of these field-effect transistors are considerably impaired by the aforementioned high dislocation concentration in the base body.
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Diese Behandlung führt zur Erhöhung der Versetzungsdichte an den bearbeiteten Stellen und härtet so das Material.
This treatment increases the dislocation density in the treated areas and thus hardens the material.
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Ein mit der Restspannung zusammenhängender Parameter ist die Versetzungsdichte bzw. die Dichte von Korngrenzen.
Another parameter related to the residual stress, is the dislocation density or the density of grain boundaries.
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Damit ist die Rauheit der Körperoberfläche und die Tiefenwirkung hinsichtlich Erhöhung der Versetzungsdichte einstellbar.
The roughness of the body surface and the depth effect with respect to increasing the dislocation density can thus be adjusted.
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Das Gefüge befindet sich durch die erfindungsgemäß vorgesehene hohe Versetzungsdichte in einem metastabilen Zustand.
Because of the high dislocation density provided for according to the invention, the structure is in a metastable state.
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Zusätzlich wird die Versetzungsdichte bis zum Bruch erhalten und somit Kriechfestigkeit des Stahles verbessert.
In addition, the dislocation density up to fracture is maintained and therefore the creep strength of the steel is improved.
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Die Größenverteilung der Dekorationspräzipitate (DP) ist darüber hinaus von der Versetzungsdichte des Materials abhängig.
The size distribution of the decoration precipitates (DP) additionally depends on the dislocation density of the material.
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Die nanokristalline Struktur führt ferner zu einer Abnahme der Versetzungsdichte, wodurch eine Rissbildungsgefahr herabgesetzt wird.
The nanocrystalline structure also leads to a drop in the dislocation density, with the result that the risk of crack formation is reduced.
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Die nanokristalline Struktur führt ferner zu einer Abnahme der Versetzungsdichte, wodurch die Rissbildungsgefahr herabgesetzt wird.
Furthermore, the nanocrystalline structure leads to a drop in the dislocation density, with the result that the risk of crack formation is reduced.
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Damit sind die Rauheit der Körperoberfläche und die Tiefenwirkung hinsichtlich Erhöhung der Versetzungsdichte einstellbar.
In this way, the roughness of the body surface and the depth effect with regard to increasing the dislocation density are adjustable.
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Bei und nach der Abkühlung kann dieser bevorzugt in Bereichen erhöhter Eigenspannungen und hoher Versetzungsdichte (z. B. an den Korngrenzen des Martensits) zur Rißbildung führen.
During and after cooling this may lead to the formation of cracks particularly in areas of increased internal stresses and high dislocation density (e.g. at the grain boundaries of the martensite).
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Für die Qualität der Epitaxieschichten, die durch Fl ü s - sigphasenepitaxie oder durch Dampfphasenepitaxie ab- geschieden werden können, ist die Versetzungsdichte im Halbleitergrundkörper entscheidend.
The dislocation concentration in the semiconductor base body is decisive to the quality of the epitaxial layers which may be deposited by liquid-phase epitaxy or by vapor-phase epitaxy.
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Für jede weitere aufwachsende Epitaxieschicht ist es von wesentlicher Bedeutung, wie groß die Versetzungsdichte in den darunterliegenden Epitaxieschichten ist.
To each further epitaxial layer growing, the height of the dislocation concentration in the epitaxial layers located thereunder is of essential importance.
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Da die Gitterabstände der Materialien der verschiedenen Schichten nicht exakt miteinander übereinstimmen, aber ein einkristallines Aufwachsen gefordert wird, ist leicht verständlich, daß sich hierbei eine hohe Versetzungsdichte im Grundkörper oder in der für die Abscheidung vorgesehen Grundschicht sehr störend auswirkt.
Since the lattice spacings of the materials of the various layers do not exactly coincide with one another, but a monocrystalline growth is required, it is clear that a high dislocation concentration in the base body or in the base layer provided for the deposition has a very disturbing effect.
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Die Kennlinien der Übergänge zwischen ver schiedenen Schichten bzw. zwischen dem Grundkörper und der darauf angeordneten Epitaxieschicht wird durch die hohe Versetzungsdichte gegenüber den Idealwerten wesentlich verschlechtert.
The characteristic lines of the junctions between various layers and between the base body and the epitaxial layer arranged thereon is substantially impaired by the high dislocation concentration in comparison to the ideal values.
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Bei Lichtemittern bewirkt eine hohe Versetzungsdichte eine schlechte Lumineszenzausbeute, woraus sich ein geringer Wirkungsgrad von Leuchtdioden und Laseranordnungen ergibt.
In light emitters, a high dislocation concentration causes a bad luminescence efficiency, which results in a low efficiency of light emitting diodes and laser arrangements.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung aus Verbindungshalbleitermaterial anzugeben, wobei der Halbleiterkörper in Teilbereichen oder bei bestimmten Materialien in seiner Gesamtheit eine gegenüber den bekannten Anordnungen wesentlich reduzierte Versetzungsdichte aufweist.
The object underlying the invention is to provide a semiconductor arrangement made of compound semiconductor material, wherein the semiconductor body exhibits, in areas or, in the case of certain materials throughout its entirety, a dislocation concentration which is substantially less than in the known arrangements.
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Die Halbleiteranordnung nach der Erfindung ist vorzugsweise mehrschichtig ausgebildet, wobei es ausreichend sein kann, das isoelektronische Störstellenmaterial nur in eine erste Schicht einzubringen, die damit eine sehr geringe Versetzungsdichte von ca. 10 3 cm -2 und kleiner hat.
The semiconductor arrangement according to the invention preferably comprises several layers, and it may be adequate to insert the isoelectronic impurity material only into a first layer which therefore has a very low dislocation concentration of approximately 103 cm-2 and smaller.
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Die auf diesen modifizierten Grundkörper aufgebrachten Epitaxieschichten wachsen dann gleichfalls mit einer sehr geringen Versetzungsdichte auf, so daß die herzustellenden Bauelemente wesentlich verbesserte elektrische Eigenschaften aufweisen.
The epitaxial layers deposited on this modified base body then similarly grow with a very low dislocation concentration, with the result that the components to be manufactured exhibit substantially improved electric properties.
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Auf diesen Grundkörper können dann eine oder mehrere Epitaxieschichten 2 mit geringer Versetzungsdichte niedergeschlagen werden, ohne daß bei der Schichtabscheidung isoelektronische Störstellen zugesetzt werden müssen.
One or several epitaxial layers 2 with a low dislocation concentration can then be deposited on this base body without isoelectronic impurities having to be added during the layer deposition.
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Das Maximum der Störstellenkonzentration des isoelektronischen Störstellenmaterials ist in der Figur 2 durch die Linie 4 angedeutet.-Auf diese Weise wird erreicht, daß die Schicht 2 an den Übergängen zum Grundkörper 1 und zu der Schicht 3 keine zusätzliche, durch das isoelektronische Störstellenmaterial bedingte Veränderung der Gitterkonstanten aufweist, die Versetzungsdichte jedoch erheblich reduziert wurde.
The maximum of the impurity concentration of the isoelectronic impurity material is indicated by line 4 in FIG. 2. This results in the layer 2 not exhibiting at the junctions to the base body 1 and to the layer 3 any additional change in the lattice constants caused by the isoelectronic impurity material, but in the dislocation concentration having been considerably reduced.
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Allerdings können auch Versetzungen gewünscht sein, wie das Beispiel der blauen Leuchtdiode auf Galliumnitridbasis zeigt, bei der bei einer Versetzungsdichte von ca. 10 10 /cm 2 eine sehr hohe Quantenausbeute erzielt wird.
However, dislocations may also be desirable, as the example of the gallium nitride based blue light diode shows, in which a very high quantum yield is obtained with a dislocation density of approximately 1010 /cm2.
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