Translation of "Unterätzen" in English

Die Maske kann z.B. durch Unterätzen einer strukturierten Schicht erzeugt werden.
The mask can be produced for example by undercutting a structured layer.
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Ein sicheres Unterätzen der Löcher muss allerdings sichergestellt sein.
However, reliable undercut-type etching of the holes must be ensured.
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Bei diesem Unterätzen wird auch das N-dotierte Substratmaterial - und zwar mit einer relativ grossen Geschwindigkeit-angeätzt.
In this underetching, the N-doped substrate material is also etched with a relatively high speed.
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Beim Unterätzen wird eine Struktur erhalten, wie sie die Fig. 2I im Querschnitt wiedergibt.
Underetching supplies a structure as shown in cross-section in FIG. 2I.
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Nach dem Unterätzen der Opferschichtätzlöcher 170 wird eine Oxidationsschicht 270 auf der Innenseite der Kaverne erzeugt.
Following lateral etching of sacrificial-layer etching holes 170, an oxidation layer 270 is produced on the inside of the cavity.
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Ein weiteres Trockenätzverfahren, das reaktive Plasmaätzen, wird eingesetzt, um nasse Atzverfahren zu vermeiden und um ein Unterätzen der Maske zu verhindern.
Another dry process, reactive plasma etching, is used to avoid wet processing and minimize mask undercut.
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Ein Unterätzen der Maske während des reaktiven Ionenätzens würde eine Fehljustierung der Source-und Drain-Gebiete bezüglich des Gates verursachen.
Undercutting of the mask during RIE would cause misalignment of the source and drain with respect to the gate.
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Nach dem Freiätzen in der Fläche bildet sich an der Nickel-Lack-Ätzkante unerwartet eine Nickel-Passivierungsschicht aus, welche ein Unterätzen verhindert.
After surface etching, a nickel-passivation layer forms unexpectedly at the nickel-resist edge, which prevents such undercutting.
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Selbst bei angenähert rechteckigem Verlauf der Belichtungsprofile kann die Breite der freigelegten Bereiche über die belichteten Bereiche hinaus durch ein sogenanntes "Unterätzen" unter Umständen ganz wesentlich vergrößert werden.
Even with an almost rectangular shape of the exposure profiles it is possible, in certain circumstances, to considerably extend the bared areas beyond the exposed areas by what is known as "overetching".
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Die bekannten Verfahren lösen auch nicht vollkommen das Problem, das als Unterätzen einer Maskierungsschicht bekannt ist, die während eines Ätzprozesses unterhalb einer anderen Maskierungsschicht angeordnet ist.
Another problem apparently not fully appreciated by designers using prior art self-alignment techniques is the well known lateral undercutting of one masking layer which is disposed beneath another during an etching process.
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Selbst bei angenähert rechteckigem Verlauf der Belichtungsprofile kann eine Verbreiterung der freigelegten Bereiche über die belichteten Bereiche hinaus durch ein sogenanntes "Unterätzen" unter Umständen ganz wesentlich vergrößert werden.
Even with an almost rectangular shape of the exposure profiles it is possible, in certain circumstances, to considerably extend the bared areas beyond the exposed areas by what is known as "overetching".
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Die bekannten Verfahren lösen auch nicht vollkommen das Problem, das als Unterätzen einer Maskierungsschicht bei kannt ist, die während eines Ätzprozesses unterhalb einer anderen Maskierungsschicht angeordnet ist.
Another problem apparently not fully appreciated by designers using prior art self-alignment techniques is the well known lateral undercutting of one masking layer which is disposed beneath another during an etching process.
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Wie oben bei den naßchemischen Ätzverfahren beschrieben worden ist, erfolgt auch beim Plasmaätzen ein Unterätzen der Maskenbereiche, so daß es auch bei diesem Ätztyp schwierig ist, gut definierte Kanten zu erzielen.
As with the wet chemical etching process described above, this type of plasma etching also results in undercutting of the mask areas so that it is difficult to achieve well defined edges.
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Die Verwendung des "Silizidpilzes" über jedem Kontakt (9, 10, 13, 14, 15) bringt neben dem Vorteil, daß das Verfließenlassen der Phosphorglasschicht 17 bei der Herstellung von CMOS-Schaltungen nach der zweiten Kontakt lochätzung erfolgen kann, weil die p +- Bereiche (7) durch die "Silizid-Pilze" maskiert werden, den Vorteil, daß gleiche Oxiddicken über allen Bereichen bei der zweiten Kontaktlochätzung vorliegen, wodurch das Unterätzen vermieden wird.
In addition to the advantage that the melt- or flow-spread of the phosphorous glass layer 17 in the manufacture of CMOS circuits can occur after a second contact hole etching because the p+ regions 6 are masked or protected by the "silicide mushrooms," the use of such "silicide mushrooms" over each contact hole (9, 10, 14 and 15) also produces the advantage that a substantially identical oxide thickness exists over all regions during the second contact hole etching so that undercutting is avoided.
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Unter einer unlöslichen oder schwer löslichen leitfähigen Schicht verborgene nicht leitfähige Schichten können gegebenenfalls durch Unterätzen der leitfähigen (Metall-)Schicht freigelegt werden.
Non-conductive layers, hidden under an insoluble or slightly soluble layer, can be exposed optionally by undercutting the conductive (metal) layer.
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Außerdem tritt beim Öffnen der Kontaktlöcher (Aluminium zu n -Bereichen, Aluminium zu p +- Bereichen und Aluminium zu Polysiliziumbereichen) bei den integrierten CMOS- und NMOS-Schaltungen, bei denen eine zusätzliche Leiterbahnebene verwendet wird, das Problem auf, daß in unterschiedlich dicke Oxidschichten geätzt werden muß, was ein starkes Unterätzen der Kontaktlöcher zur Folge hat..
Further, when opening the contact holes (aluminum to n+ regions, aluminum to p+ regions and aluminum to polysilicon regions) in integrated CMOS and NMOS circuits in which an additional interconnect is utilized, a problem occurs in that etching must be carried out in oxide layers of different thicknesses, resulting in a substantial undercutting of the contact holes.
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Es liegt im Rahmen der Erfindung, dabei die zweite Schicht in einem isotropen Ätzprozeß um einen definierten Betrag unter die dritte Schicht zu unterätzen.
It lies within the scope of the invention to thereby undercut the second layer by a defined amount under the third layer in an isotropic etching process.
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Die Verwendung des »Silizidpilzes« über jedem Kontakt (9, 10, 13, 14, 15) bringt neben dem Vorteil, daß das Verfließenlassen der Phosphorglasschicht 17 bei der Herstellung von CMOS-Schaltungen nach der zweiten Kontaktlochätzung erfolgen kann, weil die p +- Bereiche (7) durch die »Silizid-Pilze« maskiert werden, den Vorteil, daß gleiche Oxiddicken über allen Bereichen bei der zweiten Kontaktlochätzung vorliegen, wodurch das Unterätzen vermieden wird.
In addition to the advantage that the melt- or flow-spread of the phosphorous glass layer 17 in the manufacture of CMOS circuits can occur after a second contact hole etching because the p+ regions 6 are masked or protected by the "silicide mushrooms," the use of such "silicide mushrooms" over each contact hole (9, 10, 14 and 15) also produces the advantage that a substantially identical oxide thickness exists over all regions during the second contact hole etching so that undercutting is avoided.
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Der Aufbau wird daraufhin einem Ätzmittel, z.B. einem Plasma aus Fluorkohlenwasserstoff/Sauerstoff ausgesetzt, um die freien Teile der Siliziumschicht 14 zu entfernen und die Kanten der Gatezone 17 zu unterätzen.
The assembly is next exposed to an etchant, e.g. a fluorocarbon/oxygen plasma to remove the exposed silicon 14 (FIG. 3) and to undercut the edges of the gate region 17.
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Dieses Unterätzen vergrößert die effektive Größe der Öffnung in der Maske für das Eindringen von Störelementen und kann ein Überlappen von Zonen zur Folge haben, die an sich getrennt sein sollten.
The undercut portion increases the effective masking window for impurities and could result in the overlapping of regions which should be spaced apart.
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Besser geeignet zum Unterätzen ist eine Nass- ätzung unter Verwendung einer Ätzlösung, welche aus Äthylendiamin, Brenzkatechin, Wasser und u. U. Wasserstoffperoxid besteht.
A better way of underetching is a wet etching using an etching solution consisting of ethylenediamine, pyrocatechol, water and, if necessary, hydrogen peroxide.
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Nach dem Unterätzen erfolgt das Ätzen der wannenförmigen Vertiefungen 15 von der Plättchenrückseite her, wobei die Siliciumdioxidschicht 2 mit den Öffnungen 4 als Ätzmaske dient.
After underetching there follows the etching of the tub-shaped recesses 15 from the wafer back. Silicon dioxide layer 2 with apertures 4 serves as an etching mask.
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Ein Unterätzen der Maske während des reaktiven lonenätzens würde eine Fehljustierung der Source- und Drain-Gebiete bezüglich des Gates verursachen.
Undercutting of the mask during RIE would cause misalignment of the source and drain with respect to the gate.
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Auch tritt beim Öffnen der Kontaktlöcher (Aluminium zu n +- Bereichen, Aluminium zu p +- Bereichen und Aluminium zu Polysiliziumbereichen) bei den integrierten CMOS- und NMOS-Schaltungen, bei denen eine zusätzliche Leiterbahnebene verwendet wird, das Problem auf, daß in unterschiedlich dicke Oxidschichten geätzt werden muß, was ein starkes Unterätzen der Kontaktlöcher zur Folge hat.
Further, when opening the contact holes (aluminum to n+ regions, aluminum to p+ regions and aluminum to polysilicon regions) in integrated CMOS and NMOS circuits in which an additional interconnect is utilized, a problem occurs in that etching must be carried out in oxide layers of different thicknesses, resulting in a substantial undercutting of the contact holes.
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