Translation of "Stromeinprägung" in English

Jede dieser Stufen weist eine Stromeinprägung S1...
Each of these stages has current impressing means S1...
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Eingangsseitig ist der Strom­spiegel mit einer neunten Stromeinprägung 43 beaufschlagt.
At its input side, the current mirror is charged with a ninth current source 43.
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Die Stromeinprägung kann dabei durch eine Regelung erfolgen oder durch eine Stromspiegelschaltung.
In the process the current can be applied via a closed-loop control or current mirror circuit.
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Figur 12 zeigt das Blockschaltbild einer Auswerteeinheit mit Stromeinprägung.
FIG. 12 illustrates the circuit diagram of an evaluation unit with current injection.
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Der Laststrom dieses Ausgangstransistors oder zweiten Transistors dient zur Stromeinprägung in den Steueranschluß des Hochfrequenztransistors.
The load current of said output transistor or second transistor serves for impressing current into the control terminal of the radiofrequency transistor.
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Die elektrisch leitfähigen Teilbereiche der Verkapselungsschicht dienen in diesem Fall insbesondere zur Stromeinprägung in die Stromaufweitungsschicht.
In this case, the electrically conductive partial regions of the encapsulation layer, serve in particular, for impressing current into the current spreading layer.
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In jedem Fall werden dadurch die Stromeinprägung und die damit einhergehenden und zuvor beschriebenen Störungen vermieden.
In any case, the current impression and the consequent and above-described interference are avoided.
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Zur Stromeinprägung in die aktive Schicht 12 ist auf der Oberfläche eine Kontaktstruktur 16 vorgesehen.
For the purpose of impressing current into the active layer 12, a contact structure 16 is provided on the surface.
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Anstelle einer Stromeinprägung kann auch unter Berücksichtigung der Charakteristik der Regelstrecke eine Spannungseinprägung erfolgen.
Instead of the impression of a current an impression of the voltage can also take place taking into account the characteristic of the regulation path.
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Die Zuleitungen zum Prüfteil und die Elektroden zur Stromeinprägung sollten vorzugsweise aus nichtferromagnetischen Werkstoffen ausgelegt werden.
Electric lines to the part under test and the electrodes for current impression should preferably be made of nonferromagnetic materials.
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Folglich ist auf einfache Weise eine Stromeinprägung über einen großen Bereich des lateralen Chip-Querschnitts möglich.
Consequently, current impression over a large region of the lateral chip cross section is possible in a simple way.
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Durch diese Schaltungstechnik wird eine bestimmte Stromeinprägung für die Verstärkerschaltung erzielt, wozu Schaltmittel verwendet sind, die sich bequem an die zur Referenzspannungsquelle gehörenden Schaltmittel anfügen lassen.
The circuitry technique results in a specific current feed for the amplifier circuit for which purpose switching means are used which can be readily attached to the switching means which form part of the reference voltage source.
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Das Ausführungsbeispiel zeigt ein Transistorpaar mit einem ersten und zweiten Bipolartransistor T1, T2 vom npn-Typ, deren gekoppel­te Emitteranschlüsse über eine erste Stromeinprägung S1 an ein negatives erstes Potential V1 und deren Kollektoranschlüsse je­weils über einen Widerstand R1, R2 an ein positives zweites Po­tential V2 angeschlossen sind, wobei die Widerstände R1, R2 ge­gebenenfalls auch durch Leitungsbrücken ersetzt werden können.
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Referring now to the single figure of the drawing in detail, there is seen a transistor pair with first and second bipolar transistors T1, T2 of the n-p-n type, having coupled emitter terminals which are connected through first current impressing means S1 to a negative first potential V1, and collector terminals which are each connected through a respective first or second resistor R1, R2 to a positive second potential V2.
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Die Basis des ersten Bipolartransistor T1 ist zum einen über eine zweite Stromeinprägung S2 mit dem ersten Poten­tial V1 und zum anderen mit dem Sourceanschluß eines ersten MOS-Feldeffekttransistors Q1 vom n-Kanal-Typ verbunden.
The base of the first bipolar transistor T1 is connected through second current impressing means S2 to the first potential V1 and it is also connected to the source terminal of a first MOS field effect transistor Q1 of the n-channel type.
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In gleicher Weise ist die Basis des zweiten Bipolar­transistors T2 zum einen über eine dritte Stromeinprägung S3 mit dem ersten Potential V1 und zum anderen mit dem Sourceanschluß eines zweiten MOS-Feldeffekttransistors Q2 vom n-Kanal-Typ ver­bunden.
In the same manner, the base of the second bipolar transistor T2 is connected to the first potential V1 through third current impressing means S3 and it is also connected to the source terminal of a second MOS field effect transistor Q2 of the n-channel type.
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Je nach Betriebsfall wird also entweder das erste Transistorpaar mit den Transistoren T1 und T2 oder das dritte Transistorpaar mit den Transistoren T11 und T12 auf die Stromeinprägung aufgeschaltet.
Accordingly, depending on the type of operation, either the first pair of transistors T1 and T2, or the third pair of transistors T11 and T12, is connected to the current impressing means.
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Im bisher beschriebenen Fall der Stromeinprägung bei einem spannungseinprägenden Umrichter wurde eine Stromregelung für die beiden orthogonalen (kartesischen) Komponenten des Stromvektors benutzt.
In the case described up to now of current impression in a voltage-impressing converter, current regulation for the two orthogonal (cartesian) components of the current vector was used.
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Der Kol­lektor des ersten Transistors 1 ist darüber hinaus zum einen über eine zweite Stromeinprägung 5 an dem Nullpotential 0 und zum anderen an dem Emitter eines kollektorseitig über einen er­sten Widerstand 6 mit einem ersten Versorgungspotential 10 ver­bundenen dritten Transistor 7 angeschlossen.
In addition, the collector of the first transistor 1 is connected, first to the zero potential 0 via a second current source 5 and, second, to the emitter of a third transistor 7 that has its collector side connected to a first supply potential 10 via a first resistor 6.
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In gleicher Weise ist der Kollektor des zweiten Transistors 2 zum einen über eine dritte Stromeinprägung 11 an dem Nullpotential 0 und zum ande­ren an dem Emitter eines kollektorseitig über einen zweiten Wi­derstand 8 mit dem ersten Versorgungspotential 10 verbundenen vierten Transistor 9 angeschlossen.
Similarly, the collector of the second transistor 2 is connected, first to the zero potential 0 via a third current source 11 and, second, to the emitter of a fourth transistor 9 that has its collector side connected to the first supply potential 10 via a second resistor 8.
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In Ausgestaltung der Erfindung sind der erste und zweite Tran­sistor 1, 2, der dritte und vierte Transistor 7, 9, sowie die zweite und dritte Stromeinprägung 5, 11 sowie der erste und zweite Widerstand 6, 8 jeweils identisch aufgebaut.
In a development of the present invention, the first and second transistors 1, 2, the third and fourth transistors 7, 9, the second and third current sources, 5, 11, as well as the first and second resistors 6, 8 are each identically constructed to one another, respectively.
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Die den ersten invertierenden Eingang 12 der Anordnung nach FIG 1 bildende Basis des dritten Transi­stors 7 ist dazu zum einen über eine vierte Stromeinprägung 20, 21, 41, 42, 43 mit dem Nullpotential 0 und zum anderen mit dem Emitter eines fünften Transistors 22, der kollektorseitig an dem ersten Versorgungspotential 10 und basisseitig an dem über einen dritten Widerstand 23 mit dem ersten Versorgungspotential 10 verbundenen Kollektor eines siebten Transistors 24 liegt, verschaltet.
The base of the third transistor 7 forming the first invertor input 12 of the arrangement of FIG. 1 is thereby connected, first, to the zero potential 0 via a fourth current source composed of circuit elements 20, 21, 41, 42, 43 and, second, is connected to the emitter of a fifth transistor 22 that has its collector side connected to the first supply potential 10 and has its base side connected to the collector of a seventh transistor 24 and to the first supply potential 10 via a third resistor 23.
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Ebenso ist die den ersten nichtinvertierenden Eingang 12 der Anordnung nach FIG 1 bildende Basis des vierten Transistors 9 zum einen über eine fünfte Stromeinprägung 15, 16, 41, 42, 43 mit dem Nullpotential 0 und zum anderen mit dem Emitter eines sechsten Transistors 17, der kollektorseitig an dem ersten Versorgungspotential 10 und basisseitig an dem über einen vierten Widerstand 18 mit dem ersten Versorgungspotential 10 verbundenen Kollektor eines achten Transistors 19 liegt, ver­schaltet.
Likewise, the base of the fourth transistor 9 that forms the first non-inverting input 12 of the arrangement of FIG. 1 is connected, first, to the zero potential 0 via a fifth current source composed of circuit elements 15, 16, 41, 42, 43 and, second to the emitter of a sixth transistor 17 whose collector side is connected to the first supply potential 10 and whose base side is connected to the collector of an eighth transistor 19 and to the first supply potential 10 via a fourth resistor 18.
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Die gekoppelten Emitter des siebten und achten Tran­sistors 24, 19 sind über eine sechste Stromeinprägung 25 mit dem Nullpotential 0 verbunden.
The coupled emitters of the seventh and eighth transistors 24, 19 are connected to the zero potential 0 via a sixth current source 25.
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Ein kollektorseitig auf erstem Versorgungspotential 10 liegender neunter Transistor 26, dessen Basis als nichtinvertierender dritter Eingang 30 vorgesehen ist, ist emitterseitig mit der Basis des siebten Transistors 24 und einem Anschluß eines ersten seriellen Diodenpaares 27 in Durchlaßrichtung, dessen zweiter Anschluß zum einen mit der Ba­sis des ersten Transistors 1 verbunden ist und zum anderen über eine siebte Stromeinprägung 28, 29, 41, 42, 43 an dem Nullpoten­tial 0 liegt, verschaltet.
A ninth transistor 26 that has its collector side connected to the first supply potential 10 and whose base is provided as a non-inverting, third input 30 has its emitter side connected to the base of the seventh transistor 24 and to a first terminal of a first serial diode pair 27 in a conducting direction. A second terminal of the first serial diode pair 27, first, is connected to the base of the first transistor 1 and, second, to the zero potential 0 via a seventh current source composed of circuit elements 28, 29, 41, 42, 43.
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In gleicher Weise ist ein kollektor­seitig an dem ersten Versorgungspotential 10 liegender zehnter Transistor 31, dessen Basis als dritter invertierender Eingang 30 vorgesehen ist, emitterseitig mit der Basis des achten Tran­sistors 19 und einem Anschluß eines zweiten seriellen Dioden­paares 32 in Durchlaßrichtung, dessen zweiter Anschluß zum einen mit der Basis des zweiten Transistors 2 verschaltet ist und zum anderen über eine achte Stromeinprägung 33, 34, 41, 42, 43 an dem Nullpotential 0 liegt, verbunden.
In the same fashion, a tenth transistor 31 that has its collector side connected to the first supply potential 10 and whose base is provided as a third, inverting input 30 has its emitter side connected to the base of the eighth transistor 19 and to a first terminal of a second serial diode pair 32 in a conducting direction. A second terminal of the second serial diode pair 32, first, is connected to the base of the second transistor 2 and, second, to the zero potential 0 via an eighth current source composed of circuit elements 33, 34, 41, 42, 43.
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In Weiterbildung der Erfindung ist als sechste Stromeinprägung 25 ein Digitalanalogwandler mit Stromausgang vorgesehen, der über seine Datenleitungen 44 digital ansteuerbar ist.
In the development of the present invention, a digital-to-analog converter with current output is provided as sixth current source 25, this being digitally derivable via its data lines 44.
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