Translation of "Speicherzyklus" in English

Ein Auffrischen aller Speicherzellen bei jedem Speicherzyklus ist im allgemeinen weder nötig noch ökonomisch neutral.
A refreshing of all memory cells in each memory cycle is generally neither necessary nor economical.
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Der NO x -Speicherkatalysator 1 ist in einem Speicherzyklus mit einen Absorptions- und einen Regenerationsmodus betreibbbar.
The NO x storage converter 1 can be operated in a storage cycle with an absorption mode and a regeneration mode.
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Bei dieser Betriebsart wird bei jedem Speicherzyklus zunächst die gespeicherte Information ausgelesen und vor dem erneuten Einspeichern der Information ist es möglich, diese zu ändern.
With such an operating mode, the stored information is first read out at each memory cycle and may be changed, if desired, before renewed inscription of the information.
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Der Indexspeicher 28 muß eine sehr kurze Zugriffszeit haben, da die Daten dieses Speichers innerhalb eines Speicherzyklus für die Adresse der Speichermatrix 26 benötigt werden.
The index storage 28 must have a very short access time, since the data of this storage become necessary within a storage cycle for the address of the storage matrix 26.
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Im Zuge eines zuvor erläuterten Speicherzyklus in dem Zählerstandspeicher ZSP1 zur Abfrage der einzelnen momentanen zweiten Zählerstände ist dann lediglich zu überprüfen, ob mit dem jeweiligen momentanen zweiten Zählerstand ein Überlaufbit gespeichert ist.
During the course of the previously mentioned memory cycle in the counter reading memory ZSP1 for interrogating the individual momentary second counter readings, the only thing to be done is to check whether an overflow bit is stored with the respective memory second counter reading.
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Die Transistoren t5 und t6 dienen zum Killen der Ladezustände an den Signalausgängen AU1 und AU2 des Ergänzungs - teils nach Beendigung eines Speicherzyklus.
The transistors t5 and t6 serve the purpose of killing the charge states at the signal outputs AU1 and AU2 of the supplemental part after a storage cycle is completed.
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Aufgabe der Erfindung ist es, einen Keimbildner für ein Latentwärmespeichermittel auf der Basis von Natriumacetat-Trihydrat zu schaffen, der eine sichere und vom ersten Speicherzyklus an fehlerfreie Keimbildung des Natriumacetat-Trihydrats am Schmelzpunkt oder nur wenige Grade (<100°C) unter dem Schmelzpunkt bewirkt.
It is the object of the invention to provide a nucleating agent for a latent heat storage medium based on sodium acetate-triydrate which produces a sure and, from the very first storage cycle on, a defect-free nucleation of the sodium acetate-trihydrate at the melting point or only a few degrees (<10° C.) below the melting point.
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Das so gewonnene Produkt, dessen genaue Zusammensetzung und Struktur noch ungeklärt ist, wirkt, in Mengen von 0,4 bis 3 Gew.% zu Natriumacetat-Trihydrat zugesetzt, als sicherer Keimbildner, der vom ersten Speicherzyklus an die Kristallisation am Schmelzpunkt oder nur wenige Grade (<10"C) darunter auslöst.
The product thus obtained whose accurate composition and structure is still unknown, added to sodium acetate-trihydrate in quantities of 0.4 to 3% by weight, acts as a sure nucleating agent which, from the first storage cycle on, initiates the crystallization at the melting point or only a few degrees (<10° C.) therebelow.
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Die dadurch in einem geschlossenen Speicherbehälter auftretenden Druckänderungen würden den Behälter schon beim ersten Speicherzyklus verformen und zerstören, wenn nicht zusätzlich zu den genannten Homogenisierungszusätzen geeignete Maßnahmen ergriffen werden, um diese Volumenänderung aufzufangen.
The resulting pressure variations occurring in a closed storage container would deform the container already in the first storage cycle and would destroy it if, in addition to the said homogenization additions, suitable measures would not be taken to compensate for said volume variation.
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Das Fällungsprodukt von Natriumwolframat-Dihydrat aus einer Schmelze von Natriumacetat-Trihydrat ist ein Keimbildner für Latentwärmespeichermittel auf der Basis von Natriumacetat-Trihydrat, der eine sichere und vom ersten Speicherzyklus an fehlerfreie Keimbildung des Natriumacetat-Trihydrats am Schmelzpunkt oder nur wenige Grade unter dem Schmelzpunkt bewirkt.
The precipitation product of sodium tungstate dihydrate from a melt of sodium acetate-trihydrate is a nucleating agent for latent heat storage medium on the basis of sodium acetate-trihydrate, which produces a sure and from the first storage cycle on defect-free nucleation of the sodium acetate-trihydrate at the melting point or only a few degrees below the melting point.
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Für das Einschreiben eines neuen und das Auslesen eines Doppelbytes (zwecks Gewinnung eines einzelnen verschobenen Bytes) steht jeweils ein Speicherzyklus ("Bytezyklus") von 25 µs zur Verfügung, damit innerhalb eines Rahmenzyklus von 6 ms für alle 10 Kanäle der Gruppe 24 Bytes eingelesen und 24 Bytes wiedergewonnen werden können.
For storing a new byte and for fetching a double byte (as a basis for obtaining a single shifted byte) one storage cycle ("byte cycle")of 25 ?s is available, to allow within one frame cycle of 6 ms the storing of 24 bytes and fetching of 24 bytes for all ten channels of the group.
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Hierzu ist eine asynchrone Taktschaltung 6 vorhanden, die einen asynchronen Rechnertakt erzeugt, nämlich entsprechend der Länge eines Speicherzyklus.
An asynchronous clock circuit 6 is provided for this purpose, which generates an asynchronous computer clock cycle, namely corresponding to the duration of a memory cycle.
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Ein solcher Speicherzyklus dauert etwa 60 bis 100 Sekunden, wobei für die Regeneration etwa 0,5 bis 20 Sekunden benötigt werden.
A storage cycle of this type lasts about 60 to 100 seconds, about 0.5 to 20 seconds being needed for the regeneration.
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Zu Beginn eines solchen Speicherzyklus liegen folgende Signalverhältnisse an den Eingängen des Halbleiterspeichers für die entsprechenden Steuersignale vor: R/W und CAS sind bereits auf "Low", RAS geht auf "Low".
At the beginning of such a memory cycle, the following signal conditions are present at the inputs of the semiconductor memory for the corresponding control signals: R/W and CAS are already at "Low", and RAS goes to "Low".
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Da durch die Zähleranordnung Z2 fortlaufend Adressensignale bereitgestellt werden, erfolgt im Zuge eines über eine Mehrzahl von Nachrichtenzellen bzw. Leerzellen sich erstreckenden Speicherzyklus für sämtliche in dem Zählerstandspeicher ZSP1 gespeicherten zweiten Zählerstände eine Abfrage und anschließende Überführung in den Anfangszählerstand.
Since the counter arrangement Z2 continuously offers address signals, an interrogation and subsequent conversion into the starting counter reading occurs for all second counter readings stored in the counter reading memory ZSP1 during the course of a memory cycle extending over a plurality of message cells or respectively dummy cells.
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Nach dieser ersten Zeitspanne r beginnt die zweite Zeitspanne s, welche variabel ist und also z.B. zwischen 0 bis 5 ins dauern kann und in welcher ein Speicherzyklus 1/2/3/4 sofort wieder einen Refreshzyklus 5 bzw. 5 auslösen soll.
The second time interval s is variable and therefore potentially lasts, for example, between 0 and 5 ?s and the memory cycle 1/2/3/4 is intended to immediately trigger another refresh cycle 5 or 5 in the second time interval s.
EuroPat v2
Wenn jedoch innerhalb der zweiten Zeitspanne s; also nach dem Rücksetzen der Kippstufe 19, kein Speicherzyklus 1/2/3/4, also z.B. kein Lesezyklus 1/2/3/4, auftrat, dann wird die Kippstufe 19, diesmal über den vom Zeitmesser 20 gelieferten Verlauf e -also im hier gewählten Beispiel ca. 16 u.s nach dem Beginn a' der letzten vorhergehenden ersten Zeitspanne r -sowie über die UNDglieder 15 und 16, sowie über die Kippstufen 17 und 18 - leicht verzögert bis ange nähert zum Beginn der nächsten ersten Zeitspanne r -rückgesetzt, wonach die Kippstufe 13 in der anschließend folgenden ersten Zeitspanne r keinen Refreshzyklus-Takt 5 bzw. 5 mehr an das UNDglied 21 liefern kann.
However, when no memory cycle 1/2/3/4 occurred within the second time interval s, for example, after the resetting of the trigger circuit 19, then the trigger circuit is reset this time via the pulse of the curve e in FIG. 4 supplied by the timer 20 and by the AND gates 15 and 16 and the trigger circuits 17 and 18. In the illustrated example, this occurs at about 16 ?s after the beginning a' of the most recently preceding, first time interval r. This is slightly delayed until approximately the beginning of the next first time interval r, after which the trigger circuit 13 can no longer supply a refresh cycle clock 5 or 5 to the AND gate 21 in the subsequently-following first time interval r.
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Während der Dauer des Refreshzyklusses wird bei den bekannten RAM-Speichereinheiten kein Zugriff von außen, also z.B. von einem außen angeschlossenen Prozessor, auf die betreffende RAM-Speichereinheit zugelassen, d.h. es wird also kein normaler Speicherzyklus, also weder ein Lesenoch ein Schreibzyklus, durchgeführt.
In the known RAM memory units, no access from the exterior, i.e., from an externally-connected processor, to the appertaining RAM memory unit is permitted during the duration of a refresh cycle, i.e., no normal memory cycle is executed, such as a read cycle or a write cycle.
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Nach der bisherigen Beschreibung muss die Speichereinheit 10 in der Lage sein, in einem Speicherzyklus einen gesamten 64-Bit-Block vom Blockgenerator 4 oder einen 32-Bit-Block vom Rechner abzuspeichern.
According to the above specification, storage unit 10 is to be able to store in one storage cycle an entire 64-bit block from block generator 4, or a 32-bit block from the computer.
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Im Register 41 werden die Bits AO bis A6 und A10 bis A12 der Speicheradresse gespeichert und während des gesamten Speicherzyklus verfügbar gemacht.
Register 41 stores bits A0 to A6 and A10 to A12 of the storage address, and holds them available over the entire storing cycle.
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Die Software gestattet es zusätzlich, ein individuelles Setup für Tango zu erstellen und auf das Gerät zu übertragen (Meßwerte, Speicherzyklus, Perzentile).
Furthermore you are able to create an individual set-up for Tango and transfer it to the instrument (measurement values, storage cycles, percentiles).
ParaCrawl v7.1
Eingangsseitig sind an den Multiplexer M über drei Leitungssysteme neben dem bereits in FIG 3 dargestellten Decodierer DEC eine zweite Zähler­anordnung Z2 sowie ein Adressenbus eines sämtlichen Behandlungs­einrichtungen BHE (FIG 2) übergeordneten Vermittlungsrechners VR beispielsweise in Form einer Mikroprozessoranordnung angeschlos­sen. Durch die Zähleranordnung Z2, die mit einer der Anzahl der in dem Zählerstandspeicher ZSP1 vorhandenen Speicherbereiche ent­sprechenden Zählperiode umläuft, werden dabei fortlaufend Adres­sensignale nach Maßgabe der Dauer eines oben erwähnten, peri­odisch wiederholt durchgeführten Speicherzyklus bereitgestellt.
In addition, to the decoder DEC shown in FIG. 3, a second counter arrangement Z2 as well as an address bus of a switching computer VR, for example, in the form of a microprocessor arrangement that ranks higher than all handling means BHE shown in FIG. 2 are connected to the input of the multiplexer M by way of three line systems. The counter arrangement Z2 that runs with a counting period that corresponds to the plurality of memory areas present in the counter reading memory ZSP1 thereby offers continuous address signals based on the prescription of the duration of previously mentioned periodically repeated executed memory cycle.
EuroPat v2