Translation of "Speicherladung" in English

Es ist bekannt, die Speicherladung durch Eindiffusion von Metallen herabzusetzen.
It is known to reduce the storage charge by driving in metals.
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Entsprechend ist sein Anteil an der gesamten Speicherladung der Diode niedrig.
Accordingly, its proportion of the total storage charge of the diode is low.
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Die Speicherladung ließe sich zwar dadurch verringern, daß die Außenzonen des Thyristors schwächer dotiert werden.
It would indeed be possible to reduce the storage charge by weaker doping of the outer zones of the thyristor.
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Für die Anwendung in Stromrichtern und Choppern ist eine möglichst niedrige Speicherladung im Halbleiterbauelement erwünscht.
An optimally low storage charge in the semiconductor component is desirable for use in power converters and choppers.
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Eine Minimierung der Speicherladung z.B. durch kurze Trägerlebensdauern führt in allgemeinen zu einer Reduktion der Rückstromspitze.
Minimization of the stored charge, for example by short carrier lifetimes, generally results in a reduction of the reverse-current peak.
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Dies hat zur Folge, dass die Durchlassverluste niedrig und die Speicherladung hoch sind.
The result of this is that the conduction losses are low and the stored charge is high.
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Entsprechend der Aufgabenstellung dieser Erfindung war eine möglichst niedrige Speicherladung bei einem minimalen Temperaturgang gewünscht.
According to the objective of the invention, the storage charge should be as low as possible at a minimum temperature drift.
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Die zu Beginn der Abbauphase ohnehin größere Speicherladung Q1 des PNP-Transistors T1 wird aber wesentlich langsamer abgebaut.
The storage charge Q1 of the PNP transistor T1, which is higher anyhow at the beginning of the discharge phase, is discharged at a much slower rate.
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Sie sind vorteilhaft auch bei asymmetrisch, d. h. nur in Kipprichtung sperrenden Thyristoren zusätzlich zu katodenseitigen Kurzschlüssen anwendbar, da sich damit die anodenseitige Speicherladung im Halbleiterkörper und damit die Freiwerdezeit herabsetzen läßt.
They are also advantageously employed, in addition to short circuits on the cathode side, in asymmetric thyristors--that is, those thyristors that only block in the discharge direction, since by this means the storage load on the anode side of the semiconductor body--and consequently the recovery time can be reduced.
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Der durch den Basisstrom nicht entladene Teil von LlQ verbleibt als Speicherladung im PNP-Transistor T01 auf der sich im Ein-Zustand befindlichen Seite.
The part of ?Q not discharged by the base current remains as a storage charge in PNP transistor T01 on the ON state side.
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Als Folge davon injiziert das Emittergebiet 5 negative Ladungsträger, die zusammen mit den durch Ic1 eingeschwemmten positiven Ladungsträgem unterhalb von 5 eine Speicherladung aufbauen, die durch die seitlichen Begrenzungen 25 und 26 angedeutet wird.
As a consequence, the emitter region 5 injects negative charge carriers which together with the positive charge carriers flooded in by Ic1 build up a storage charge below emitter region 5 which is indicated by the lateral dashed lines 25 and 26.
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Das bedeutet aber, daß sich der restliche Aufbau der Speicherladung von T2, T4... T2n viel schneller vollzieht als das ohne diese Überlappung der Fall wäre.
T2n will simultaneously be built up. This means, however, that the remaining build up of the storage charge of T2, T4 . . .
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Mit dieser Maßnahme läßt sich die katodenseitige Speicherladung wesentlich absenken, so daß im Abschaltfall von vornherein in der Nähe des Blockier-pn-Uberganges nur wenig Ladungsträger vor­handen sind.
The storage charge at the cathode side can be significantly lowered with this measure, so that only a few charge carriers are present at the very outset in the proximity of the blocking pn junction.
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Ziel der Erfindung ist es, ein Halbleiterbauelement der eingangs erwähnten Gattung durch Gestaltung von Kurzschlüssen ohne Beeinträchtigung der Sperrfähigkeit so weiterzubilden, daß eine Herabsetzung der Speicherladung möglich wird.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the invention is to improve a semiconductor component of the type initially cited by designing shorts without deterioration of the blocking capability, so that a reduction of the storage charge becomes possible.
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Nach Start des Programms wird im ersten Schritt 200 der in der entsprechenden Radbremse gemessene Istbremsdruck PRADIST, der für diese Radbremse vorgegebene Solldruck PRADSOLL, der Speicherdruck PSP, das Ansteuertastverhältnis tPUMO des Pumpenmotors zur Speicherladung und vom Druckregler vorgegebenen Ventilströme eingelesen.
After the start of the program, the actual braking pressure PRADIST measured in the corresponding wheel brake, the setpoint pressure PRADSOLL predefined for this wheel brake, the accumulator pressure PSP, the driving pulse duty factor T PUMO of the pump motor with respect to the accumulator charge and valve currents preset by the pressure regulator are input in first step 200 .
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Die Ursache liegt in der Speicherladung der Diode, welche beim Abschalten (Kommutierung des Stroms) zu der bekannten Rückstromspitze führt.
This is due to the stored charge of the diode which, during turn-off (commutation of the current), results in the known reverse-current peak.
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Aber selbst unter Ausnutzung aller Möglichkeiten zur Minimierung der Speicherladung und zur Begrenzung der Rückstromspitze steigt bei derart optimierten Dioden die Verlustleistung auf so hohe Werte an, dass ein Lawinendurchbruch der Diode wahrscheinlich wird.
But even if all the possibilities of minimizing the stored charge and of limiting the reverse-current peak are utilized, the power loss in the case of such optimized diodes rises to such high values that avalanche breakdown of the diode becomes probable.
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Da die Rückstromspitze nicht sehr stark von der Durchlassstromdichte abhängt, wird die Speicherladung bei niedrigen Durchlassstromdichten schneller abgebaut.
Since the reverse-current peak does not depend very greatly on the forward-current density, the stored charge is reduced more rapidly at low forward-current densities.
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Wenn der untere IGBT schneller eingeschaltet wird, als die Speicherladung aus dem oberen IGBT abgeflossen ist, fließt ein nahezu unbegrenzter Strom über die beiden IGBT's und führt in der Regel zur Zerstörung mindestens eines der beiden Bauelemente.
When the lower IGBT is activated faster than the stored charge has flowed from the upper IGBT, a nearly unlimited current flows across the two IGBTs and usually leads to the destruction of at least one of the two components.
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Um dies zu verhindern, kann man zunächst den unteren IGBT im MOS-Fet-Modus einschalten und erst, nachdem die Speicherladung aus dem oberen IGBT abgeflossen ist, in den IGBT-Modus umschalten.
In order to prevent this, the lower IGBT can first be switched in the MOSFET mode and can be switched into the IGBT mode only after the stored charge has flowed off from the upper IGBT.
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Transient, d.h. während dem Ein- bzw. Ausschalten (Phasen P1 und P3) bestimmen vor allem halbleitereigene Eigenschaften wie z.B. Unterschiede bezüglich Speicherladung und Sperrschichtkapazität, unterschiedliche Verzögerungen und Ein- bzw. Ausschaltzeiten die Spannungsverteilung.
It is chiefly inherent semiconductor properties such as, for example, differences with respect to storage charge and depletion layer capacitance, different delay times and turn-on and turn-off times which determine the voltage distribution transiently, that is to say during turn-on and turn-off (Phases P1 and P3).
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Wie aus Figur 7 zu ersehen ist, läßt sich der beschriebene Pro­zeß hervorragend zur Erzeugung lateraler pnp-Transistoren ver­wenden: ohne Basis-Implantation und als Streifenstruktur erhält man pnp-Transistoren, die praktisch keine Speicherladung unter den p?-Gebieten akkumulieren können.
As may be seen from FIG. 7, the described process can be used for generating lateral pnp transistors that can accumulate practically no stored charge under the p+ regions without base implantation and in a vertically aligned structure.
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Als Folge davon injiziert das Emittergebiet 5 negative Ladungsträger, die zusammen mit den durch Ic1 eingeschwemmten positiven Ladungsträgern unterhalb von 5 eine Speicherladung aufbauen, die durch die seitlichen Begrenzungen 25 und 26 angedeutet wird.
As a consequence, the emitter region 5 injects negative charge carriers which together with the positive charge carriers flooded in by Ic1 build up a storage charge below emitter region 5 which is indicated by the lateral dashed lines 25 and 26.
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Das Emittergebiet 4 injiziert daraufhin negative Ladungsträger in die Basisschicht 2, wobei diese zusammen mit positiven Ladungsträgern, die durch den Basisstrom Ib eingeschwemmt werden, eine sog. Speicherladung bilden, die sich zunächst unterhalb von 4 in der Basisschicht 2 aufbaut und sich bei anhaltendem Basisstrom schließlich nach dem Abbau der Raumladungszone zwischen den Teilen 2 und 3a auch auf die Teilschicht 3a ausdehnt.
The emitter region 4 then injects negative charge carriers into the base layer 2 such that these together with positive charge carriers which are flooded in by the base current Ib form a storage charge which is first built up below the emitter 4 in the base layer 2 and assuming a continuing base current finally extends to the sublayer 3a after removing the space charge zone between the portions 2 and 3a.
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Die seitlichen Grenzen der Speicherladung unterhalb von 4 werden durch die gestrichelten Linien 22 und 23 angedeutet.
The lateral boundaries of the storage charge under the emitter 4 are indicated by the broken lines 22 and 23.
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Eine Realisierung mit einer niederohmigen Ausgangsimpedanz ermöglicht beispielsweise trotz einer eventuell geforderten DC-gekoppelten Auskopplung des Zwischenfrequenzsignals ein annähernd DC-freies Ausgangssignal, da sich über dem niederohmigen Kanalwiderstand keine Speicherladung aufbauen kann, die anschließend dem Zwischenfrequenzsignal als DC-Anteil überlagert wäre.
An implementation with a low-resistance output impedance, for example, enables a roughly DC-free output signal in spite of the possibly required DC-coupled decoupling of the intermediate frequency signal, since, over the low-resistance channel resistor, a storage charge cannot build up which would then be superimposed on the intermediate frequency signal as the DC portion.
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