Translation of "Rückschreiben" in English

Darüber hinaus erlaubt arcplan, soweit gestattet, das Rückschreiben in diese Datenbanken.
In addition, arcplan enables write-back to these data sources where permitted.
ParaCrawl v7.1
Das im Unterbrechungsregister UR gefundene U-Bit wird gelöscht, und durch Rückschreiben in die gleiche Ebene des Programmregister PR durch ein P-Bit ersetzt.
The U-bit found in the interrupt register UR is erased and is replaced by a P-bit by re-inscription into the same level of the program register PR.
EuroPat v2
Das im Unterbrechungsregister UR gefundene U-Bit wird gelöscht, und durch Rückschreiben in die gleiche Stelle des Programmregisters PR durch ein P-Bit ersetzt.
The U-bit found in the interrupt register UR is erased and is replaced by a P-bit by re-inscription into the same level of the program register PR.
EuroPat v2
In dem Ausführungsbeispiel wird das Datenwort C gemäß Gleichung 1 beim Rückschreiben in den nichtflüchtigen Speicher 1 in 4 Speicherworte aufgeteilt.
In the present example the data word C in conformity with the equation 1 is subdivided into four memory words upon rewriting into the non-volatile memory 1 .
EuroPat v2
Die Schalter PHI5 bzw. EPMATHMARKEREP EPMATHMARKEREP und die Schalter PHI6 bzw. EPMATHMARKEREP EPMATHMARKEREP sind gewählt, um immer die volle Spannung VCC bzw. 0 V vom Bewerter 1 in die ferroelektrische Speicherzelle rückschreiben zu können.
The switch PHI 5 and respectively {overscore (PHI 5)} and the switch PHI 6 and respectively {overscore (PHI 6)} are selected to ensure that the full voltage VCC or 0 V can always be written back from the evaluator circuit 1 into the ferroelectric memory cell.
EuroPat v2
Schließlich erfolgt während eines Zeitraumes t5-t6 ein Rückschreiben vom Bewerter 1 in den ferroelektrischen Speicherkondensator FCS durch Aktivieren der Schalter PHI2 und PHI6 sowie der Wortleitung WL.
Finally, during a period of time t 5 -t 6, a write-back takes place from evaluator circuit 1 into the ferroelectric storage capacitor FCS through activation of the switches PHI 2 and PHI 6 and of the word line WL.
EuroPat v2
In der zweiten Phase wird nach dem Rückschreiben des gesamten Speichers mit der variablen Parität mit den funktionalen Daten der Speicher wieder komplett ausgelesen und die Parität des Datums mit der variablen Parität VP (Paritätsbestimmung durch Adressbit A (4-i) im i ten Zyklus) verglichen.
In the second phase, after writing back the entire memory unit with variable parity with functional data, the memory unit is once again read in full and the parity of the data is compared with the variable parity VP (parity definition by address bit A (4.1) in the ith cycle).
EuroPat v2
Hierdurch ist bei einem Rücksprung von der Funktion 2 zu der ersten Funktion ein Rückschreiben der Registerinhalte aus dem Stack 8 in die Registerbank 2 möglich, wobei die jeweiligen Inhalte genau in dem Register abgelegt werden, in dem sie vorher geschrieben wurden.
By these measures, in the event of a return from the function 2 to the first function, the register contents can be written back from the stack 8 to the register bank 2, the respective contents being stored precisely in the register in which they were previously written.
EuroPat v2
Das von dem Prüfgerät an den Schaltkreis übertragene Eingangssignal kann auch mit einem Befehl zum Auslesen des Inhalts des Schieberegisters unter gleichzeitigem Rückschreiben des ausgelesenen Informationsinhalts kodiert werden.
The input signal transmitted from the checking device to the circuit can also be encoded with a command for reading the contents of the shift register with simultaneous re-writing of the read information contents.
EuroPat v2
Das erste Schreib-Leseverstärkerelement (SAINT) dient primär dem Rückschreiben vom Zellinformationen, während das zweite Schreib-Leseverstärkerelement (SAEX) außerdem die ausgelesene Information, beziehungsweise das ausgelesene Datum, in einen externen Bereich des DRAM-Speichers treiben kann und das Schreiben von Zellinformationen ermöglicht.
The first read/write amplifier element (SAINT) serves primarily for writing back cell information items, while the second read/write amplifier element (SAEX) can additionally drive the information item read out, or the datum read out, into an external area of the DRAM memory and enables the writing of cell information items.
EuroPat v2
Bei dem in Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiel dient das Schreib-Leseverstärkerelement 40 primär dem Rückschreiben der Zellinformation, während das Schreib-Leseverstärkerelement 50 außerdem die gelesene Information zum weiteren Schreib-Leseverstärker 32 treiben kann und das Schreiben von Zellinformationen ermöglicht.
In the exemplary embodiment illustrated in FIG. 3, the read/write amplifier element 40 serves primarily for writing back the cell information, while the read/write amplifier element 50 can additionally drive the information read to the further read/write amplifier 32 and enables the writing of cell information items.
EuroPat v2
Die Schalter PHI5 bzw. PHI 5 und die Schalter PHI6 bzw. PHI 6 sind gewählt, um immer die volle Spannung VCC bzw. 0 V vom Bewerter 1 in die ferroelektrische Speicherzelle rückschreiben zu können.
The switch PHI 5 and respectively {overscore (PHI 5)} and the switch PHI 6 and respectively {overscore (PHI 6)} are selected to ensure that the full voltage VCC or 0 V can always be written back from the evaluator circuit 1 into the ferroelectric memory cell.
EuroPat v2
B. EPROM) oder Transponder an dem Magazin 12, wobei in jedem Fall auf ein Rückschreiben des Zählerstandes verzichtet wird, um eine möglichst einfache Gerätekonstruktion und die Verwendung kostengünstiger Datencodes zu erlauben.
EPROM) or transponders on the magazine 12 whereby a rewriting of the counter reading is not necessary in every case in order to allow the simplest possible instrument construction and the use of cost-effective data codes.
EuroPat v2
Dadurch kann auch auf ein Rückschreiben der Verbrauchsinformation auf das Magazin verzichtet werden, so dass dieses als Austauschartikel weiter vereinfacht werden kann.
As a result it is not necessary to rewrite the information about consumption on the magazine and hence it can be further simplified as a replaceable article.
EuroPat v2
Der Anschlussassistent entspricht der Kombination von Seiten- bzw. Zieletausch im RUPLAN/EVU-Klemmenplan und anschließendem Rückschreiben dieses Tausches in den Stromlaufplan.
The Terminal Connection Wizard corresponds to the combination of "Switch destination" in the RUPLAN/EVU terminal diagram and subsequent rewriting of this exchange into the circuit diagram.
ParaCrawl v7.1
Nach dem Rückschreiben der Konfiguration in das Gerät werden automatisch die aktuellen Längen- und Breitengrade eingetragen, wenn die Standortverifikation aktiv ist und gültige GPS-Daten vorliegen.
Once the configuration is written back to the device, the current longitude and latitude are entered automatically, assuming that location verification is activated and a valid GPS position is available.
ParaCrawl v7.1
Die Arbeit mit dem Terminal Block Designer entspricht in etwa der Bearbeitung des Klemmenplans in RUPLAN/EVU und anschließendem Rückschreiben in den Strom laufplan.
Work with the Terminal Block Designer corresponds roughly to editing the terminal diagram in RUPLAN/EVU and then writing it back into the circuit diagram.
ParaCrawl v7.1
Die Voraussetzungen dafür liegen außerhalb von DeltaMaster: Die verwendete Datenquelle muss das Rückschreiben unterstützen, der jeweilige Benutzer muss dazu berechtigt sein und es muss eine Planungslizenz für DeltaMaster verfügbar sein.
The external conditions need to be met: The data source must offer write-back support, the user must be authorized, and a planning license for DeltaMaster must be available.
ParaCrawl v7.1