Translation of "Plasmaleistung" in English

Damit geht eine im Vergleich zu anderen Typen von Plasmaerzeugern geringe Plasmaleistung einher.
This is accompanied by a reduced plasma power when compared to other types of plasma generators.
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Auch konnte keine Abhängigkeit der Oberflächenrauhigkeit von der verwendeten Plasmaleistung festgestellt werden.
Also the surface roughness did not depend on the plasma power used in the method.
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Der Durchmesser der Ringe war der jeweiligen Plasmaleistung angepasst.
The diameter of the rings is adapted to the respective plasma capacity.
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Es steht somit mehr Arbeitsgas zur Verfügung, als mit der zugeführten Plasmaleistung verarbeitet werden kann.
In this way more working gas is available than can be processed by the plasma power introduced.
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Wenn das Substrat nach dem Stand der Technik in direkten Kontakt mit der Kathode gebracht wird, dann stellt sich bei einer bestimmten Plasmaleistung, beispielsweise bei 660 Volt RF und bei Abführung der im Substrat erzeugten Wärme durch Wärmeleitung zur Kathode eine Substrattemperatur von etwa 40 ° C ein.
If the substrate, as provided in the art, is arranged to directly contact the cathode, then a particular plasma potential, such as about 660 V RF, and removal of the heat produced in the substrate by conductance to the cathode will produce a substrate temperature of about 40° C.
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Die Mikrowellenanregung hat den Vorteil, daß die Gefahr der Strahlenschädigung der abgeschiedenen Schichten gering ist, daß die für einen Prozeß notwendige Plasmaleistung mit zunehmender Frequenz sinkt, daß der Einkoppelwirkungsgrad hoch ist und Mikrowellenplasmen über weite Druckbereiche (etwa 10?³ bis 50 mbar) betrieben werden können.
Microwave excitation has the advantage that the risk of radiation damage to the coatings deposited is low, that the plasma power necessary for a process decreases with increasing frequency, that the launch efficiency is high and that microwave plasmas can be operated over wide pressure ranges (about 10-3 t 50 mbar).
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Dieser Inertplasmaschritt kann durch Veränderung der Plasmaleistung und der Prozeßzeit den speziellen Anforderungen dahingehend angepaßt werden, daß die Forderungen sowohl nach ausreichender Hartmaskenstabilität als auch nach hoher BSG-Naßätzrate erfüllt werden können.
The inert plasma step can be adapted to the specific requirements, by altering the plasma power and the process time, to the effect that it is possible to fulfill the demands both for sufficient hard mask stability and for a high BSG wet etching rate.
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Weiterhin hat sich gezeigt, daß bei einem erfindungsgemäßen Verfahren bei gleicher Plasmaleistung die erzielte maximale Sputterrate etwa 6- bis 7mal höher ist als bei herkömmlichen DC-Sputterverfahren.
It has been further shown that given equal plasma output, the process according to the invention achieves a sputter rate about 6 to 7 times higher than that of conventional DC sputter process.
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Die Wahl des Abstands zwischen Plasma und Substrat, des Sauerstoff- bzw. Reaktivgasanteils im Gasgemisch, der Plasmaleistung und der Substrattemperatur läßt sich auch zur Einstellung einer gewünschten Topographie der Polymerschichten insbesondere der Deckschicht einsetzen.
Selection of the spacing between plasma and substrate, the concentration of oxygen or reactive gas in the gas mixture, the plasma power, and the substrate temperature can also be used to establish a desired topography for the polymer films, in particular the surface film.
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Herabsetzung des Sauerstoff- bzw. Reaktivgasanteils, Herabsetzung der Plasmaleistung, Herabsetzung der Substrattemperatur und Erhöhung des Substratabstands vom Plasma führen jeweils zu einer Vergröberung der Schichtoberfläche und umgekehrt.
Lowering the proportion of oxygen or reactive gas, the plasma power, and the substrate temperature, and elevating the substrate spacing from the plasma, each result in a coarsening of the film surface, and vice versa.
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Da Ozon die Ätzaktivität sowohl hinsichtlich des Sauerstoffs wie der fluorierten Kohlenstoffe erhöht, kann beim Reinigungsvorgang die nötige Plasmaleistung reduziert werden.
Since ozone increases the etching activity both in view of the oxygen as well as the fluoridated carbons, the plasma power necessary in the cleaning process can be reduced.
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Der Kohlenstoffstrom ist von den Plasmaparametern abhängig: Um einen hohen Kohlenstoffstrom zu erzeugen, muß in das Plasma eine entsprechend hohe Plasmaleistung eingebracht werden.
The flow of carbon depends on the parameters of the plasma. To generate a high carbon flow, the amount of power which is introduced into the plasma must be on a correspondingly high level.
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In einem einstündigen Beschichtungsprozeß mit einer Plasmaleistung von ca. 700 W wurde eine 1,4 µm dicke Schicht auf Keramik- und Siliciumsubstrate abgeschieden.
In a one-hour coating process at a plasma power of approximately 700 W, an 1.4 ?m thick film was deposited on ceramic- and silicon substrates.
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Hierbei wird die Tatsache ausgenutzt, daß sowohl die Lage, d.h. der Ort der momentanen Abscheidungszone, als auch die Ab­scheidungsausbeuten für Dotierung und Si02-Trägermaterial von der Plasmaleistung und vom Druck abhängen.
Here the fact is used that both the position, that is the site of the instantaneous deposition zone, and the deposition yields for doping and SiO2 carrier material, depend on the plasma power and on the pressure.
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Wird die Modulationsfrequenz der Plasmaleistung oder des Druckes dagegen so gewählt, daß sie geringfügig von einem ganzzahligen Vielfachen der Hubfrequenz ab­weicht, mitteln sich geometrische Modulationen über die Länge aus.
When the modulation frequency for plasma power or pressure is chosen to be such that it deviates slightly from a whole multiple of the stroke frequency, geometric modulations throughout the length are averaged.
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Die Erfindung hat nun zur Aufgabe, Massnahmen zu schaffen, die als wirksames Mittel angewandt werden können, um die Wärmebelastung des Rohres durch das Plasma bei Vergrösserung der Plasmaleistung zu beschränken.
It is the object of the invention to provide measures which may be used as an effective means to control the thermal load of the tube by the plasma when the plasma power is increased.
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Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Abscheidung von Mehrkomponentenmaterial bei den Maßnahmen (b) und (d) die in der Glimmentladungszone verbrauchte Plasmaleistung gegenüber der thermischen Leistungszu- oder -abführung so hoch eingestellt wird, daß die Zusammensetzung von abgeschiedenem elektrisch leitendem Mehrkomponentenmaterial im wesentlichen durch die Anteile der abzuscheidenden Konstituenten in der Gasphase vorgegeben wird.
A method as claimed in claim 1, characterized in that during deposition of multicomponent material in the step (b) and (d) the plasma power consumed in the glow discharge zone is adjusted to be so high with respect to the thermal power supply or removal that the composition of deposited electrically conductive multicomponent material is determined substantially by the relative amounts of constituents to be deposited in the gas phase.
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Für das Ätzen der Siliziumnitridschicht 1 mit einer Dicke von 400 nm führt beispielweise ein Druck von ca. 450 mTorr, eine Plasmaleistung von 300 Watt, ein Argonfluß von ca. 500 sccm, ein SF 6 -Fluß von ca. 200 sccm und ein CHF 3 -Fluß von ca. 7 sccm zu einer Selektivität von etwa 2 von Si 3 N 4 zu SiO 2 und zu einem senkrechten Kantenwinkel.
For etching a silicon nitride layer 2 having a thickness of 400 nm, it is suitable to use a reaction chamber pressure of 450 mTorr, a plasma power of 300 W, an argon flow rate of about 500 sccm, an SF 6 flow rate of about 200 sccm and a CHF 3 flow rate of about 7 sccm.
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Zur Erzeugung eines Plasma-Strahls wird beispielsweise Luft mit einem Volumenstrom von ca. 1400 L/h durch die Plasmadüse geleitet und innerhalb der Düse ein gepulstes Plasma (Pulsdauer ca. 50 µs, Puls/Pause-Verhältnis ca. 1/3) mit einer Frequenz von ca. 18 kHz, einer Elektrodenspannung von ca. 10 kV und einer Plasmaleistung von ca. 0,8 kW erzeugt.
To produce a stream of plasma, air for example is passed through the plasma nozzle with a volume flow of approximately 1400 L/h and a pulsed plasma is produced inside the nozzle (pulse duration approximately 50 ?s, pulse/pause ratio approximately 1/3) with a frequency of approximately 18 kHz, an electrode voltage of approximately 10 kV and a plasma power of approximately 0.8 kW.
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Weiterhin kann durch eine Herstellung von ClF 3 unter stöchiometrischen oder nahezu stöchiometrischen Bedingungen vermieden werden, dass im Plasma Chlorradikale im Übermaß generiert werden und ein Teil der zur Verfügung gestellten Plasmaleistung für die Bildung von Chlorradikalen verbraucht würde, wobei diese für das Trockenätzen keinen Nutzen erzeugen, da diese aufgrund Ihrer kurzen Lebensdauer einer Rückbildung zu Cl 2 oder einer Reaktion zu nutzlosen Interhalogeniden wie ClF unterliegen.
Furthermore, by producing ClF 3 under stoichiometric or quasi-stoichiometric conditions it may be avoided that an excess amount of chlorine radicals is generated in the plasma and part of the plasma power provided is wasted for forming chlorine radicals, which are useless for dry etching, since, due to their short life, they are subject to back-formation to Cl 2 or to a reaction of formation of useless interhalides such as ClF.
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Weiterhin kann durch eine Herstellung von ClF 3 in der Plasmaquelle unter stöchiometrischen Bedingungen vermieden werden, dass im Plasma Chlorradikale im Übermaß generiert werden und ein Teil der zur Verfügung gestellten Plasmaleistung für diese Bildung von Chlorradikalen verbraucht würde, wobei diese für das Ätzen keinen Nutzen erzeugen, das diese aufgrund Ihrer kurzen Lebensdauer einer Rückbildung zu Cl 2 oder einer Reaktion zu nutzlosen Interhalogeniden wie ClF unterliegen.
Furthermore, by producing ClF 3 in the plasma source under stoichiometric or quasi-stoichiometric conditions it may be avoided that an excess amount of chlorine radicals is generated in the plasma and part of the plasma power provided is wasted for forming chlorine radicals, which are useless for dry etching, since, due to their short life, they are subject to back-formation to Cl 2 or to a reaction of formation of useless interhalides such as ClF.
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Die Porosität der Schicht kann durch die Wahl der Beschichtungsparameter Substratwinkel, Substrattemperatur, Beschleunigungsspannung und Plasmaleistung eingestellt werden.
The porosity of the coating can be adjusted by selecting the coating parameters substrate angle, substrate temperature, acceleration voltage and plasma power.
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Der Stift kann eine hohe und variable Plasmaleistung abgeben, wofür eine integrierte Schaltung oder einem Halbleiter-Chip-Mikroprozessor im Griffgehäuse installiert ist, die einen piezoelektrischen Transformator treibt.
The pen can deliver a high and variable plasma power output, for which an integrated circuit or a semiconductor chip microprocessor is installed in the handle housing, where in this case the integrated circuit drives a piezoelectric transformer.
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Ein oder mehrere weitere DAC können in Abhängigkeit von der Überwachung des Plasmasystems hinsichtlich des Auftretens eines Arcs angesteuert werden und das jeweilige analoge Ausgangssignal der DAC kann in einem nachfolgenden Verstärkerpfad zu einem Teil der Plasmaleistung oder der Arclöschleistung verstärkt werden.
Depending on plasma system monitoring, one or more further DACs can be controlled to detect the occurrence of an arc, and the relevant analogue output signal of the DAC can be amplified on a subsequent amplifier path into a part of the plasma power or the arc extinguishing power.
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Die Plasmaleistung betrug 38 kW, als Plasmagase wurden Argon (40 l/min)/Wasserstoff (6 l/min) verwendet.
The plasma power was 38 kW, using argon (40 L/min) and hydrogen (6 L/min) as plasma gases.
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Ergänzend oder alternativ dazu kann ein hydrophiles Schichtmaterial erfindungsgemäß durch ein vakuumgestütztes Dünnschichtverfahren hergestellt werden, bei dem nach dem Herstellen einer Transportkontrollschicht das Schichtmaterial in einer reinen Sauerstoffatmosphäre bei einem Arbeitsatmosphärendruck von 0,02 bis 0,04 mbar, vorzugsweise 0,06 mbar, und einer Plasmaleistung von 500 bis 2000 W, vorzugsweise 1000 W, in einem 400 I-Reaktor behandelt wird.
Alternatively or additionally, a hydrophilic coating material according to the invention can be produced using a vacuum-aided thin-layer method in which, after production of a transport control layer, the coating material is treated in a pure oxygen atmosphere at an operating atmosphere pressure of 0.02-0.04 mbar, preferably 0.06 mbar, using a plasma power of 500-2000 W, preferably 1000 W, in a 400 I-reactor.
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Die Plasma polymerisation wird in einem Reaktor mit einem Volumen von 400 I bei einem Arbeitsdruck von 0.07 mbar, mit einer Plasmaleistung von 2500 W und mit einem Arbeitsgas aus 95 % 02 und 5 % HMDSO durchgeführt.
The plasma polymerisation is performed in a reactor with a volume of 400 I at an operating pressure of 0.07 mbar, with a plasma power of 2500 W and with an operating gas comprised of 95% O 2 and 5% HMDSO.
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