Translation of "Oxydschicht" in English

In den Fenstern 505 wird während dieses Schrittes eine dünne Oxydschicht 507 gebildet.
Note that a thin layer of oxide 507 is formed in the openings 505 during this step.
EuroPat v2
Auf die Kontaktflächen kann zur Isolation eine zusätzliche Oxydschicht aufgebracht sein.
For insulating purposes an additional oxide layer may be applied onto the contact surfaces.
EuroPat v2
Die Oxydschicht ist hydrophil und wird vom Elektrolyten durchdrungen.
The oxide layer is hydrophillic and is permeated by the electrolyte.
EuroPat v2
Diese Teile der verbleibenden Oxydschicht 509 sind mit dem Bezugszeichen 514B bezeichnet.
These portions of remaining oxide layer 509 are denoted by reference character 514B.
EuroPat v2
Vorzugsweise werden Schwellerprofil und/oder Verstärkungsteil mit einer Oxydschicht beschichtet.
The sill profile and/or reinforcing body may be coated with an oxide layer.
EuroPat v2
Diese Aluminiumteile werden vorteilhafterweise beschichtet, idealerweise mit einer schwarz eingefärbten Oxydschicht versehen.
The aluminum parts are preferably given a coating, ideally a black-colored oxide layer.
EuroPat v2
Es ist die Oxydschicht des Materials, welche die gewünschte Farbe ergibt.
The oxyde layer takes the requested colour.
ParaCrawl v7.1
Die Dicke der Oxydschicht ist von der gewählten Bestrahlungstemperatur und der auftretenden Gammawärme abhängig.
The thickness of this oxide layer depends on the irradiation temperature selected and the gamma heat generated.
EUbookshop v2
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Entfernung der Oxydschicht durch Ätzen erfolgt.
The method according to claim 1, wherein the oxide layer is removed by etching.
EuroPat v2
Mit einem konzentrierten Laserstrahl werden die oberste Oxydschicht und anhaftende Verunreinigungen entlang der Schweißnaht entfernt.
A concentrated laser beam removes the top oxide layer as well as impurities along the weld seam.
ParaCrawl v7.1
Viele Buntmetalle bilden eine lichtdurchlässige Oxydschicht, so dass sich durch Heißkorrosion ein Schillereffekt erzeugen lässt.
Many nonferrous metals produce a translucent oxide layer. Often a shimmering effect can be produced by heat-oxidation.
ParaCrawl v7.1
Da diese Materialien widerstandsfähig gegen die rißverhindernde Oxydschicht sind, fällt das zeitraubende Abdecken der Stegeinlagen fort.
Since these materials are resistant to the crack-precluding oxide layer, the time consuming process of coating the web inserts is eliminated.
EuroPat v2
Die Oxydschicht 520 wird jedoch in den Öffnungen 523A nicht weggeätzt, weil diese durch die N+ Kontaktierungsmaske gesperrt sind.
Note, however, that the thermal oxide layer 520 is not etched away in the openings 523A which are blocked by the N+ contact opening mask.
EuroPat v2
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshlab, bei einer Vorrichtung der eingangs genannten Art Einlagen aufzuzeigen, die in der Herstellung billiger sind und ebenfalls gegenüber dem Verfahren zum Aufbringen der rißverhindernden Oxydschicht widerstandsfähig sind.
It is therefore an object of the present invention to provide cylinder head inserts which are less expensive to produce and which are also resistant with respect to the method for applying the crack-precluding oxide layer.
EuroPat v2
Sie werden nur in dem Bereich, in dem sie mit der rißverhindernden Oxydschicht in Kontakt gelangen können, mit einem widerstandsfähigen Material verkleidet.
These plates are only coated with an appropriately resistant material in that region in which they come into contact with the crack-precluding oxide layer.
EuroPat v2
Andererseits kann man aber auch das Steuergate für den zweiten Transistor aus der ersten polykristallinen Siliciumschicht formen, so daß die zweite polykristalline Siliciumschicht am Ort des zweiten Transistors nicht benötigt wird und deshalb von der das Steuergate des zweiten MOS-Feldeffekttransistors abdeckenden Oxydschicht in bekannter Weise wieder abgeätzt wird.
On the other hand, the control gate for the second transistor can also be formed from the first polycrystalline silicon layer, so that the second polycrystalline silicon layer is not needed at the location of the second transistor and is therefore etched away again in a known manner from the oxide film covering the control gate of the second MOS field effect transistor.
EuroPat v2
Zweckmäßig wird hierzu an der Substratoberfläche zunächst eine etwa 10 nm dicke Oxydschicht erzeugt und mit einer Siliciumnitridschicht von etwa 160 nm Stärke abgedeckt.
It is expedient for this purpose to first produce an oxide film that is about 10 nm thick which is covered by a silicon nitride film which is about 160 nm thick.
EuroPat v2
Mittels Photolack-Ätztechnik werden, z. B. unter Verwendung des Plasma-Ätzverfahrens - die mit dem Feldoxyd Dox zu versehenden Stellen der Substratoberfläche freigelegt, während die von den noch zu erzeugenden Speicherzellen einzunehmenden und von dem Feldoxydrahmen jeweils umgebenen Bereiche der Substratoberfläche zunächst von der 10 nm starken Oxydschicht und der als Oxydationsmaske dienenden Siliciumnitridschicht bedeckt bleiben.
By means of photoresist etching technology such as the use of the plasma etching method, the substrate surface areas to be provided with the field oxide Dox are bared while the substrate surface areas to be occupied by the memory calls yet to be produced and respectively surrounded by the field oxide frame stay covered by the 10 nm thick oxide film and by the silicon nitride film serving as an oxidation mask for the time being.
EuroPat v2
In vielen Fällen wird man jedoch nach der Erzeugung des Feldoxyds nicht nur die Nitrid-Oxydationsmaske sondern auch die sie tragende Oxydschicht von der Siliciumoberfläche entfernen, so daß man den aus Fig.
In many cases, however, not only the nitride oxidation mask but also the oxide film supporting it will be removed from the silicon surface after producing the field oxide, so as to arrive at the starting condition evident from FIG.
EuroPat v2
In dem nun folgenden ersten Oxydationsprozeß des eigentlichen erfindungsgemäßen Verfahrens wird die nunmehr in den einzelnen zur Herstellung je einer Speicherzelle vorgesehenen Bereichen freiliegende Oberfläche des Substrats ST mit einer die Grundlage des Gateoxyds Gox1 und ggf auch die Grundlage des Gateoxyds Gox2 am Ort der beiden herzustellenden Transistoren T1 und T2 bildenden ersten Oxydschicht Gox * bedeckt.
In the following first oxidation process of the actual method according to the invention, the surface of the substrate ST now bared in the various areas each intended for the production of a memory cell is covered by a first oxide film Gox* forming the base of the gate oxide Gox1 and possibly also the base of the gate oxide Gox2 at the site of the two transistors T1 and T2 to be produced.
EuroPat v2
Dabei wird die Stärke dieser ersten Oxydschicht Gox derart eingestellt, daß ihre Summe mit der Stärke des vorgesehenen Löschoxyds genau die für das Gateoxyd Gox1 am Ort des ersten Transistors T1 (und ggf auch die für das Gateoxyd Gox2 am Ort des zweiten Transistors T2) vorgesehene Stärke ergibt.
The thickness of this first oxide film Gox* is adjusted so that it, plus the thickness of the erase oxide provided, exactly equals the thickness intended for the gate oxide Gox1 at the site of the first transistor T1 (and possibly for the gate oxide Gox2 at the site of the second transistor T2).
EuroPat v2
Der nun folgende Schritt zur Erzeugung des Löschfensters LF in der durch den ersten Oxydationsschritt erhaltenen Oxydschicht Gox * beschränkt sich ausschließlich auf den für die jeweilige Speicherzelle vorgesehenen Löschbereich.
The next step which is to produce the erase window LF in the oxide film Gox* obtained by the first oxidation step is restricted exclusively to the erase area provided for the respective memory cell.
EuroPat v2